Микросхемы - усилители низкой частоты (2)
|
---|
Микросхемы - усилители низкой частоты (2)
Раздел: Звук
Интегральная микросхема AN7142 фирмы Matsushita выполнена в корпусе TABS5 с 16 выводами и представляет собой двухканальный (стереофонический) усилитель мощности низкой частоты. Предназначена для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса. В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке. Для получения максимальной выходной мощности микросхему необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров микросхемы (выходные параметры для одного канала) следующие: Uccmin 10 V Uccmax 20 V Pвыхmax 2,1 W Icc0(Uвх=0) 22 mA Rвх 120KΩ Ку,напр. 68dB ΔF 30Hz- 18KHz Кг(Pвых=0,2W,f=l KHz) 0,15% Rвыхnom 4Ω
Перечисленные интегральные микросхемы фирмы Matsushita выполнены вкорпусах SDIP с 18 выводами и представляют собой двухканальные (стереофонические) усилители мощности низкой частоты с идентичными схемами (цоколевками) и различными параметрами. Предназначены для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных ирадиоприемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса. Некоторые из основных параметров микросхем (выходные параметры для одного канала) следующие:
|
Uccinin |
Uccmax |
Icc0 |
ΔF |
Rвых |
Pвых |
Кг |
Ку,напр. |
AN7145L |
6V |
20V |
25mA |
40Hz-18KHz |
4Ω |
1W |
0,2% |
42dB |
AN7145M |
9V |
20V |
30mA |
40Hz-18KHz |
4Ω |
2,4W |
0,2% |
42dB |
AN7145H |
12V |
24V |
40mA |
40Hz-18KHz |
ЗП |
7,5W |
0,2% |
42dB |
AN7146M |
9V |
20V |
32mA |
40Hz-18KHz |
4Ω |
2,3W |
0,2% |
42dB |
AN7146H |
9V |
20V |
40mA |
40Hz-18KHz |
4Ω |
4,5W |
0,2% |
42dB |
В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощности микросхемы необходимо установить на теплоотвод (радиатор).
Интегральная микросхема AN7156 фирмы Matsushita выполнена в корпусе SIP2 с 12 выводами и представляет собой двухканальный (стереофонический) усилитель мощности низкой частоты. Предназначена для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, и другой аудиоаппаратуре среднего класса. В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощности микросхему необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров микросхемы (выходные параметры для одного канала) следующие: Uccmin 9 V Uccmax 24 V Pвых(13V/4Ω) 5,5 W Icc0(Uвх=0) 70 mA Rвх 100КΩ Ку,напр. 56dB ΔF 30Hz-18KHz Кг(Pвых=0,2W, f=lKHz) 0,15% Rвыхnom 4Ω
Интегральные микросхемы AN7158 и AN7166 фирмы Matsushita выполнены в корпусах SIP2 с 12 выводами и представляют собой двухканальные (стереофонические) усилители мощности низкой частоты. Предназначены для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса. В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощности микросхемы необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров микросхем (выходные параметры для одного канала) следующие:
|
AN7158 |
AN7166 |
Uccmax |
24 V |
24 V |
Icc0(Uвх=0) |
35 mA |
30 mA |
Рвыхmах |
7,5 W |
5,5 W |
Ку,напр. |
56 dB |
52 dB |
ΔF |
30Hz-18KHz |
30Hz-18KHz |
Кг |
0,1% |
0,15% |
Rвыхnom |
4Ω |
4Ω |
Интегральная микросхема AN7161 фирмы Matsushita выполнена в корпусе SIP2 с 11 выводами и представляет собой двухканальный (стереофонический) усилитель мощности низкой частоты. Предназначена для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре высокого класса. В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощности микросхему необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров микросхемы (выходные параметры для одного канала) следующие: Uccmin 10 V Uccmax 26 V Icc0(Uвх=0) 65 mA Рвых(15V/4Ω) 10 W Ку,напр. 48 dB ΔF 20Hz-20KHz Кг(Pвых=0,2W, f=lKHz) 0,05% Rвыхnom 4Ω
Интегральная микросхема AN7163 фирмы Matsushita выполнена в корпусе SIP1 с 12 выводами и представляет собой усилитель мощности низкой частоты выполненый по мостовой схеме. Предназначена для использования в автомобильных магнитофонах, а так же электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре высокого класса. В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощности микросхему необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров микросхемы следующие: Uccmin 12 V Uccmax 16 V Icc0(Uвх=0) 60 mA Pвыхmax 18 W Ку,напр. 52 dB ΔF 20Hz-20KHz Кг(Pвых=0,2W, f=lKHz) 0,08% Rвыхnom 4Ω
