Показать сообщение отдельно
Непрочитано 30.12.2019, 11:39  
genao
Почётный гражданин KAZUS.RU
 
Регистрация: 06.09.2007
Сообщений: 4,718
Сказал спасибо: 6,461
Сказали Спасибо 4,162 раз(а) в 2,205 сообщении(ях)
genao на пути к лучшему
По умолчанию Re: максимально допустимый ток через MOSFET

Сообщение от Eddy71 Посмотреть сообщение
К сожалению, применить после таких измерений транзистор уже не получится.
Использование силовых транзисторов в линейном режиме. Силовая электроника №1, 2008г
https://power-e.ru/components/ispolz...ejnom-rezhime/
Цитата:
под влиянием некоторых различий температуры вдоль кристалла в нем возникает температурно-индуцированное изменение тока. Если температурно-зависимое изменение плотности тока окажется температурнонестабильным (что нормально для линейного режима работы), то результатом может быть локальный разогрев и колебания тока в кристалле. Следствием разогрева может быть выход из строя, идентичный вторичному пробою биполярных силовых транзисторов. Исходя из этого, границы действительной ОБР-П могут быть существенно меньшими, чем те, что получены только на основании тепловых сопротивлений, часто публикуемых в документации.
Цитата:
У любого МОП- или IGBT силового транзистора есть внутренний биполярный транзистор. Его коэффициент передачи возрастает при увеличении температуры прибора, а также при увеличении напряжения сток-исток. Сопротивление базы биполярного транзистора возрастает с нарастанием температуры, и снижается напряжение база-эмиттер. Учитывая данные факторы совместно, можно сделать вывод, что с ростом температуры повышается вероятность генерации напряжения на сопротивлении базы, достаточного для включения биполярного транзистора.

Таким образом, при определенном уровне нагретости кристалла может произойти отпирание расположенного в разогретой области биполярного транзистора. Вследствие этого работа в линейном режиме становится аварийной:
разогрев становится необратимым, температура стремительно возрастает вплоть до перегорания аварийного участка, вызывающего закорачивание стока с истоком, а иногда и затвора с истоком. Некоторые поврежденные приборы еще могут работать в открытом состоянии, но после запирания они смогут работать только с напряжением, которое характеризуется большим током утечки, протекающим через поврежденную область.
Иллюстрации из "Некоторые особенности работы мощного полевого транзистора в линейном режиме"
https://zen.yandex.ru/media/id/5b935...a06000affd5022
Линейный NP88N04NUG с ОБП линейного режима и ключевого
Нажмите на изображение для увеличения
Название: ОБП-лин.png
Просмотров: 0
Размер:	131.7 Кб
ID:	148799

Ключевой IRLU8726 с ОБП ключевого режима
Нажмите на изображение для увеличения
Название: ОБП-ключ.png
Просмотров: 0
Размер:	113.4 Кб
ID:	148800

От туда же
Цитата:
Многие современные мощные полевые транзисторы предназначены лишь для работы в ключевом режиме и не могут работать в линейном. При этом существуют и транзисторы специально адаптированные для линейного режима работы. Так же, в линейном режиме могут работать и многие "старые" транзисторы, которые не были так оптимизированы для ключевого режима.

Если предполагается работа в линейном режиме, необходимо обращать внимание на область безопасной работы в документации на транзистор. Если линейный режим там не предусмотрен, то никто не может гарантировать, что транзистор будет устойчиво работать. Даже, если отдельно взятый транзистор и будет на это способен.
__________________
Геннадий

Последний раз редактировалось genao; 30.12.2019 в 11:57.
genao вне форума  
Эти 2 пользователя(ей) сказали Спасибо genao за это сообщение:
bordodynov (30.12.2019), Yuri222 (30.12.2019)