В учебниках пишут наоборот. Пример.
http://ikit.edu.sfu-kras.ru/files/2/L_1.pdf
"Диффузионная емкость отражает перераспределение носителей в базе‹...›
Значение диффузионной емкости колеблется от сотен до тысяч пФ‹...›
Диффузионная емкость является причиной инерционности полупроводниковых приборов при работе в диапазоне высоких частот и в режиме ключа,
так как процесс накопления и, особенно, рассасывания объемного заряда
требует затраты определенного времени.
На низких частотах сопротивления диффузионной и барьерной ёмкостей
очень велики и они не оказывают заметного влияния на работу электронных
приборов
Диффузионная емкость значительно больше барьерной, но использовать ее для практических целей нельзя, так как она зашунтирована малым сопротивлением прямосмещенного p-n-перехода."