Интегральная микросхема AN7170 фирмы Matsushita выполнена в корпусе SIP1 с 11 выводами и представляет собой усилитель мощности низкой частоты Предназначена для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре высокого класса. В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощности микросхему необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров микросхемы следующие: Uccmin 8 V Uccmax 35 V Icc0(Uвх=0) 75 mA Pвых(26V/4Ω) 18 W Ку,напр. 52 dB ΔF 20Hz-20KHz Кг(Pвых=0,2W, f=lKHz) 0,08% Rвыхnom 8Ω
Интегральная микросхема AN7171 фирмы Matsushita выполнена в корпусе TABS6 с 16 выводами и представляет собой двухканальныи (стереофонический) усилитель мощности низкой частоты, оба канала которого выполнены по мостовой схеме. Предназначена для использования в автомобильных магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре высокого класса. Типовая схема подключения приведена на рисунке. В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощности микросхему необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров микросхемы (выходные параметры для одного канала) следующие: Uccmin 9 V Uccmax 15 V Icc0(Uвх=0) 45 mA Рвыхmах 12 W Rвх 150 KΩ Ку,напр. 48 dB ΔF 20Hz-20KHz Кг(Pвых=0,5W, f=lKHz) 0,1% Rвыхnom 4Ω
Интегральные микросхемы ВА5204 и BA5204F фирмы Rohm выполнены в корпусах DIP (ВА5204) или SO (BA5204F) с 16 выводами и представляют собой двухканальные (стерео) усилители мощности низкой частоты. Предназначены для использования в переносных кассетных магнитофонах (плэйерах) высокого класса. В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощности нет необходимости в теплоотводе (радиаторе). Некоторые из основных параметров микросхем (выходные параметры для одного канала) следующие: Uccmin 1,5 V Uccmax 4,5 V Pвых(3V/32Ω) 35 mW Icc0(Uвх=0) 13 mA Ку,напр. 62 dB ΔF 20Hz-20KHz Uвхmax 15 mV Кг(Pвых=5mW f=lKHz) 0,05% Uвх0 12 mV Rвыхnom 32Ω
Интегральные микросхемы ESM231N, ТВА790, TBA790LA, TBA790LB, TBA790LC, TBA790KD (Thomson), TCA150KA, ТСА150КВ, (Mullard), TDA1042, TDA1042B (SGS), UL1490N,UL1491R, UL1492R, UL1493R (Unitra) выполнены в корпусах DIP (кроме ESM231N, которая выполнена в корпусе TABS7) с 14 выводами и представляют собой усилители мощности низкой частоты с идентичными схемами (цоколевками) и различными параметрами. Предназначены для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса. Обратите особое внимание на микросхемы ТВА790 и ТСА150, так как они выпускаются в трех вариантах (с различными цоколевками) и их можно отличать только по суффиксу. Некоторые из основных параметров микросхем следующие:
|
Uccmin |
Uccmax |
Icc0 |
ΔF |
Rвых |
Pвых |
Кг |
Ку,напр. |
ESM231N |
9V |
30V |
25mA |
40Hz-20KHz |
4Ω |
18W |
0,5% |
48dB |
ТВА790 |
6V |
12V |
6mA |
40Hz-15KHz |
8Ω |
1,2W |
0,5% |
42dB |
TBA790LA |
6V |
12V |
бтА |
40Hz-15KHz |
8Ω |
1,2W |
2,5% |
42dB |
TBA790LB |
6V |
15V |
8mA |
40Hz-15KHz |
8Ω |
2,2W |
2,5% |
42dB |
TBA790LC |
6V |
12V |
6mA |
40Hz-15KHz |
8Ω |
2,2W |
2,5% |
42dB |
TBA790KD |
6V |
18V |
10mA |
40Hz-15KHz |
8Ω |
3.45W |
2,5% |
62dB |
TCA150KA |
9V |
15V |
9mA |
40Hz-15KHz |
4Ω |
4W |
0,5% |
62dB |
ТСА150КВ |
9V |
18V |
11mA |
40Hz-15KHz |
4Ω |
5,5W |
0,5% |
62dB |
TDA1042 |
9V |
18V |
10mA |
40Hz-20KHz |
2Ω |
10W |
0,2% |
62dB |
TDA1042B |
9V |
18V |
10mA |
40Hz-20KHz |
2Ω |
10W |
0,2% |
62dB |
UL1490N |
6V |
12V |
10mA |
40Hz-15KHz |
15Ω |
0,65W |
1,5% |
46dB |
UL1491R |
6V |
12V |
10mA |
40Hz-15KHz |
8Ω |
1,2W |
1,5% |
46dB |
UL1492R |
6V |
15V |
10mA |
40Hz-15KHz |
8Ω |
2,1W |
1,5% |
46dB |
UL1493R |
6V |
12V |
10mA |
40Hz-15KHz |
4Ω |
2,1W |
1,5% |
46dB |
В микросхемах отсутствует защита выхода от короткого замыкания в нагрузке Для получения максимальной выходной мощности микросхемы необходимо установить на теплоотвод (радиатор).
