Симулятор LTspice XVII

[bordodynov]

А разве это не конечная цель моделирования?) Я догадываюсь, что это проблема высокого уровня сложности, ничего не требую и не ожидаю. Просто пробой БТ (и ПТ) насколько я в курсе нигде не используется.

Лавинный пробой используется для формирования импульсов. Я использовал (и многие другие) релаксатор на транзисторе КТ315 во вполне конкретной схеме. Эта схема работала несколько лет без выхода из строя. Дальнейшая судьба схемы мне просто не известна. Другие люди использовали другие транзисторы. Для генерации используют и инверсный режим. В модели транзистора использовалась величина пробивного напряжения коллектор-база 700 В. Это не значит, что при работе транзистора нет лавинного размножения носителей при меньших напряжениях! Я как раз рассмотрел это. Я показал, что при больших напряжениях необходимо использовать отрицательное напряжения для закрывания транзистора, как и рекомендуют изготовители транзистора.

[zoog]

А ещё транзисторы можно использовать как толкатели кнопочек)

. Это не значит, что при работе транзистора нет лавинного размножения носителей при меньших напряжениях!

Ударное размножение может и есть, но лавинное - это неконтролируемое нарастание.

Я показал, что при больших напряжениях необходимо использовать отрицательное напряжения для закрывания транзистора, как и рекомендуют изготовители транзистора.

Практическая ценность этого на постоянном токе имхо околонулевая, а для улючевания нужно ещё много чего.
Не воспринимайте критику как негатив, я лишь хочу прояснить цели и применимость Вашех контрибуций.

[bordodynov]

Ударное размножение может и есть, но лавинное - это неконтролируемое нарастание.

Вы путаете со снежной лавиной. В транзисторе есть коэффициент лавинного размножения. Этот коэффициент зависит от напряжения на переходе. Чем больше напряжение тем больше коэффициент.
Ну не нравится моя модель, не используйте. А зачем тогда моделирования. Я считаю, что чем больше эффектов моделируется тем точнее моделирование. И причём здесь постоянный ток. Я же моделировал импульсное управление.

[zoog]

Да, забыл физику, Вы правы)

И причём здесь постоянный ток. Я же моделировал импульсное управление.

Я немного не понял Ваше

при больших напряжениях необходимо использовать отрицательное напряжения для закрывания транзистора

и картинки, имхо корректно было бы написать "для коммутации", чтоб не спутать со статическими режимами. Там у Вас ток коллектора ограничен H21э что ли??
Кстати, какой Вы вывод сделали из этого сравнения? насколько изменится картинка при идеальном источнике вх. сигнала?

[bordodynov]

Да, забыл физику, Вы правы)


Я немного не понял Ваше

и картинки, имхо корректно было бы написать "для коммутации", чтоб не спутать со статическими режимами. Там у Вас ток коллектора ограничен H21э что ли??
Кстати, какой Вы вывод сделали из этого сравнения? насколько изменится картинка при идеальном источнике вх. сигнала?

Ток коллектора ограничен усилением по току транзистора. Вот я сформировал сигналы по разному. Нижняя схема это имитация транзисторного драйвера.

[zoog]

А что такое Ix, U1:C ?

[bordodynov]

А что такок Ix, U1:C ?

Это ток подсхемы с обозначении на схеме U1 через вывод с именем C. Иными словами это ток коллектора транзистора, модель которого описана с помощью subckt. Обычно название элемента с моделью, описанной подсхемой (subckt) начинается с буквы U. Но можно дать и любое другое имя.
Например Q1 а второй транзистор Q2. Тогда ток будет Ix(Q1:C).

[ForcePoint]

Bordodynov, моделируете ли худшие случаи (worst case) и как?
Что скажете, к примеру, о такой оптимизированной методике - https://k6jca.blogspot.com/2012/07/monte-carlo-and-worst-case-circuit.html? См. "Optimized Worst-case Analysis (This section added 29 May 2020)".

[bordodynov]

Bordodynov, моделируете ли худшие случаи (worst case) и как?
Что скажете, к примеру, о такой оптимизированной методике - https://k6jca.blogspot.com/2012/07/monte-carlo-and-worst-case-circuit.html? См. "Optimized Worst-case Analysis (This section added 29 May 2020)".

Методика мне знакома. Можете скачать мои примеры с моей веб-странички http://bordodynov.ltwiki.org/ .
Эти методы хороши когда единичный расчёт кОроток. Например для малосигнального анализа (AC) или анализа по постоянному току (DC) или поиск рабочей точки (OP). Либо когда маленькая схема. Я использовал эти методы при проектировании фильтров.
Я приведу пример смешанного моделирования MC и WC. В примерах вычисляются разность напряжений на мосту с терморезистором при разных температурах. Формула для сопротивления терморезистора использует температуру Кельвина (короче формула). Используется две команды Step. Какая раньше введена такая выполняется первой. Рассмотрены оба случая.

[bordodynov]

Ещё один вариант - использование распределения Гаусса, а именно функции Gauss(so), so - относительная сигма. Для реальной сигма эту величину нужно умножить на номинальное значение параметра. Взята простейшая RC-цепочка. Сделано 1001 случайных попыток.