Степень нагрева транзисторов - Страница 3

lisergin_ · 16.03.2007, 13:12

Могу посоветовать, ну, для того чтоб на свои места все встало обратиться к книге Семенова "силовая электроника для любителей и профессионалов". В свое время очень помогла мне, там более-менее человеческим языком описаны расчеты мощности теряемой на транзисторах, и расчеты размеров радиаторов в зависимости от всяких тепловых сопротивлений. Книга есть в сети, пройдитесь гуглями, ссылку видел, вроде на infoseti.ru.
Удачи!

sanitar249 · 16.03.2007, 13:20

Сообщение от EVGENIY1962

Трансформатор штука хорошая,если он широкополосный.
По поводу температуры вы меня не поняли:автор пишет,что транзисторы сильно греются.Вопрос в том,что он считает сильным нагревом.0.5Вт + нагрев во время переключения тоже неплохая грелка.

Трансформатор,естественно широкополосный (на феррите) И про нагрев: 0.5 Вт это при 100% заполнении, реально при 3Х фазном мосте 0.5/3=0.166... Вт (и опять же при 100% заполнении по фазе, при реальном формировании синусоидальной огибающей тока через обмотку эта величина % на 15-50 меньше)остальное тепло выделяется на фронтах(спадах).Тем более, ток доходит до 1 А(предельный)только при максимуме синусоидальной огибающей формируемого тока.

lehers · 16.03.2007, 13:24

Как советовал наимудрейший Валерий:
радиатор должен быть не сильно маленьким. Понятно, что транзисторы рассеивают небольшую мощность, но! не забывайте о том, что сопротивление открытого канала зависит от температуры, поэтому нужно чтобы температура не подымалась высоко, иначе цепная реакция - замкнутый круг: растет температура это приводит к росту сопротивления, а это к большей выделяемой мощности и следоватьльно греется сильнее, далее закольцовка.

и ещё, если транзисторы включены в параллель:
обязательно нужно ставить в цепи затвора для каждого транзистора свой резистор или одевать на вывод затвора ферритовую трубочку, иначе транзисторы будут влиять друг на друга и в итоге окажутся либо неуправляемыми, либо просто будут очень сильно греться (что намного хуже, т к причину этого обнаружить нелегко, не зная вышесказанного).

EVGENIY1962 · 16.03.2007, 13:47

Замечание по поводу тепловой ОС весьма разумно.
Но я еще раз хочу задать вопрос,на этот раз без всяких 0.5Вт и даже 0,4,что автор считает сильным нагревом???.А если на самом деле нагрев не сильный?

mikaleus · 16.03.2007, 15:37

Некоторые замечания:
1) Рассеиваемая мощность транзистора должна быть определена. Измерение температуры корпуса (с помощью термопары от тестера) и окружающего воздуха дает разность температуры и, зная тепловое сопротивление корпуса, можно рассчитать рассеиваемую транзистором мощность.
2) Следует отметить, что индуктивная нагрузка, которой и является двигатель, требует значительно большего "мертвого времени", чем для активной нагрузки.
3) Из-за того, что двигатель является индуктивной нагрузкой, следует применять параллельно подключенные транзисторам диоды в обратном включении (желательно быстрые и с по-возможности малым падением напряжения). В MOS-FET есть всегда встроенный диод, но он, как правило, очень медленный (как обычный выпрямительный).
4) Желательно использовать "снаббер" параллельно индуктивности подключенную RC цепочку. Но номиналы нужно подобрать под конкретный случай.

Ig0r0k · 16.03.2007, 16:57

Сообщение от EVGENIY1962

Замечание по поводу тепловой ОС весьма разумно.
Но я еще раз хочу задать вопрос,на этот раз без всяких 0.5Вт и даже 0,4,что автор считает сильным нагревом???.А если на самом деле нагрев не сильный?

