Источники питания и свет Актуальные вопросы и ответы по источникам питания, световому оборудованию. |
09.02.2011, 11:49
|
|
Почётный гражданин KAZUS.RU
Регистрация: 17.04.2005
Адрес: Киев
Сообщений: 2,502
Сказал спасибо: 1,217
Сказали Спасибо 1,057 раз(а) в 647 сообщении(ях)
|
Re: Помогите с расчетом полностью изолированного ИП на MC34063
По поводу Вашей схемы управлением УЗ излучателем, то, возможно я не знаю особенностей Вашего излучателя, но я делал бы схему с последовтельным резонансом.
Т.е. схему модифицировал бы так: к стоку IRF840 подключаю в обратном включении диод EX1D (400 V, 35ns) к напряжению 300-400 В. В точку соединения стока транзистора и диода включаю дроссель, с последовтельно подключённым излучателем, второй конец излучателя подключаю к 300-400 В. Параллельно излучателю подключаю резистор 300-510 к, соответствующей мощности. Мне кажется, что так было бы лучше.
Резкое открывание транзистора приводит к скачку напряжения на излучателя - это конденсатор - происходит скачок тока. Не уверен, что для УЗ скачок напряжения это хорошо (обычно есть ограничение для материала по dU/dt). При последовательном включении с дросселем это нет. Далее происходит резонансный процесс на УЗ - мощность излучения максимальна, при этом максимальное напряжение на транзисторе не превысит 401 В (при 400 В питании + падение прямого напряжения на диоде). Если Вы зашунтируете дроссель в Вашей схеме диодом, то практически вся накопленная дросселем энергия уйдёт в тепло (разогрев диода), для транзистора напряжение на стоке не превысит 401 В, но заблокирует изменение напряжение на УЗ преобразователе (в соответствии с резонансным восстановлением). Но, вобщем-то, Вам думаю видней, как использовать УЗ преобразователь...
|
|
|
|
10.02.2011, 21:47
|
|
Частый гость
Регистрация: 04.10.2009
Сообщений: 35
Сказал спасибо: 1
Сказали Спасибо 1 раз в 1 сообщении
|
Re: Помогите с расчетом полностью изолированного ИП на MC34063
Собственно нужен только один мощный первый импульс, дальнейшее излучение не требуется. Прибор должен измерять время прохождения УЗ через материал(бетон). Излучатель держит до 700 В без проблем, поэтому и выбрал такую схему по анологии с промышленными схемами.
|
|
|
|
11.02.2011, 11:43
|
|
Почётный гражданин KAZUS.RU
Регистрация: 17.04.2005
Адрес: Киев
Сообщений: 2,502
Сказал спасибо: 1,217
Сказали Спасибо 1,057 раз(а) в 647 сообщении(ях)
|
Re: Помогите с расчетом полностью изолированного ИП на MC34063
Как раз на схеме (мне такая реализация знакома - классика УЗ дефектоскопов) показана схема выходного каскада с тиристором V11 - ПИ, обмотка Т3 (фактически дроссель), резистор R11 образуют контур ударного возбуждения. Тиристор включается стартовым импульсом, конденсаторы C30 и C6 разряжаются через обмотку 2-4 Т3, как только ток падает ниже тока удержания тиристора, тиристор закрывается и в дальнейшем не принимает участия в процессе. индуктивность T3, кондесатор ПИ, резистор R11 образуют контур ударного возбуждения с заданной добротностью. Колебания есть быстро затухающие. Но именно колебания, а не просто импульс. И скорость нарастания напряжения на ПИ ограничена скоростью нарастания тока в контуре обмотки 2-3-5-6 ток не может быстро возрасти, так как ПИ представляет собой конденсатор и для стартовых условий представляет собой КЗ для всей обмотки трансформатора.
Ваша схема из поста №104 представляет ключ на IRF840, который резко увеличивает напряжение на конденсаторе ПИ.
То, что излучатель может выдержать напряжение 700 В - это просто замечательно, но ограничение для подобного устройства это не только напряжения, но скорость изменения напряжения. При превышении скорости изменения напряжения свыше определённого порога - ПИ может лопнуть.
