Proteus общие вопросы

[NikMih_1]

Так аналоговая и требуется.

Юноша, я не буду за Вас курсовую работу делать, ищите в области
блокинг -генераторов, феррит-транзисторных ячеек, даже схему строчной или кадровой развертки старого телевизора можно посмотреть. Плавный процесс это просто заряд - разряд конденсатора, постоянные времени разные, заряд через транзистор, разряд через резистор. Дерзайте.

[ZhilDV]

Так я не про схему спрашиваю! Я спрашиваю возможно ли такой сигнал описать с помощью встроенного генератора? Используя Easy HDL, например.

Зачем мне схемы рисовать! Да и не юноша я уж совсем. Не до курсовых мне уже давно!!!! Это практика, уважаемый!!!

[NikMih_1]

Да и не юноша я уж совсем. Не до курсовых мне уже давно!!!! Это практика, уважаемый!!!

Ну вот, договорились. Прошу прощения. Не собирался Вас обижать, просто много тут вопросов именно от ленивых студиозусов. Easy HDL долго мучить придётся, эту дрожалку описывать сложно, а затухающих син колебаний, как отдельного модуля, я не видел. Если бы можно было перемножать сигналы отдельных генераторов, то проблем бы не было.

[Halex07]

Я спрашиваю возможно ли такой сигнал описать с помощью встроенного генератора? Используя Easy HDL, например.

Так, пока NikMih "жжет" ... запас своих полевиков, попробую ответить.
Учитывая, что частота у Вас небольшая, то можно попробовать. Правда, приложенная Вами осциллограмма несколько "слепая". Неплохо было бы разглядеть высокочастотный колебательный процесс поподробнее (вширь). Судя по картинке - проблема передачи импульса по длинной линии. А в железе согласовать не пробовали? Выделить нечто полезное из этой требухи с помощью АЦП, да еще и описать ее математически, мда уж. Хотя бы исходный импульс с уровнями и времянками еще покажите, тогда сообща подумаем, как с помощью EasyHDL накарябать нечто похожее.

[NikMih_1]

Неплохо было бы разглядеть высокочастотный колебательный процесс поподробнее (вширь).

Зачем его разглядывать? Это типовой звон переключения, простая синусоида умноженная на экспоненту (огибающая экспоненциальная). Достаточно получить от автора вопроса частоту звона и постоянные времени роста и затухания синуса. Дерзайте, а полевики я пока не жгу, симуляцией занимаюсь чтоб не жечь.

[NikMih_1]

Теорию гоните неправильную. Рассуждений много, толку - нуль.

Не нашёл другого способа продлить обсуждение моего вопроса как ответить на Вашу мессагу. Убедился, что Протеус не хочет моделировать токи половых транзисторов большие 6А. Мало того, он не учитывает паразитные емкости половых транзисторов. Очень у меня красивая картинка токов и напряжений была в схеме, которую я представлял на суд общественности. Воткнул паразитные ёмкости из даташита BUZ20 и всё встало на свои места, красота исчезла, но работает похоже на правду. Прицепляю схему с паразитами.
Понимаю, нужны ещё доказательства. Прицепляю примитивную тестовую цепь, где у полового транзистора вообще нет входного, емкостного тока.

[Halex07]

Так их, этих мальчишек из Беркли... Понапридумывали тут понимаешь спайсов-писпайсов... "Жги" дальше, NikMih... Осталось объяснить различия в графиках на картинке и "нобелевка" в кармане.
Ну можно с тоски вот сюда:
https://kazus.ru/forums/showthread.php?t=13198&page=7
заглянуть в п.4.16. Правда этой инфе уже больше года, так что в свете ваших "новых открытий" она безнадежно устарела. Еще рекомендую поразмыслить над тем, что выделено на картинке 2 в свойствах BUZ20, сравнить со свойствами BUK453, IRF9530 ну и с другими Schematic моделями MOSFETов, которые Вы пихали в свою схему можно до кучи добавить IRF530,130 и т.д.
Теперь глянем на MDF, из которого они берут параметры:

LISA MODEL DESCRIPTION FORMAT 4.5
=================================
Design:   D:\PRODEV\LIBS\FET\models.DSN
Doc. no.: ‹NONE›
Revision: ‹NONE›
Author:   ‹NONE›
Created:  09-Dec-91
Modified: 17/11/98

*PROPERTIES,0    

*MODELDEFS,5    
LX_JFET_SSN : VTO=-1,BETA=10m,LAMBDA=100u,RD=20,IS=1n,CJS=5p,CJD=1p
LX_JFET_SSP : VTO=-2,BETA=5m,LAMBDA=100u,RD=20,IS=1n,CJS=10p,CJD=2p
LX_MFET_PWN : THREEPIN=TRUE,VTO=2,BETA=500m,LAMBDA=100u,GAMMA=0.  1,RD=0.2,IS=10n,CJS=50p,CJD=10p,CGS=100p,CGD=80p
LX_MFET_PWP : THREEPIN=TRUE,VTO=-2,BETA=400m,LAMBDA=100u,GAMMA=0.1,RD=0.2,IS=5n,CJS  =50p,CJD=10p,CGS=100p,CGD=80p
LX_MFET_SSN : THREEPIN=TRUE,VTO=2,BETA=10m,LAMBDA=100u,GAMMA=0.1  ,RD=1,IS=5n,CJS=1p,CJD=0p1,CGS=10p,CGD=10p

*PARTLIST,0    

*NETLIST,0
*GATES,0

Строки LX_MFET_PWN и LX_MFET_PWP никаких мрачных мыслей не навевают? А параметры CGS=100p,CGD=80p в конце этих строк, которые у Вас во всех случаях были одни и те же? Кстати, вот именно к ним Вы и пришлепали свои "внешние емкости" в модифицированном, пардон, "модернизированном" проекте. Иногда, все же прежде чем выПИСАТЬСЯ полезно сначала вычитаться.

[NikMih_1]

Уважаемый HALEX07 Вам бы тоже вчитаться не вредно было. В посте 1730 мной прицеплена тестовая схема, вернее там их две: одна без навесных конденсаторов, вторая с ними. Я не дал граф для той, что без навесок, сейчас исправлю оплошность и Вы увидите, что постоянные времени переключения откровенно нулевые - паразитные конденсаторы модели не учитываются при расчете: потенциал затвора транзистора повторяет входное напряжение. Почему? не знаю и спрашиваю совета опытных.
Прошу прощения, уберите сами из левой схемы надписи 26,2 nsec. Не убрал по ошибке.

[NikMih_1]

Пользуясь тем, что мне никто не отвечает....
Дополняю пост тем, что если заменить в схеме без навесок резистор в затворе на номинал 10кОМ, разницы никакой не будет, по сравнению
со 100 ОМ. Это ли не свидетельство того, что несмотря на то, что паразитные ёмкости прописаны в модели (во что Вы с удовольствием тыкали меня носом), они не учитываются в расчете.
Вот пара irf7105 симулируется правильно. Для неё существует СХЕМАТИК Модель. Как бы узнать, в чем отличие, для BUZ20 существует SPICE Model, которая не симулируется как я указал выше.

[7Fantomas7]

Доброе время всем.
Помогите с микросхемкой ADM485 для ISISа нужна симулируемая.
Дюже нада.