ТОЭ2

[genao]

по этой утрированной схеме выходной сигнал не проходит через rб, но в транзисторе по отношению к источнику питания rб, rк, rэ подключены последовательно, странновато как то???

Когда транзистор не заперт и находится в активном режиме, обеспеченном выбором рабочей точки напряжением смещения, ток базы всегда втекает в базу, и ток коллектора не проходит через rб.
Строго в соответствии с

И почемуто вспомнился резистивный мост...

В утрированной схеме приблизительное значение Rкэ=Uкэ/Iк, определяемое Iк=Iб*h21э

Что касается объемных сопротивлений областей базы, эмиттера, коллектора то они подключены последовательно с выводами транзистора. Внизу не нарисовано последовательное объемное сопротивление коллектора.

А то что вы нарисовали rk параллельно источнику тока это дифференциальное сопротивление запертого перехода КБ, которое учитывают в малосигнальной схеме замещения транзистора.

[sxemak]

Когда транзистор не заперт и находится в активном режиме, обеспеченном выбором рабочей точки напряжением смещения, ток базы всегда втекает в базу, и ток коллектора не проходит через rб.
Вложение 152503
Что касается объемных сопротивлений областей базы и эмиттера, то они
Вложение 152506

Я опишу процесс на низком уровне который вы все мне преподносили, электроны инжектируемые из эмиттера проходя через базу часть их рекомбенируется а большая часть проходит в коллектор... Так вот проходя через базу это что, не сопротивление базы rб??? А если это не rб, то что подразумевается тогда???

[bordodynov]

Я опишу процесс на низком уровне который вы все мне преподносили, электроны инжектируемые из эмиттера проходя через базу часть их рекомбенируется а большая часть проходит в коллектор... Так вот проходя через базу это что, не сопротивление базы rб??? А если это не rб, то что подразумевается тогда???

Для того, чтобы понять физику работы транзистора оперируют понятиями рекомбинации и инжекции. А для того, чтобы рассчитать схему эти понятия не нужны. Достаточно оперировать напряжениями и токами и усилением и т.п.
Вы бы ещё уравнения Максвелла приплели.
И вопрос. Вы поняли мой упрощённый расчёт. Если нет, то дальнейшие объяснения вам это то же, что метать бисер перед свиньёй.

[genao]

1. Генератор тока стоит в коллекторе.
а)Инжектирует в коллектор электроны Эмиттер логично что генератор тока эмиттер отсюда генератор тока надо ставить в эмиттер???
б) Зайдём с другой стороны, электроны притягивает коллектор своим полем, логично что генератор тока коллектор то да логично ставить генератор тока в коллектор???
в) Если генератор тока в коллекторе то надпись странная???
Отсюда вопрос ктооо такой генератор тока? тот кто инжектирует электроны или тот кто притягивает?

Расчёт пока отложим... Выше описанная каша важней вроде...

Вышеописанная каша это плод вашего наполнения Вашим смыслом пробела в изучении модели Эберса-Молла.
То есть Вы, пытаетесь создать свою модель транзистора Sxemak-revisions, наполнив его своим смыслом, без учета функциональных зависимостей и взаимосвязей.

Эберс и Молл наполняли модель своим смыслом.
Генератор тока, насос, стоящий в коллекторе, выхватывает электроны из базы, инжектированные туда эмиттером, и гонит коллекторную трубу.
Высосать больше электронов, чем имеется в базе он не может, потому и поток электронов практически стабильный, не зависит от разрежения в насосе, ток коллектора на пологой ветви ВАХ выходных характеристик, что свойственно генератору тока.

Генератор тока, насос стоящий в эмиттере, выхватывает электроны, инжектированные туда коллектором, и гонит его в эмиттерную трубу при инверсном включении транзистора.

[sxemak]

Для того, чтобы понять физику работы транзистора оперируют понятиями рекомбинации и инжекции. А для того, чтобы рассчитать схему эти понятия не нужны. Достаточно оперировать напряжениями и токами и усилением и т.п.
Вы бы ещё уравнения Максвелла приплели.
И вопрос. Вы поняли мой упрощённый расчёт. Если нет, то дальнейшие объяснения вам это то же, что метать бисер перед свиньёй.

Подождите, какой упрощённый расчёт, их много было?

[genao]

Так вот проходя через базу это что, не сопротивление базы rб??? А если это не rб, то что подразумевается тогда???

Тонкое тело базы. А в тело базы засандалены эмиттер и коллектор.
Току базы, требуется пройти расстояние от вывода базы через тело базы до переходов .
Это преодолеваемое расстояние по телу базы характеризуется объемным сопротивлением rб. Это сопротивление сильно зависит от тока базы

Для уменьшения rб, в мощных транзисторах делают от вывода базы два соединения к телу базы в разных местах.

[sxemak]

Тонкое тело базы. А в тело базы засандалены эмиттер и коллектор.
Току базы, требуется пройти расстояние от вывода базы через тело базы до переходов .
Это преодолеваемое расстояние по телу базы характеризуется объемным сопротивлением rб. Это сопротивление сильно зависит от тока базы
Вложение 152513
Для уменьшения rб, в мощных транзисторах делают от вывода базы два соединения к телу базы в разных местах.

Так и я об том и спрашивал если все сопротивления базы, коллектора и эмиттера последовательно соеденины а в утрированной схеме rб не последовательно, не стыковка однако???

[genao]

Так и я об том и спрашивал если все сопротивления базы, коллектора и эмиттера последовательно соеденины а в утрированной схеме rб не последовательно, не стыковка однако???

Вы путаете активную базу. Нестыковки нет, а есть стыковка активной части базы B'--B" и объемной части базы.
В утрированной схеме последовательное сопротивление активной базы входит в Rкэ.
А сопротивление rб объемной части базы оно как ответвление, пристыкованное к активной базе, от вывода базы B до зоны B'--B"

Току базы, требуется пройти расстояние от вывода базы через тело базы до переходов .
Это преодолеваемое расстояние по телу базы характеризуется объемным сопротивлением rб.

[bordodynov]

Подождите, какой упрощённый расчёт, их много было?

Упрощённый расчёт пост #58.

[sxemak]

Когда транзистор не заперт и находится в активном режиме, обеспеченном выбором рабочей точки напряжением смещения, ток базы всегда втекает в базу, и ток коллектора не проходит через rб.

Что касается объемных сопротивлений областей базы, эмиттера, коллектора то они подключены последовательно.

Вот эти два сообщения противоречат друг другу...
Входной сигнал идёт путём Вход-Б-Э-Вход...
Поскольку сопротивления в транзисторе последовательны то выходной сигнал идёт путём Э-Б-К-источник питания-Э.... НУ как в таком контуре выходной сигнал может мимо базы пройти если база находится физически между эмиттером и коллектором???