Всё для начинающих

[Levontay]

обрати внимание на условия измерения этих напряжений

Обращал - отключенный эмиттер, что-есть - транзистор закрыт, - ну и что?

Просто типичная модель использования - питание подаётся на коллектор-эмиттер, и транзистор открыт. Конечно, иногда транзистор может быть закрыт - сила здесь обнуляется, его сопротивление увеличивается до бесконечного, но рассчитывать на это не приходится. Из этого напряжения ещё вычесть напряжение база-эмиттер - оно станет ещё меньше. Естественно - это имеет бОльшее значение - на этапе подачи управляющего сигнала, то-есть - когда транзистор закрыт, и эмиттер обесточен. Вот, собственно и вопрос - если здесь напряжение между базой и коллектором будет меньше напряжения питания, а значит - меньше напряжения коллектор-эмиттер при закрытом транзисторе - то зачем потолок напряжения делают больше?

[Levontay]

По другому вопросу подскажите пожалуйста: чем смывать лак и зелёную краску с плат? - а то дорожек не видно...

[ForcePoint]

Как протекает обратный ток коллектора и на что он влияет при различных схемах включения? С учётом того, что мы не влияем на этот ток - только напряжение на коллекторе и температура.

[Yuri222]

чем смывать лак и зелёную краску с плат? - а то дорожек не видно...

Наждачкой.
Этот лак называется "защитная паяльная маска"

[bordodynov]

Объясните мне начинающему - нафига у некоторых транзисторов напряжение база-коллектор раза в два больше напряжения коллектор-эмиттер? Им что - открываться малым напряжением, питаться средним напряжением, а закрываться - очень большим? - Мне, прям, захотелось поиграть в слоников (из аникдота про противогазы).

Есть эффект лавинного размножения носителей. В результате напряжения пробоя коллектор-эмиттер меньше чем у коллектор база. Но если вы зашунтируете переход база-эмиттер резистором, то напряжение коллектор эмиттер повысится и чем меньше номинал резистора тем больше пробивное напряжение. Это верно для транзисторов с достаточно большим коэффициентом усиления в режиме микротоков. Для транзисторов у которых усиление Бета быстро падает при уменьшении тока, рассматриваемые напряжения будут практически равны.

[Yuri222]

Вот, собственно и вопрос - если здесь напряжение между базой и коллектором будет меньше напряжения питания, а значит - меньше напряжения коллектор-эмиттер при закрытом транзисторе - то зачем потолок напряжения делают больше?

Посмотрите работу выходного каскада строчной развертки кинескопных телевизоров.
Ув bordodynov объяснил физическую сущность явления.
Добавлю - сопротивление между базой и эмиттером высоковольтного строчного транзистора - десятки Ом, да еще зачастую (практически всегда) параллельно обмотка межкаскадного трансформатора - на DC это кз.

[genao]

Вот, собственно и вопрос - если здесь напряжение между базой и коллектором будет меньше напряжения питания, а значит - меньше напряжения коллектор-эмиттер при закрытом транзисторе - то зачем потолок напряжения делают больше?

Вопрос задан неверно!

Должен звучать так: почему максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер получается меньше максимально допустимого напряжения коллектор-база?

Причина в токе утечки через базу, то есть стекании зарядов из области базы, если они накапливаются, то КЭ транзистора пробивается при более низком напряжении.
А вот какие заряды накапливаются, основные или неосновные - это сам узнавай (ха-ха)
.
Если внешнее сопротивление, подключенное между базой и эмиттером, больше указанного в паспортных характеристиках, то предельное напряжение коллектор-эмиттер снижается, а при отсутствии такого сопротивления большинство транзисторов выходят из строя (деградируют).

Для ряда транзисторов работа в режиме с "оборванной базой" предусмотрена уже в кристалле и внешний резистор БЭ ставить нет необходимости в случае если время рассасывания заряда базы удовлетворяет требуемому времени выключения транзистора.

В паспортных характеристиках приводят Uкэ.мах для определённого внешнего сопротивления Rбэ.
Если оно указано Rбэ=бесконечности, или зачастую указано Iб=0, то транзистор может работать в режиме "оборванной базы".

Часто имеются и характеристики зависимости допустимого максимального Uкэ от внешнего сопротивления Rбэ.

ПС. пока писал, уже немного опрередили -)

[bordodynov]

А вот ещё для высоковольтного транзистора:

[vg155]

чем смывать лак и зелёную краску с плат?

Наждачкой.

Чем ее разбавлять?

[tomitch]

Чем ее разбавлять?

КанеШно NaOH