Не понял?.. Если я правильно понимаю, - спад импульса, после трансформатора, характеризуется как "отрицательный подъём". Использовав его как инверсный управляющий сигнал можно управлять вторым мосфетом. Другое дело что мёртвая зона здесь явно ни к чёрту. Мож я промахнулся - поправьте.
Предлагается схема для искуственного создания мёртвой зоны при одном управляющем канале, разделяемом на два:
**************************
http://www.power-e.ru/535.php
На рис. 6 представлен изолированный драйвер управления, который
управляет и n-канальным, и p-канальным транзисторами при наличии
одного импульсного трансформатора. n-канальный MOSFET использован в
качестве верхнего ключа, в то время как p-канальный транзистор —
нижнего ключа. Транзисторы применяются в схеме с общим истоком. Эта
схема обеспечивает постоянное время задержки dead time, определяемое
разницей времени между зарядом и разрядом входной емкости.
**************************
Здесь используются два разнополярных мосфета. Прошу посоветовать подобную схему для однополярных. И, я так понимаю, на задержку во входной ёмкости, здесь реагирует биполярник а не мосфет. Если применить подобный принцип в упрощённой схеме - без биполярника, то мосфеты смогут сделать себе мёртвое время?