Подключение МОСФЕТа к микросхеме

[Yuri222]

С драйвером верхнего плеча?

Это - PFC.

по картинке потери на коммутацию составляют десятки/сотни ватт (400В х 10А х 0,5 х Тперекл/Тстат), а пишут - 0,8.

Ну, в импульсе у какого-нибудь IGBT в сварочнике и киловатты могут быть, но энергия - незначительная (время коммутации небольшое по сравнению с периодом). Поэтому размазанное по периоду в среднем может составлять несколько десятков ватт (с учетом довольно значительных потерь на открытом ключе - скажем, 15А * 1,5В = ›20 Вт).

[Yuri222]

Наверное неспроста я никогда не видел в силовой технике такой схемы.

Я читаю статьи от Компела - были не так давно презентованы драйвера для управления мошными ключами - с раздельными выходами (на включение и выключение) - у них емнип есть возможность задавать ток. Ну или как-то влиять на фронт без внешних резисторов. Но могу и ошибаться, прочитал по диагонали.

[Ан-162]

с раздельными выходами

Да, видел.
До этого "великого изобретения" все массово решали проблемы методами "из каменного века" - затворный резистор зашунтированный диодом.

[Yuri222]

Ан-162, ну да. Но смотрите, как шагнул прогресс - не нужен ни диод, ни два резистора, и токи заряда/разряда можно задавать квазипрограммно.
И всё же после прохождения плато Миллера ИМХО резистор имеет минус - ток заряда входной емкости ключа падает. Тем самым увеличивается задержка до момента, когда Rds становится минимальным. Для мелких БП это некритично. А для больших - когда пишут, что применение к-л схемы увеличивает кпд на полпроцента - при десятке киловатт это - на полсотни ватт меньше алюминия и вентилятора.

(например, у ключа при вх напряжении 5В Rds = 10 мОм, а при 10В - уже 8 мОм.)

[Yuri222]

tak, вот случайно нашел ту статью - про выход из строя ключей при низкой нагрузке.
Посмотрите там

2. Модификации конвертора

[Ан-162]

резистор имеет минус - ток заряда входной емкости ключа падает

А у кого не падает?
То, что предлагает tak, еще хуже в этом плане - после прохождения плато Миллера эквивалентная емкость затвора резко уменьшается, и с резистором напряжение начинает быстро меняться, а у него скорость изменения ограничена изначально, на входе повторителя, поэтому на прохождении плато будет чрезмерный ток (что требует быстрых и мощных транзисторов или недостаточно мощным снизит надежность), а после прохождения плато ток будет недостаточен, т.к. du/dt ограничен.
Если же сделать скорость до повторителя такой, чтоб давала высокий ток и вне плато, то на плато она будет зашкаливать просто, угрожая и внутри выводу затвора, и самим транзисторам повторителя, если силовой ток десятки-сотни ампер.
На практике помогает тот факт, что при перегрузе h21э резко падает.

[bordodynov]

Я произвёл исследования управлением транзистором с индуктивностью в истоке. Индуктивность взял в 10 раз меньшую приведённой к первичке индуктивности рассеивания. Может можно и лучше, но мне было важно увидеть эффект. Кому интересно смотрите: https://kazus.ru/forums/showthread.php?p=1341932#2146

[индюк]

Ан-162, ну да. Но смотрите, как шагнул прогресс - не нужен ни диод, ни два резистора, и токи заряда/разряда можно задавать квазипрограммно.
И всё же после прохождения плато Миллера ИМХО резистор имеет минус - ток заряда входной емкости ключа падает. Тем самым увеличивается задержка до момента, когда Rds становится минимальным. Для мелких БП это некритично. А для больших - когда пишут, что применение к-л схемы увеличивает кпд на полпроцента - при десятке киловатт это - на полсотни ватт меньше алюминия и вентилятора.

(например, у ключа при вх напряжении 5В Rds = 10 мОм, а при 10В - уже 8 мОм.)

Мощные бп лучше резонансные делать
Там этих проблем просто нету

[NewWriter]

Я произвёл исследования

Ну теперь пишите диссертацию и рассылайте статьи в Скопус и Веб-оф-сайнс.
Блин, как же такая тема до этого тут существовала без исследований Бордонынова? )) Наверно, он всё это время исследования проводил, хаха.

[zoog]

Дополнительные плюшки:

В случае с БТ - затвор тянется к земле не через 2..3*Uбэ, сравнимых с Ugsth.

Ну так в том даташите и есть график Ciss - около 2500 пФ при нуле на входе. Я же взял 1700 - нечто среднее, при бОльшем напряжении.

Эта ёмкость зависит и от Ugs. Потому её и не рекомендуют использовать.

увеличении напряжения на затворе - растет крутизна транзистора

Это ненормируемая зависимость, зачем так сложно? Вы про "напряжение плато / ток, при котором начинает меняться Uстока"?

А чтобы быстро переключиться (и вообще - смочь переключиться) при малой нагрузке - нужно уже более высокое напряжение на затворе.

В смысле - большой (мощной) нагрузке, с малым сопротивлением?

Это - PFC.

Таогда ему без разницы просадки/импульсы на истоке.

Ну, в импульсе у какого-нибудь IGBT в сварочнике и киловатты могут быть, но энергия - незначительная (время коммутации небольшое по сравнению с периодом). Поэтому размазанное по периоду в среднем может составлять несколько десятков ватт (с учетом довольно значительных потерь на открытом ключе - скажем, 15А * 1,5В = ›20 Вт).

В теории - да, но там Tr 6мкс, чтоб получить 0,8Вт, частота переключения д.б. 33Гц...

Но смотрите, как шагнул прогресс - не нужен ни диод, ни два резистора, и токи заряда/разряда можно задавать квазипрограммно.

Прямо как в дискретной схемотехнике 1960х годов)

ток заряда входной емкости ключа падает. Тем самым увеличивается задержка до момента, когда Rds становится минимальным.

При типовых значениях (питание 12В, плато 4..5В) - падение тока незначительно, ведь уже при 6..7В Rdson достигает практического минимума.