На мой взгляд попробуйте повторить каскад на тиристоре - в этом случае не надо 300 - 400 В напряжения - достаточно 100 В (можно наверное и вообще 12 В использовать напрямую без преобразования в высокое напряжение). Т3 будет иметь соотношения витков 1/4 (при непосредственном питании 1/40). При этом Т3 должен сделан как дроссель - т.е. с зазором.
|
|
|
|
11.02.2011, 19:36
|
|
Частый гость
Регистрация: 04.10.2009
Сообщений: 35
Сказал спасибо: 1
Сказали Спасибо 1 раз в 1 сообщении
|
Re: Помогите с расчетом полностью изолированного ИП на MC34063
Сообщение от mikaleus
|
Как раз на схеме (мне такая реализация знакома - классика УЗ дефектоскопов)
|
не попадалась ли Вам схема прибора УК-10П, у меня УЗ излучатели именно от него, паспорт остался, а вот схемы не нашел. Нашел только схему на "Бетон-12"
Цитата:
|
На мой взгляд попробуйте повторить каскад на тиристоре - в этом случае не надо 300 - 400 В напряжения - достаточно 100 В (можно наверное и вообще 12 В использовать напрямую без преобразования в высокое напряжение). Т3 будет иметь соотношения витков 1/4 (при непосредственном питании 1/40). При этом Т3 должен сделан как дроссель - т.е. с зазором.
|
А нельзя ли вместо тиристора использовать полевик с логическим управлением например так
у IRL640 макс. напряжение 200В.
только тогда не понятно из каких соображений определять количество витков первичной обмотки, и когда засекать время, во время открытия или во время закрытия транзистора? ведь выброс там будет приличный!?
|
|
|
|
12.02.2011, 12:34
|
|
Почётный гражданин KAZUS.RU
Регистрация: 17.04.2005
Адрес: Киев
Сообщений: 2,502
Сказал спасибо: 1,217
Сказали Спасибо 1,057 раз(а) в 647 сообщении(ях)
|
Re: Помогите с расчетом полностью изолированного ИП на MC34063
1. Схемы УК-10П у меня нет.
2. Полевой транзистор можно использовать, если иметь возможность им чётко управлять.
3. Выброс будет приличный, но с учётом того, что у Вас 10-14 В, результирующая добротность контура будет меньше 3, то выброс по напряжению не будет существенно большим.
По поводу расчёта тут несколько сложнее, так как следует учитывать и ёмкость выходную полевика (у тиристора она существенно меньше). Тут несколько сложнее расчёт, чем хотелось бы описать... Попробую позднее изложить соображения по этому поводу.
|
|
|
|
14.02.2011, 12:02
|
|
Частый гость
Регистрация: 04.10.2009
Сообщений: 35
Сказал спасибо: 1
Сказали Спасибо 1 раз в 1 сообщении
|
Re: Помогите с расчетом полностью изолированного ИП на MC34063
полевым транзистором управляет микроконтроллер напряму, ставил эксперимент (IRL640+параллельный контур) при длительности управляющего импульса 3 мкс, время открытыго состояния примерно 10 мкс.
что если трансформатор намотать 10 витков L1=40мкГн и 400 витков L2=64 мГн (Al=0.4мкГн), длительность импульса 10 мкс интервал между импульсами 50 мс, в пачке 8-16 импульсов.
|
|
|
|
14.02.2011, 12:15
|
|
Частый гость
Регистрация: 04.10.2009
Сообщений: 35
Сказал спасибо: 1
Сказали Спасибо 1 раз в 1 сообщении
|
Re: Помогите с расчетом полностью изолированного ИП на MC34063
есть еще у меня вот такой сердечник http://www.epcos.com/inf/80/db/fer_07/efd_20_10_7.pdf на нем все эксперименты с полевиком ставил, индуктивность намотана 1 мГн
|
|
|
|
15.02.2011, 18:30
|
|
Почётный гражданин KAZUS.RU
Регистрация: 17.04.2005
Адрес: Киев
Сообщений: 2,502
Сказал спасибо: 1,217
Сказали Спасибо 1,057 раз(а) в 647 сообщении(ях)
|
Re: Помогите с расчетом полностью изолированного ИП на MC34063
Частота свободных колебаний fдемпфированного последовательного колебательного контура, состоящего из индуктивности L, конденсатора C и резистора R. f=1/(2*pi)*sqrt(1/(L*C)-(R/(2*L)^2)).
При этом резонансную частоту выбираем равной частоте механического резонанса излучателя. Расчитываем требуемую общую индуктивность и сопротивление для контура.
