Симулятор LTspice XVII

[letter]

Bordodinov как Вы оцениваете SIMetrix ?

[bordodynov]

letter,
он ограничен по количеству элементов в схеме. Полная версия без ограничений стоит денег.
А так он рассчитывает модели без проблем. Особенно это относится к моделям операционников от Microchip. Эти операционники самые дешёвые. Я их использую в своих разработках. Поэтому мне пришлось адаптировать модели к LTspice. Переделанную модель и исходную я рассчитывал в SIMetrix и сравнивал результаты моделирования.
SIMetrix не spice программа, хотя поддерживает spice синтаксис. Алгоритмы расчёта свои.

[vrybel]

SIMetrix. Можно и без ограничений.

[LTSCon]

Случился большой крах. LTSpise 24.0.9 стал работать неадекватно, все, сделанные мной компоненты библиотеки, перестали работать, все прочие работают. Переустановил LTSpice. Перед переустановкой очистил все каталоги Юзер. После переустановки все библиотеки (в том числе мои компоненты) сами по себе оказались на прежних местах с тем же результатом - не работают. Еще раз переустановил LTSpice, после чего рухнул Windows без возможности восстановления.
Чтобы это значило? Кто-то сталкивался?

[catBot]

Обратился к авторам транзисторов VL035DN и VL035DP, имеются ли у них SPICE-модели.
Ответа (пока) не получил.

Кто-нибудь пробовал их моделировать?

Заранее - спасибо!

PS
Ответили, что моделей нет.
По каким подробностям (площадь переходов, их форма, и тому подобное) можно было бы построить модель? О чём следует их спросить? Вдруг это не секрет...

[LTSCon]

catBot , я не великий спец в моделировании в LTspice, но попробую помочь. Глянул даташиты. Параметров мало, кое что можно выудить из графиков.
Однако, я бы задался вопросом, а какие параметры конечной схемы я хочу проверить моделированием и с какой точностью? А после этого я бы заменил транзисторы на аналоги и посмотрел, что дает моделирование. Внутренний диод тоже заменил на аналог. Для меня главная проблема - как искать аналоги, для которых есть модели в LTspise (см. мои первые посты в этой ветке). В вавшем случае совсем не обязательно моделировать на близком аналоге. В ваших даташитах нет емкостей и времен, точность моделирования динамики будет никакая. А со статикой все намного проще, может и моделирование не понадобится.
Я сам, прежде чем моделировать свою целевую схему, делал моделирование транзисторов с минимальной обвязкой, чтобы понять, как работают модели. Так вот, в таких опытах с моделями из LTspise, я обратил внимание, что модель может не верно описывать поведение транзистора, например при пробое высоким напряжением и т.п. (для себя сделал вывод, что если есть грубые отклонения от ожидаемых результатов, то надо поэлементно проверять работу моделей). Как тут быть и насколько точны модели в LTspice - отдельный вопрос. Поэтому повторюсь, на мой взгляд, надо понять какие параметры целевой схемы вы хотите проверить моделированием и, исходя из этого подбирать аналоги.
Если помог - хорошо. Или дождитесь, что подскажут Гуру.

[vrybel]

Сделайте примитивную модель, на основе даташита. Например, в программе мультим есть такая возможность.

[bordodynov]

catBot
возьмите за основу модель 2SC6145-Y_kq. Постройте тестовые схемы для ВАХ, усиление по току и Ft от тока. Я неоднократно выкладывал примеры. Образцы тестов есть в папке example/bordodynov. Шевелите параметрами и добивайтесь приближения к datasheet. К окончательной модели в виде subckt добавьте диод.

[catBot]

Меня в этих транзисторах заинтересовала высокая граничная частота, что, по моему мнению, позволило бы расширить полосу и глубину ООС в УНЧ.

А вообще - я не понимаю, как они могли заказать производство транзисторов, не имея ТЗ и модели того, что хотят получить?!
Где-то мелькали сообщения, что эти транзисторы повторяют какую-то Philips'овскую (кажется) технологию с кольцевой формой электродов. Подробности не помню, так как не специалист. Что-то вроде "SIRT", или как-то похоже.

Тут нашёл обсуждение моделей 2SC6145-Y_kq и 2SA2223-Y_kq:

Нажмите, чтобы открыть спойлер

.model 2SC6145-Y_kq NPN ; Revision 3 by keantoken - March 1 2019
+ Bf=93 Br=8 Re=8m Rc=16m
+ Rb=4 Rbm=0 Irb=0.3 Vaf=1000
+ Is=5p Ise=200f Ikf=200 Nk=1.9
+ Rco=0.68 Gamma=255n Vo=100 quasimod=1 Qco=100p
+ Tf=2.45n Cje=9.7n Cjc=880p Vje=0.68 Mjc=0.48 Fc=0.9
+ Xtf=30 Itf=15 Vtf=0.95 Xtb=0.9 Eg=1.16
+ Vceo=230 Icrating=15A mfg=Sanken
.model 2SA2223-Y_kq PNP ; Revision 3 by keantoken - March 1 2019
+ Bf=99 Br=8 Re=10m Rc=18m
+ Rb=2.38 Rbm=0 Irb=0.9 Vaf=500
+ Is=3.5p Ise=50f Ikf=3 Nk=0.15
+ Rco=395m gamma=14n Vo=30 quasimod=1 Qco=100p
+ Tf=3.65n Cje=8.3n Cjc=1.6n Vje=0.68 Mjc=0.48 Fc=0.9
+ Xtf=50 Itf=110 Vtf=2.6 Xtb=1.4 Eg=1.16
+ Vceo=230 Icrating=15A mfg=Sanken

[ForcePoint]

По каким подробностям (площадь переходов, их форма, и тому подобное) можно было бы построить модель?

Я уже не раз давал ссылку на мою подборку в сообщении на caxapa.ru. Там старинный документ "Definitive handbook of transistor modeling" от Intusoft, в котором достаточно подробно разъясняется, что и как происходит внутри модели и даются формулы для определения параметров модели по данным измерений (ну или "сколоть" данные с графика в datasheet). И экселевская расчётка какая-то - сам её не проверял.
Второй вариант - в книге Корделла. Но без таких подробностей, как у Intusoft: "подгоняйте такой-то параметр модели до близкого совпадения с имеющимися данными".