Симулятор LTspice XVII

[maximus]

Алексей_П, CD4017 допускает питание до 18В. Почему бы не подать 10В от -5 до +5?
Схема управляет аналоговыми ключами, мне удобнее, чтобы лог. 0 был в районе -5В.

bordodynov
Хотелось бы на VSS -5в. Нужен лог.0=-5В.
Где вторая библиотека? Там можно это сделать? Или модель связана с глобальной землей?

[bordodynov]

maximus,
я обнаружил недостаток моделей для вашего экзотического питания. На домашнем компьютере я исправил это и завтра обновлю библиотеки на Яндекс Диске.

[bordodynov]

Я обновил модели логики. Также добавлены новые модели в файл LTspiceXVII_2019Jan29.zip после обновления версии 17.1.6.

[maximus]

Скачал и установил библиотеку, но так и не понял, как подключить отрицательное питание. Символы не изменились, дата их изменения 2017-2018г.

[bordodynov]

maximus,
я же всё показал. В символе указано куда подключены пины питания: VDD VSS (смотрите скрин). Напряжение питания указано VCC=10. Смотрите на временную диаграмму. На ней низкий уровень -5 В, а высокий +5 В. Хотя в схеме ошибки - неправильные сигналы заданы для ноликов. Нужно подать на входы с источника VSS, а не общий. Прошу прощения за ошибку.

[ForcePoint]

Bododynov, наверное, уже делал такую модельку.
Разряд ёмкости человека (Human Body Model), заряженной до 2, 4, 6 и 8 кВ на затвор силового MOSFET'а.
Комментарии излишни?

[bordodynov]

ForcePoint,
для того, что бы получить конечное напряжение на затворе достаточно использовать закон сохранения общего заряда. Заряд со 100 пф распределяется на общей ёмкости 3100 пФ. Т.е. не надо никакого spice, что бы найти конечное напряжение. Оно в 31 раз меньше напряжения заряженного напряжения 100 пФ. V0=Q/C1 и Vк=Q/(C1+C2)=Q/C1*(C1/(C1+C2))=V0*C1/(C1+C2). постоянная времени человека 100pF*1.5k=150n. Процесс перезаряда практически завершится через 7 ТАУ, а это примерно 1 мсек. Для пробоя достаточно не более 100 В. При толщине подзатворного окисла 0.1 мкм пробивное окисла примерно 90 В. Я знаю это потому, что занимался конструированием КМОП микросхем и у нас окисел был именно такой толщины. Но это качественный окисел по планарной технологии. Большинство мощных транзисторов имеют структуру VDMOS и пробивное у них ниже. Можно рассчитывать на 40 В (технологический запас). И чтобы пробить транзистор достаточно 1300 В.
Обычно при работе с МОП транзисторами ситуация лучше - нет такого большого напряжения и 100 пФ. Производители выпускают транзисторы со встроенными стабилитронами. Особенно это касается маломощных транзисторов с малой ёмкостью.
По поводу пробоя статикой. У нас на производстве при изготовлении маломощных драйверов лазера пробивался эмиттерный переход биполярного транзистора BC847C. Технологи просили, что нибудь попрочнее. Я нашёл супер-бета транзистор с пробивным эмиттерного перехода более 25 В, но он стоил в 6 раз дороже. Проблема исчезла сама собой. До этого случая и после таких проблем не было.

[catBot]

Добрый день!

Как можно из имеющейся в библиотеке модели транзистора КТ361Г сделать модель КТ361Д?
Как из КТ313Б получить КТ313В, из КТ315А получить КТ315И?
Кроме того, ищу модели КТ626В и КТ807Б.

Заранее - спасибо!

[bordodynov]

catBot,
Такой методики нет.
Обычно импортные модели из одного семейства отличаются параметром BF. Но учтите этот параметр не есть коэффициент усиления транзистора Бета статическое. Я уже про это писал на форуме. Ко всему прочему есть неприятный момент - усиление транзистора зависит от тока и напряжения. Второй неприятный момент это разброс параметров. В импортных моделях параметры для типового случая. Одни и теже транзисторы разных производителей имеют разные Spice параметры. У меня есть пример 7 моделей одного транзистора и я сравниваю их зависимости усиление от тока. Есть ещё факты. Транзисторы могут быть практически одинаковы, но иметь разные пробивные. В отличие от других программ LTspice имеет продвинутые модели биполярных транзисторов, имеющие параметры пробоя переходов.
КТ361Д почти такой же как КТ361А, но более высоковольтный имеет чуть меньшую ёмкость коллектора и в два раза меньшую величину rb`Cк. Эта постоянная влияет на максимальную частоту генерации. Чем меньше тем лучше. Это корректируется параметром XCJC. Есть очень хорошая возможность изменять параметры транзисторов с помощью AKO:. Так можно варьировать параметр усиления BF.
Вот пример:
.model kt361g pnp bf=450 br=5 is=400f rb=100 rbm=10 irb=50u rc=10 ikf=70m xti=3 xtb=1.5 xtf=1.1 vaf=70 itf=40m vtf=75 cje=20p xcjc=0.5 cjc=15p tf=0.3n tr=25n vjc=.7 mjc=.33 mje=.33 vje=.5 xcjc=0.15 ne=2 ise=315p nc=2 isc=600p Vceo=35 Icrating=100m mfg=USSR
.model kt361d ako: kt361g BF=100 XCJC=0.075 BVbe=4 BVcbo=45
параметр BF надо подбирать. Для этого строится схема для измерения зависимости усиления от тока и подбирается величина, удовлетворяющая техническим характеристикам. Учтите, что эта зависимость определяет не только Bf, но ещё 5 параметров. Я делая новые модели подбираю все эти параметры. Это не просто и требует времени. Если вам интересно делайте новые модели. В моём большом файле LTspiceXVII_2019Jan29.zip есть папка Example, а в ней папка Bordodynov. В ней много примеров. В том числе как строятся различные характеристики транзисторов. Обычно эти примеры игнорируются, но там много полезного. Учитесь. Читайте помощь. Я вас всему научить не могу, но направление я вам дал.

[ForcePoint]

Заряд со 100 пф распределяется на общей ёмкости 3100 пФ.

Спасибо. Я округлённо сосчитал как 0,1 нФ / 3 нФ ~ 0,0(3). Для верхней границы - сойдёт.

Как можно из имеющейся в библиотеке модели транзистора ХХХ сделать модель УУУ?

См. ссылки в этом сообщении.