| Компонент | Описание | Производитель | PDF | Buy |
| SMG2 | Voltage-Controlled Attenuator Module 5 to 2000 MHz | M/A-COM Technology Solutions, Inc. |  |  |
| SMG2 | Voltage-Controlled Attenuator Module 5 to 2000 MHz | Tyco Electronics | | |
| VSMG2020X01 | High Speed Infrared Emitting Diodes, 850 nm, GaAlAs, DH | Vishay Siliconix | | |
| SMG2300 | N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET | SeCoS Halbleitertechnologie GmbH | | |
| SMG2301 | P-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET | SeCoS Halbleitertechnologie GmbH | | |
| SMG2301P | P-Channel Enhancement MOSFET | SeCoS Halbleitertechnologie GmbH | | |
| SMG2302 | N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET | SeCoS Halbleitertechnologie GmbH | | |
| SMG2302N | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | SeCoS Halbleitertechnologie GmbH | | |
| SMG2303 | P-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET | SeCoS Halbleitertechnologie GmbH | | |
| SMG2304 | N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET | SeCoS Halbleitertechnologie GmbH | | |
| SMG2304A | N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET | SeCoS Halbleitertechnologie GmbH | | |
| SMG2305 | P-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET | SeCoS Halbleitertechnologie GmbH | | |
| SMG2305A | P-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET | SeCoS Halbleitertechnologie GmbH | | |
| SMG2305PE | P-Channel Enhancement MOSFET | SeCoS Halbleitertechnologie GmbH | | |
| SMG2305P_1108 | -4.5A , -20V , RDS(ON) 43 m P-Channel Enhancement MOSFET | SeCoS Halbleitertechnologie GmbH | | |
| SMG2306 | N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET | SeCoS Halbleitertechnologie GmbH | | |
| SMG2306A | N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET | SeCoS Halbleitertechnologie GmbH | | |
| SMG2306N | N-Channel Enhancement Mode Mos.FET | SeCoS Halbleitertechnologie GmbH | | |
| SMG2306NE | N-Channel Enhancement Mode Mos.FET | SeCoS Halbleitertechnologie GmbH | | |
| SMG2307 | P-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET | SeCoS Halbleitertechnologie GmbH | | |