Интегральнаые микросхемы ESM1231C (Thomson), TDA1103 и TDA1103SP (SGS) выполнены в корпусах SIP1 с 11 выводами и представляют собой усилители мощности низкой частоты. Предназначена для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре высокого класса. Некоторые из основных параметров микросхем следующие: Uccmin 12 V Uccmax 32 V Icc0(Uвх=0) 30 mA Pвыхmax 20 W Ку,напр. 52 dB ΔF 20Hz-20KHz Кг(Pвых=0,2W, f=lKHz) 0,05% Rвыхnom 4Ω В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке.
Интегральные микросхемы НА 1374 и НА1374А фирмы Hitachi выполнены в корпусах SIP4 с 10 выводами и представляют собой двухканальные (стереофонические) усилители мощности низкой частоты. Предназначены для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса. В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощности микросхемы необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров микросхем (выходные параметры для одного канала) следующие:
|
НА1374 |
НА1374А |
Uccmin |
8 V |
8 V |
Uccmax |
22 V |
25 V |
Icc0(Uвх=0) |
36 mA |
36 mA |
Pвыхmax |
3 W |
4 W |
Rвх |
100КΩ |
100КΩ |
Ку,напр. |
32 dB |
32 dB |
ΔF |
30Hz-20KHz |
30Hz-20KHz |
Кг(Pвых=0,5W, f=lKHz) |
0,2% |
0,15% |
Rвыхnom |
8Ω |
8Ω |
Интегральная микросхема НА1392 фирмы Hitachi выполнена в корпусе SIP7 с 12 выводами и представляет собой двухканальный (стереофонический) усилитель мощности низкой частоты. Предназначена для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса. Переключатель SW1 выполняет функцию "MUTE". В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощности микросхему необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров микросхемы (выходные параметры для одного канала) следующие: Uccmin 8 V Uccmax 18 V Icc0(Uвх=0) 36 mA Pвых(12V/4Ω) 4,3 W Rвх 120 КΩ Ку,напр. 42 dB ΔF 30Hz-20KHz Кг(Pвых=0,5W, f=lKHz) 0,15% Rвыхnom 4Ω
Интегральная микросхема НА1396 фирмы Hitachi выполнена в корпусе SIP1 с 12 выводами и представляет собой усилитель мощности низкой частоты выполненый по мостовой схеме. Предназначена для использования в автомобильных кассетных магнитофонах высокого класса. Переключатель SW1 выполняет функцию "MUTE".Некоторые из основных параметров микросхемы следующие: Uccmin 8 V Uccmax 18 V Icc0(Uвх=0) 140 mA Pвых(13V/4Ω) 20 W Ку,напр. 42 dB ΔF 20Hz-20KHz Кг(Pвых=lW, f=lKHz) 0,1% Rвыхnom 4Ω В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке. Для получения максимальной выходной мощности микросхему необходимо установить на теплоотвод (радиатор).
Интегральные микросхемы К174УН14 (СНГ), LM383 и LM2002 (National Semiconductor), L142, TDA1410H, TDA1420H, TDA2002, TDA2003 и TDA2008 (SGS.Thomson), ULN3701Z, ULN3702Z и ULN3703Z (Sprague), μPC2002 (NEC) выполнены в корпусах Т0220 с 5 выводами сформованными в два ряда параллельно плоскости корпуса. У микросхем с суффиксами А и V выводы согнуты перпендикулярно плоскости корпуса. Представляют собой усилители мощности низкой частоты с идентичными схемами (цоколевками) и различными параметрами. Предназначены для использования в магнитофонах, электрофонах, другой аудиоаппаратуре среднего класса. В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощности микросхемы необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров микросхем следующие:
|
Uccmin |
Uccmax |
Icc0 |
ΔF |
Rвых |
Pвых |
Кг |
Ку,напр. |
К174УН14 |
8V |
18V |
45mA |
40Hz-20KHz |
4Ω |
4,5W |
0,25% |
48dB |
L142 |
5V |
40V |
20mA |
40Hz-20KHz |
4Ω |
20W |
0,2% |
48dB |
LM383 |
5V |
22V |
45mA |
40Hz-20KHz |
40. |
7W |
0,2% |
48dB |
LM2002 |
5V |
20V |
45mA |
40Hz-20KHz |
4Ω |
8W |
0,2% |
48dB |
TDA1410H |
8V |
36V |
20mA |
40Hz-20KHz |
4Ω |
16W |
0,2% |
48dB |
TDA1420H |
8V |
44V |
20mA |
40Hz-20KHz |
4Ω |
30W |
0,2% |
48dB |
TDA2002 |
8V |
18V |
45mA |
40Hz-20KHz |
