Симулятор LTspice IV

[12943]

У меня и в ЛТС и в Микрокап ВАХ получаются в виде двух отрезков прямых линий.
Как у вас получается сделать так красиво, ещё и участок квазинасыщения у 940-го?

[letter]

В предлагаемой Вами схеме режекция очень узкополосна. То, что мне подошло бы я изобразил зелёными точками на графике в моём предыдущем посте.

[bordodynov]

У меня и в ЛТС и в Микрокап ВАХ получаются в виде двух отрезков прямых линий.
Как у вас получается сделать так красиво, ещё и участок квазинасыщения у 940-го?

Список моделей биполярного транзистора расширен дополнительными параметрами: несколько параметров для моделирования квази-насыщенного режима, параметры пробивных напряжений эмиттерного и коллекторного (и коллектор-эмиттерного) напряжения. Обычно фирма Zetex (тепер поглощена Diodes) использовала параметры квази-насыщения.
Модель KT940A делал я сам. Эту модель я делал когда был только LTspiceIV.
.model KT940A npn bf=150 is=400f vaf=200 ikf=60m xtb=1.5 br=1 cjc=24p vjc=.75 mjc=.5 fc=.5 cje=50p vje=.75 mje=.33 tr=50n tf=2.5n itf=50m vtf=10 xtf=2 xti=3 eg=1.11 isc=10f nc=2 ise=700p ne=2 rb=30 rbm=3 irb=.1m rc=3 rco=60 Vo=7 GAMMA=1E-6 QCO=1E-11 Vceo=300 Icrating=100m mfg=USSR
В Микрокапе используется простая модель транзистора и этот участок игнорируется. Это не страшно, главное дать побольше тока базы при работе в ключевом режиме. Тогда в высокоомной эпитаксиальной области будет достаточно носителей заряда и сопротивление этой обрасти упадёт. Этот участок актуален для высоковольтных транзисторов. Я ещё сделал несколько подобных моделей. Например:
.model KT872A npn Is=10p bf=55 vaf=600 ikf=1.2 nk=612m br=0.1 var=50 ikr=5 bvbe=7 ibvbe=10mA ise=5n ne=2 isc=3.3u nc=4 rb=1 irb=150m rbm=20m rc=50m re=10m cjc=550p vjc=0.90 mjc=0.28 cje=4.7n vje=0.68 mje=0.33 fc=0.56 tf=14n itf=1 vtf=13.7 xtf=5.46 tr=1u gamma=30u qco=90n rco=2 vo=1k BVcbo=1500 nBVcbo=2. mfg=USSR

[12943]

Какие именно параметры в модели обеспечивают гладкое сопряжение участков
насыщения и активного режима?
Мне это нужно для более адекватного моделирования выхода транзистора из насыщения под глубокой ООС.

[bordodynov]

rc=3 rco=60 Vo=7 GAMMA=1E-6 QCO=1E-11 для высоковольтных транзисторов определяют область насыщения и квазинасыщения. Для низковольтных транзисторов достаточно первого параметра. Время выхода из насыщения определяются tr, а также влияют коэффициенты, определяющие прямой и инверсный коэффициент усиления, это параметры BF и BR.
Чёткой границы между активным и насыщенным режимом нет. И зависимость определятся ВАХ коллектора и эмиттера и коэффициентами усиления. Какие транзисторы вы рассматриваете?

[12943]

2SA1380/2SC3502, A1145/C2705, A1930/C5171, A1943/C5200 или аналогичные.
Понятно, что резкой границы нет, поэтому и не устраивает то, что даёт обычная модель.

[bordodynov]

2SA1380/2SC3502, A1145/C2705, A1930/C5171, A1943/C5200 или аналогичные.
Понятно, что резкой границы нет, поэтому и не устраивает то, что даёт обычная модель.

Я понял. Можно уточнить модели добавив область квазинасыщения если есть семейства характеристик напряжения насыщения от тока базы и и фиксированных токов коллектора. Я посмотрю, что есть на эти транзисторы.

[bordodynov]

Вот проба пера:

[12943]

Спасибо, забрал.

[bordodynov]

Спасибо, забрал.

К сожалению я не знаю, какой заряд накапливается в высокоомной области. За него отвечает параметр QCO. Т.е. статические характеристики моделирует нормально, но динамические (выключение) не совсем. Я поставил минимальное значение, которое встретил в моделях. Хотя Zetex для своих моделей не использовала этот параметр. В моей библиотеке есть несколько транзисторов с этим параметром и достаточно большим этим коэффициентом. Нужны натурные эксперименты для определения QCO.