Нужно описание МС34063А на русском

[ALEX__A]

Это после дросселя ток был постоянным 1,5 А. А вот до него по ключам "гуляют" токи в 2..3 раза бОльшие.

В режиме накопления энергии через дроссель, согласно справочным данным, импульсный ток не может превышать двух - четырех кратного значения тока нагрузки, в зависимости от типа преобразователя. Однако конкретное значение следует определить проведя измерения, поскольку указанный параметр зависит от ряда вышеупомянутых факторов.

С уважением, Алексей.

[Falconist]

Однако конкретное значение следует определить проведя измерения, поскольку указанный параметр зависит от ряда вышеупомянутых факторов.

Совершенно верно. Так чего же Вы их не провели, а выкладываете публично результаты некорректно проведенного эксперимента?

[ALEX__A]

Совершенно верно. Так чего же Вы их не провели, а выкладываете публично результаты некорректно проведенного эксперимента?

Уважаемый Falconist!!!

Для устранения непонимания считаю необходимым пояснить следующее:

1. В сообщении от 20.40 было сказано, - "К сожалению, при практических испытаниях микросхемы с префиксом МС в режиме максимального тока работали не более 10-15 минут, после чего происходил их отказ с разрушением корпуса прибора" - здесь ключевые слова микросхемы с префиксом МС в режиме максимального тока, речь идет о микросхемах, а не об импульсном стабилизаторе в целом.

2. В сообщении от 21.13 я подтверждаю сказанное выше.

3. В сообщении от 21.54 я поясняю, что нагрузка имела резистивный характер, импульсные превышения отсутствовали. В первой части сообщения уже имеется ввиду нагрузка понижающего преобразователя - резистивная, импульсные превышения, в контексте сказанного Вами, относятся к ключевому транзистору микросхемы.

Таким образом, в сообщениях речь идет о испытаниях ключевого каскада ИМС, а следовательно и о измерениях токов протекающих в нем. Предположение о проведении измерений выходного тока стабилизатора после дросселя, в сообщении от 22.11, первоначально вынесено Вами.

С уважением, Алексей.

[Falconist]

Уважаемый ALEX__A, я продолжаю утверждать, что эксперимент проводился некорректно. Открываем даташит и смотрим:
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
Saturation Voltage, Darlington Connection (ISW = 1.0 A, Pins 1, 8 connected): typ = 1 V; max. = 1.3 V

MAXIMUM RATINGS:
Power Dissipation and Thermal Characteristics (Plastic Package, P, P1 Suffix), TA = 25°C: PD = 1.25 W

Перемножаем: 1,3 В * 1,5 А = 1,95 В*А (› 1,25 Вт); 1,0 В * 1,5 А = 1,5 А (› 1,25 Вт)

В любом случае микросхема была перегружена по мощности. Дальше объяснять?

Результат был предсказуем заранее - и к гадалке не ходить...

[ALEX__A]

Уважаемый ALEX__A, я продолжаю утверждать, что эксперимент проводился некорректно. Открываем даташит и смотрим:
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
Saturation Voltage, Darlington Connection (ISW = 1.0 A, Pins 1, 8 connected): typ = 1 V; max. = 1.3 V

MAXIMUM RATINGS:
Power Dissipation and Thermal Characteristics (Plastic Package, P, P1 Suffix), TA = 25°C: PD = 1.25 W

Перемножаем: 1,3 В * 1,5 А = 1,95 В*А (› 1,25 Вт); 1,0 В * 1,5 А = 1,5 А (› 1,25 Вт)

В любом случае микросхема была перегружена по мощности. Дальше объяснять?

Результат был предсказуем заранее - и к гадалке не ходить...

К сожалению это не так.

В справочных данных приводится величина напряжения насыщения оконечного транзисторного каскада. Указанная величина ограничена сверху значением 1,3 В, при этом номинальным является значение 1.0 В. В графе min поставлен прочерк, т.е. нижняя граница напряжения насыщения не нормируется и у части ИМС, при заданном значении тока, может быть ниже 1 В. Разумеется очевидно, что чем меньше значение указанного напряжения, тем лучше характеристики того или иного транзистора, работающего в ключевом режиме. Данный параметр является технологическим и задается для конкретного значения коммутируемого тока.

Что же касательно рассеиваемой мощности, то здесь очевидно её ограничение сверху, поскольку данное значение приведено в таблице с предельно допустимыми техническими характеристиками.

