Добрый день, форумчане. В конце прошлого года я создавал тему:
https://kazus.ru/forums/showthread.p...%F3%EB%E8+igbt , в которой пытался разобраться(собрать и запустить) с работой силовых ключей построенных на MOSFET и IGBT транзисторах. Собрав схему(она здесь прилагается) пытаюсь её заставить работать, но пока только по очереди вылетают транзисторы модулей. Так, когда я в начале на выводы питания I=200A и Земля подаю питание от лабораторного источника 15 В, а в качестве RN устанавливаю сопротивление в 5 Ом – всё работает как задумано. Т.е. подавая на Вход 1 и Вход 2 в противофазе низкочастотные импульсы с МК на нагрузке наблюдается разнополярный ток. Но как только я перехожу на «силовое» питание у меня сразу же умирает один из транзисторов модуля. Причем умирает тихо, без выстрелов. В результате происходит закорачивание коллектора с эмиттером, либо сопротивление между этими электродами падает до 60-90 Ом! Либо может закоротиться затвор с коллектором. Я, таким образом уже вывел из строя три модуля. А они и раньше стоили много, а сейчас и подавно. Так вот кто мне сможет подсказать почему моя схема оказалась убийцей IGB-T модулей?
Konsult_2.PDF
P.S. Хотелось бы добавить. Нагрузкой является сварочный баласт. Снаббер присутствует.