По поводу схемы ключа. Я для управления индуктивной нагрузкой использую ключ, составленный из последовательно включённого полевого транзистора (с логическим управлением), и биполярного транзистора (может быть высоковольтным или просто высокочастотный со средним напряжением коллектор-эмиттер, если не требует высокое напряжение). База БТ через резистор (НЕ ИСТОЧНИК ТОКА) подключается плюсовому напряжению питания. Такая схема позволяет исользовать низковольтные ПТ, в полной мере использовать возможности БТ как по напряжению (т.к. база подключена через низкоомный резистор к источнику питания, а напряжение пробоя коллектор-база выше коллектор-эмиттер), так и по частотным свойствам (т.к. имеет малую ёмкость коллектор-база). Резистор - рассчитывается исходя из максимально необходимого (или максимально допустимого) значения при максимкальном напряжении питания.
Сердечника EFD-20 вполне хватит для такого устройства, единственное, что там нужен зазор. Обычно данные сердечники имею зазор 0,25 или 0,5 мм для половинки. Наверное придётся расчитывать для зазора, который у Вас получится сделать.
|
|
|
|
16.02.2011, 00:19
|
|
Частый гость
Регистрация: 04.10.2009
Сообщений: 35
Сказал спасибо: 1
Сказали Спасибо 1 раз в 1 сообщении
|
Re: Помогите с расчетом полностью изолированного ИП на MC34063
1.не совсем понятно зачем биполярный транзистор, если частотные характеристики не важны, важен только один первый импульс?
2. контур получается последовательный L2R6 или все таки параллельный, запутался!?
3. про общую индуктивность понятно, а как рассчитать L1? или ее принять в соответствии с отношением 1/40 изходя из общей индуктивности?
4. сердечник с зазором, точнее зазор на одной половинке, но индуктивность одного витка 0,1 мкГн, для резонанса нужно 3 мГн, емкость излучательно примерно 2,4 нФ, много витков получается, порядка 170.(L:=3E-3;R:=2000;F:=1/(2*pi)*sqrt(1/(L*2.4E-9)-(R/(2*L)^2))= 59301,6813892)
Последний раз редактировалось ooogo; 16.02.2011 в 00:21.
|
|
|
|
17.02.2011, 00:43
|
|
Почётный гражданин KAZUS.RU
Регистрация: 17.04.2005
Адрес: Киев
Сообщений: 2,502
Сказал спасибо: 1,217
Сказали Спасибо 1,057 раз(а) в 647 сообщении(ях)
|
Re: Помогите с расчетом полностью изолированного ИП на MC34063
1. L1 и L2 - это многообмоточный дроссель (трансформатор).
2. БТ нужен для уменьшения ёмкости (ёмкости К-Б, К-Э БТ на порядок меньше, чем ёмкость С-З, С-И ПТ, которая с индуктивностью L1+трансформированная индуктивность L2+индуктивность рассеяния образует паразитный колебательный контур (при уменьшении ёмкости при той же индуктивности добротность контура снижается настолько, что колебания в нём не возникают). Кроме того, Вы писали, что подавая открывающий импульс 3 мкс, ПТ был открыт 10 мкс - т.е. точно управлять процессом включения-выключения ПТ Вы не можете (и не сможете в силу паразитных емкостей ПТ).
3. Кроме общей индуктивности с "которой всё понятно", дроссель-трансформатор выполняет ещё функцию увеличения напряжения. Как только включается катушка L1, на катушке L2 появляется нпряжение. НО ПИ представляет собой разряженный конденсатор, в результате L2, имеющая свою индуктивность рассеяния и активное сопротивление, оказывается закорочена. При трансформации этих сопротивлений (активного и реактивного) на L1 получается комплесное сопротивление, которое и даёт начальный ток. Далее напряжение на ПИ начинает выростать, соответственно ток через ПИ уменьшается.
После выключения ключа напряжение на ПИ будет рости за счёт энергии накопленной в катушке L1. W=L1*Imax^2/2. Эта энергия может расходоваться на нагрев резистора ((U1+U2)/2)^2/R6*t и на рост напряжения ёмкости ПИ Cпи*(U2^2-U1^2)/2. Время t. Так как процесс изменения напряжения после выключения ключа идёт по резонансной кривой и на рост напряжения может уйти максимум 1/4 периода резонансной частоты. Всё остальное на увеличение напряжения. По поводу 1/40 коэффициента трансформации, то это скорее максимально возможное значение.
|
|
|
|
Ваши права в разделе
|
Вы не можете создавать новые темы
Вы не можете отвечать в темах
Вы не можете прикреплять вложения
Вы не можете редактировать свои сообщения
HTML код Выкл.
|
|
|
Часовой пояс GMT +4, время: 17:33.
|
|