Сильный нагрев транзисторов - это когда я об этот транзистор чуть палец не обжог

. И вообще где-то после минуты работы инвертора чувствуется легкий запах паленого.
Я то из-за этой статьи в Радиохобби (№2 2002г. с49 "Регулятор мощности переменного тока с малым уровнем помех") чего то думал что транзисторы под нагрузкой 180 Вт вообще греться не будут.

Ig0r0k · 16.03.2007, 17:10

Сообщение от mikaleus

Из-за того, что двигатель является индуктивной нагрузкой, следует применять параллельно подключенные транзисторам диоды в обратном включении (желательно быстрые и с по-возможности малым падением напряжения). В MOS-FET есть всегда встроенный диод, но он, как правило, очень медленный (как обычный выпрямительный).

Параллельно транзисторам я поставил диоды UF5408 (1000В,3А, время переключения меньше 50 нс).

Сообщение от lisergin_

Могу посоветовать, ну, для того чтоб на свои места все встало обратиться к книге Семенова "силовая электроника для любителей и профессионалов". В свое время очень помогла мне, там более-менее человеческим языком описаны расчеты мощности теряемой на транзисторах, и расчеты размеров радиаторов в зависимости от всяких тепловых сопротивлений. Книга есть в сети, пройдитесь гуглями, ссылку видел, вроде на infoseti.ru.
Удачи!

Спасибо, потихоньку начал штудировать, кое-что начало проясняться!

mikaleus · 16.03.2007, 17:45

Параллельно транзисторам Вы поставили диоды UF5408 (1000В,3А, время переключения меньше 50 нс), но прямое падение напряжения у них выше (около 1,4-1,7В при 3А), чем у внутреннего диода IRF740 (1,2В при 3А). Нужно ставить UF5404 (400В, 3А, время переключения меньше 50 нс), прямое падение у них 1,0-1,1В при 3А. Это важно, иначе диод внешний не работает!

sanitar · 16.03.2007, 17:59

Сообщение от mikaleus

Некоторые замечания:
1) Рассеиваемая мощность транзистора должна быть определена. Измерение температуры корпуса (с помощью термопары от тестера) и окружающего воздуха дает разность температуры и, зная тепловое сопротивление корпуса, можно рассчитать рассеиваемую транзистором мощность.
2) Следует отметить, что индуктивная нагрузка, которой и является двигатель, требует значительно большего "мертвого времени", чем для активной нагрузки.
3) Из-за того, что двигатель является индуктивной нагрузкой, следует применять параллельно подключенные транзисторам диоды в обратном включении (желательно быстрые и с по-возможности малым падением напряжения). В MOS-FET есть всегда встроенный диод, но он, как правило, очень медленный (как обычный выпрямительный).
4) Желательно использовать "снаббер" параллельно индуктивности подключенную RC цепочку. Но номиналы нужно подобрать под конкретный случай.

По по П.3 встроенный антипаралельный диод не медленный, а "мягкий"(не дает слишком резко закрыть транзистор и создать перенапряжение)это учтено при разработке транзистора(разрабатывают явно не дураки).
по П.4 снаббер служит для тех же целей(применение на таких мощностях(токах) нецелесообразно)
Формирование траектории открывания и закрывания ключа это компромисс между КПД и критическими параметрами транзистора, это большое искусство...

mikaleus · 16.03.2007, 19:32

По поводу "МЯГКОГО" диода в транзисторе - попробуйте провести эксперимент: затвор транзистора соедините через резистор 10к с истоком (закрыть данный транзистор), в принципе, уже как диод, можно подключить к достаточно мощному обычному трансформатору 50Гц (чтобы не убило экспериментатора) с RMS напряжением около 100 В и включите последовательно с ним лампочку на 220 В, 200В в качестве нагрузки. Ток будет около 1 А (пиковое значение). Подключите осциллограф с внешним делителем 1:10 с малой емкостью между истоком и затвором и посмотрите напряжение на затворе (на резисторе). Это очень хорошо показывает процесс включения-выключения диода.