Переделка БП apw9+

[индюк]

все эти блоки питания выдают несколько киловатт мощи. я лично чинил много раз бп на 8квт 15 вольт. были даже по 800 ампер модели. многие из них исключительно в масле работают.
и все они прекрасно держат напряжение 15 вольт во всем диапазоне нагрузок от 0 до 100%
невозможно одной частотой держать такие разные нагрузки. там на малых нагрузках вообще пропуск циклов идет.
щас не могу видюхи снять - переезжаю в новое помещение, некогда развлекухой заниматься.

щас все асики переходят на водяное охлаждение. нормальные модели без разгона жрут по 5-7 квт.
правда всетаки перешли на 3 фазное питание.
там свои приколы - диодных мостов нет - корректоры прям от 3 фаз транзисторами синус хавают.
транзисторы каскодные. 20-30 миллиом в канале при 900 вольтах. и входная емкость всего 1 нанофарад.
жуть!!

[индюк]

вот чуть похуже транзистор но тоже неплох
оттуда же
https://static.chipdip.ru/lib/274/DOC030274669.pdf

[zoog]

невозможно одной частотой держать такие разные нагрузки. там на малых нагрузках вообще пропуск циклов идет.

Вы говорили несколько иное -

резонансный режим там используется далеко не всегда (на больших нагрузках и при этом да - кпд очень высокий).
обычно тупой шим.

При малой нагрузке мультикиловаттные блоки хоть в линейном режиме могут работать - мощи хватит. 5% от 8кВт - это 50% от 800Вт...

там свои приколы - диодных мостов нет - корректоры прям от 3 фаз транзисторами синус хавают.

А с КМ при этом что?

транзисторы каскодные.

GaN что ли? А IGBT Вы составными называете?

входная емкость

В ключевых устройствах не важна)

[индюк]

Так как там ШИМ организовано?

основная оригинальная европейская микросхема с которой китайцы вобщемто лепят клоны под разным соусом - fan7688
https://www.onsemi.com/pdf/datasheet/fan7688-d.pdf

там все четко расписано, когда шим и прочие методы включаются.

[индюк]

А IGBT Вы составными называете?

читай пдф и не морочь мне голову.

UJ3C120150K3S
This SiC FET device is based on a unique ‘cascode’ circuit
configuration, in which a normally-on SiC JFET is co-packaged with a Si
MOSFET to produce a normally-off SiC FET device. The device’s
standard gate-drive characteristics allows for a true “drop-in
replacement” to Si IGBTs, Si FETs, SiC MOSFETs or Si superjunction
devices

[индюк]

В ключевых устройствах не важна)

ага. расскажи это драйверам, которые на 12 нанофарад краснеют от нагрузки на частоте 65кгц

на вот этот транзистор раскачай. они кстати в бп стоят на 8-12 квт.
https://www.sanrise-tech.com/upload/...atasheetV1.pdf

хреновый драйвер ставишь - линейный режим у полевика и взрыв. потому что на затворе пила а не прямоугольник

пипец ты знаток блин(((((

[zoog]

расскажи это драйверам, которые на 12 нанофарад краснеют от нагрузки на частоте 65кгц

Ладно, храни свои заблуждения)

читай пдф

Это не ошибка, просто их так никто не называет)

[индюк]

При малой нагрузке мультикиловаттные блоки хоть в линейном режиме могут работать

дада. еще 50герц подавать на трансформатор у которого первичка из 3 витков с палец толщиной состоит......

[индюк]

Ладно, храни свои заблуждения)

это ты осциллографу расскажи.

вот при этом транзистор уже плавится
опять же лично я снимал

[Yurko34]

это ты осциллографу расскажи.

вот при этом транзистор уже плавится
опять же лично я снимал

Хорош , тебе бы в блоке покопаться , по которому тема открыта , тонны "правды" откроешь .