Следует остановиться и на том, что, согласно Вашему подходу, приведение значения максимально допустимого коммутируемого тока, в таблице с предельно допустимыми характеристиками, вообще не имеет смысла, поскольку 1В. х 1,5 А. = 1,5Вт., что всегда больше предельных 1.25 Вт.

Таким образом, оценка рассеиваемой мощности в эксперименте не может проводится указанным Вами способом.

С уважением, Алексей.

[Falconist]

Таким образом, оценка рассеиваемой мощности в эксперименте не может проводится указанным Вами способом.

Не лукавьте, ALEX__A! Признайтесь честно, хотя бы самому себе, что эксперимент был некорректным. Я ведь не зря привел из даташита не только предельные параметры, но и условия их измерения, да еще и выделил их жирным:

Saturation Voltage, Darlington Connection (ISW = 1.0 A, Pins 1, 8 connected): typ = 1 V; max. = 1.3 V

Очевидно, что при токе 1,5 А напряжение насыщения никак не может быть меньше, чем при 1,0 А, а только больше.

[ALEX__A]

Не лукавьте, ALEX__A! Признайтесь честно, хотя бы самому себе, что эксперимент был некорректным. Я ведь не зря привел из даташита не только предельные параметры, но и условия их измерения, да еще и выделил их жирным: Очевидно, что при токе 1,5 А напряжение насыщения никак не может быть меньше, чем при 1,0 А, а только больше.

Да, действительно не может. Однако первоначально меньшее падение напряжения на переходе КЭ в режиме насышения, о чем, я надеюсь достаточно подробно пояснил выше, может иметь место. Следовательно, например, если напряжение насыщения, согласно справочным данным данный параметр ограничен производителем сверху, конкретной ИМС составит, при токе 1.5 А., 0,8 В., то рассеиваемая на ключевом элементе мощность составит 1,2 Вт. Именно наличие такой возможности заставило производителя ограничить величину коммутируемого тока ключевого элемента.

Снимая эксперементальные зависимости, при испытании данной ИМС, корректно оперировать именно фактическими полученными данными. Т.е. для оценки рассеиваемой мощности необходимо умножать фактическую величину падения напряжения на фактическую величину коммутируемого тока.


С уважением, Алексей.

[Falconist]

...меньшее падение напряжения на переходе КЭ в режиме насышения, о чем, я надеюсь достаточно подробно пояснил выше, может иметь место.

Это Ваши домыслы. Я же просил уже: "Не лукавьте"! В принципе, оно может быть фактически и 0,1 В. Но ведь почему-то в даташите есть только типовое и максимальное значения, а минимального - нет. А если нет, значит, некорректно (!!!) использовать все те многословные допущения, которые Вы приводите.

Вы бы лучше (больше практического толку было бы, чем мы тут словоблудствуем) повторили эксперимент, прижав к корпусу хоть небольшой радиатор. Если средний ток - в пределах допустимого, а перегрузка - только по мощности, то должно было бы помочь. Как-то давным-давно (в 70-х годах) в журнале "Радио" была небольшая заметка, что если снабдить КТ315 примитивным радиатором, то он может рассеивать до 1 Вт мощности.

[ALEX__A]

Это Ваши домыслы. Я же просил уже: "Не лукавьте"! В принципе, оно может быть фактически и 0,1 В. Но ведь почему-то в даташите есть только типовое и максимальное значения, а минимального - нет. А если нет, значит, некорректно (!!!) использовать все те многословные допущения, которые Вы приводите.

Прочерк в даташите означает, что минимальное значение параметра не нормируется. Или по другому, если при испытаниях в партии ИМС будут микросхемы с меньшим значением напряжения насыщения ключевого каскада, то они не будут отбракованы.

С уважением, Алексей.

[Falconist]

Прочерк в даташите означает, что минимальное значение параметра не нормируется. Или по другому, если при испытаниях в партии ИМС будут микросхемы с меньшим значением напряжения насыщения ключевого каскада, то они не будут отбракованы.

Ну, и как Вы видите себе проектирование промышленного устройства, основываясь на недокументированных параметрах компонента???? Да любой нормоконтроллер в лучшем случае - посмеется, а в худшем - покрутит пальцем у виска. Но в любом случае такую разработку в производство не пропустит.