2ft |
8W |
0,2% |
48dB |
TDA2003 |
8V |
18V |
44mA |
40Hz-20KHz |
10. |
10W |
0,2% |
42dB |
TDA2008 |
8V |
18V |
65mA |
40Hz-20KHz |
4Ω |
12W |
0,5% |
48dB |
ULN3701Z |
8V |
18V |
45mA |
35Hz-20KHz |
2Ω |
10W |
0,1% |
42dB |
ULN3702Z |
8V |
26V |
80mA |
35Hz-20KHz |
4Ω |
12W |
0,1% |
42dB |
ULN3703Z |
8V |
18V |
44mA |
35Hz-20KHz |
2Ω |
10W |
0,1% |
42dB |
μPC2002 |
8V |
18V |
55mA |
40Hz-20KHz |
2Ω |
9W |
0,2% |
48dB |
Интегральные микросхемы К174УН22 (СНГ), КА2209 (Samsung), NJM2073 (New Japan Radio), L272M, L2722, TDA2822M и TDA2822D(SGSThomson), U2822B и U2823B (Telefunken) с идентичными схемами и параметрами выполнены в корпусах DIP-8 (TDA2822D - SO c 8 выводами). Представляют собой двухканальные усилители мощности и предназначены для аппаратуры с питанием от батарей. Микросхемы можно включать по мостовой схеме. В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и теплозащита. Для получения максимальной выходной мощности микросхемы нет необходимости в теплоотводе. Основные параметры:
Uccmin |
1,8 V |
Uccmax |
9 V |
Icc0(Uвх.=0) |
9 mA |
Pвых.(6V/4Ω) |
0,65 W |
Kу |
62 dB |
ΔF |
30Hz-18KHz |
Кг(Pвых.=0,01W,f=1KHz) |
0,05% |
Rвых. |
4Ω |
Интегральные микросхемы КА2202 и КА2207 (Samsung) с идентичными схемами и различными параметрами выполнены в корпусах TABS5 с 14 выводами. Представляют собой усилители мощности низкой частоты и предназначены для использования в кассетных магнитофонах, другой аудиоаппаратуре низкого класса с питанием от батарей. Основные параметры микросхем следующие:
|
КА2202 |
КА2207 |
Uccmin |
4 V |
5V |
Uccmax |
16 V |
20 V |
Pвыхmax |
1 W |
2,3 W |
Icc0(Uвх=0) |
7 mA |
9 mA |
Ку,напр. |
52 dB |
52 dB |
ΔF |
40Hz-18KHz |
40Hz-18KHz |
Кг(Pвых=100mW, f=lKHz) |
0,2% |
0,1% |
Rвыхnom |
4Ω |
4Ω |
В микросхемах отсутствует защита выхода от короткого замыкания в нагрузке. Для получения максимальной выходной мощности нет необходимости в теплоотводе (радиаторе).
Интегральные микросхемы КА2211 и К1А7299 (Samsung), TA7240P, TA7241P, TA7263P, TA7264P, TA7270P, TA7271P и TA7299P (Toshiba) с идентичными схемами выполнены в корпусах SIP1 с 12 выводами и представляют собой двухканальные усилители мощности низкой частоты. Предназначены для использования в кассетных магнитофонах, электрофонах, радио и телевизионных приемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса. Если у микросхем КА2211, К1А7299, TA7240P, TA7263P, TA7270P и ТА7299 расположение выводов на корпусе нормальное (нумерация выводов слева направо), у TA7241P, TA7264P и TA7271P инверсная (зеркальная) нумерация выводов, т.е. справа налево. Некоторые из основных параметров микросхем (выходные параметры для одного канала) следующие: Uccmin 10 V Uccmax 18 V Pвыхmax 5,8 W Icc0(Uвх=0) 80 mA Ку,напр. 52 dB ΔF 30Hz-20KHz Кг(Pвых=500mW, f=lKHz) 0,2% Rвыхnom 4Ω В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке. Для получения максимальной выходной мощности микросхемы необходимо установить на теплоотвод (радиатор).
Интегральные микросхемы КА22101 (Samsung), ТА7250ВР и ТА7251ВР (Toshiba) с идентичными схемами и параметрами выполнены в корпусах SIP1 с 12 выводами (у микросхемы ТА7251ВР инверсная нумерация выводов справа налево) и представляют собой усилители мощности низкой частоты выполненные по мостовой схеме. Предназначены для использования в автомобильных кассетных магнитофонах и электрофонах среднего класса. Некоторые из основных параметров микросхем следующие: Uccmin 9 V Uccmax 18 V Icc0(Uвх=0) 120 mA Pвых.max 23 W Ку,напр. 46 dB ΔF 20Hz-20KHz Кг(Pвых=1W, f=1KHz) 0,1% Rвыхnom 4Ω В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке. Для получения максимальной выходной мощности микросхемы необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Источник: radvs.boom.ru
|
|