Токовое зеркало.

[bordodynov]

И от сопротивления базы - тоже, при амперных токах начинает играть. Вы, видимо, имеете в виду напряжение насыщения?

Да, это и к тому же при большом сопротивлении коллектора и достаточных токах даже при напряжении коллектор-база равном нулю, транзистор будет в режиме насыщения. По поводу сопротивления базы. Оно не влияет на напряжение насыщения К-Э, а влияет на напряжение база-эмиттер в этом режиме. И это сопротивление (базы) также уменьшается при увеличении тока базы.

[zoog]

Это академическая классика. А то, что Вы приводите аргументом - "накладные расходы" на классику. Если "сразу с пеленок" влазить в дебри - до ссути хрен доберёшься.

Ссуть оставьте себе, мы же посмотрим в учебники:

В режиме насыщения оба p-n-перехода транзистора с помощью приложенных внешних напряжений смещены в прямом направлении. При этом падение напряжения между эмиттерным и коллекторным выводами транзистора UKЭ минимально и составляет десятки милливольт. Режим насыщения возникает тогда, когда ток коллектора транзистора ограничен внешними параметрами источника питания IKmax, а параметры внешнего источника сигнала таковы, что ток эмиттера существенно больше максимального значения тока в коллекторной цепи

При подаче на коллектор положительного напряжения 17КБ › О и при 1/ЭБ › 0 транзистор переходит в режим двойной инжекции (режим насыщения (PH)), когда помимо инжекции дырок из эмиттера происходит инжекция носителей также и из коллектора в базу. В результате градиент концентрации дырок в области базы уменьшается, хотя общее число носителей и возрастает, что приводит к уменьшению диффузионного тока, протекающего через базу в коллектор

В режиме насыщения оба перехода транзистора смещены в прямом направлении. Внешним проявлением режима насыщения является неизменность тока коллектора при изменении тока эмиттера и тока базы. При этом ток коллектора определяется параметрами внешней цепи.

[zoog]

Оно не влияет на напряжение насыщения К-Э, а влияет на напряжение база-эмиттер в этом режиме.

По Вашему определению казалось, что имелось в виду именно напряжение.
Как я понимаю, сопротивление высокоомного тела коллектора (внешнего относительно самих переходо слоя) не влияет на концентрации носителей вблизи перехода (то есть режим транзистора). Обратное влияние - есть.
То есть омические области и вызываемые ими падения напряжения влияют только на потенциалы на зажимах прибора.

[12943]

Вы заблуждаетесь. Указанное соотношение выполняется для любого режима, в том числе и в режимах насыщения. Закон Кирхгофа.

Да, уже разобрался. То есть физически прямой ток К-Б существует?
И проявляется в виде уменьшения коэфф. передачи?

[bordodynov]

Да, уже разобрался. То есть физически прямой ток К-Б существует?
И проявляется в виде уменьшения коэфф. передачи?

Да, при прямом смещении коллекторного перехода ток появляется и увеличивает общий базовый ток ==› Bst=Ik/Ib.

[zoog]

Да, при прямом смещении коллекторного перехода ток появляется и увеличивает общий базовый ток ==› Bst=Ik/Ib.

Не согласен, не может быть всё так просто. Падение h21э (и увеличение базового тока) при входе в насыщение гораздо больше, чем может быть ток через переход с прямым напряжением 0,1..0,5В.
Вот из ДШ: Uкэнас = 1В (5А/1А), Uбэнас = 1,2В. При этом нормальный h21э = 8..40 (соответствует Iб = 0,125..0,625А). Разница никак не потечёт через приямое напряжение в 0,2В. Хотя нужно бы посмотреть омические потери..

[bordodynov]

Не согласен, не может быть всё так просто. Падение h21э (и увеличение базового тока) при входе в насыщение гораздо больше, чем может быть ток через переход с прямым напряжением 0,1..0,5В.
Вот из ДШ: Uкэнас = 1В (5А/1А), Uбэнас = 1,2В. При этом нормальный h21э = 8..40 (соответствует Iб = 0,125..0,625А). Разница никак не потечёт через приямое напряжение в 0,2В. Хотя нужно бы посмотреть омические потери..

Вы не правильно рассчитываете падение напряжения на В Н У Т Р Е Н Е М коллекторном переходе pn-переходе. В данном случае оно существенно и ни как не равно 0.2 В.
Вот пример расчёта транзистора и его эквивалента Эберса-Молла.
Я думаю это будет полезно для тех, кто считает, что учиться и читать учебники им не нужно!

[zoog]

Вы не правильно рассчитываете падение напряжения на В Н У Т Р Е Н Е М коллекторном переходе

Да, я же добавил

Хотя нужно бы посмотреть омические потери.

- если тело коллектора "вне" транзистора, то падения на зажимах не повлияют на насыщение и на "внутренние" напряжения.
Но интуитивно падение h21э при больших токах и режимах, далёких от насыщения кажется ответственным и за падение при насыщении.

[bordodynov]

Да, я же добавил - если тело коллектора "вне" транзистора, то падения на зажимах не повлияют на насыщение и на "внутренние" напряжения.
Но интуитивно падение h21э при больших токах и режимах, далёких от насыщения кажется ответственным и за падение при насыщении.

Зачем вы смешиваете всё в одну кучу. Механизм падения усиления имеет другую причину. Есть слабая зависимость усиления от напряжения на коллекторе из-за эффекта Эрли. Есть такие понятия для транзисторной структуры - коэффициент переноса и коэффициент инжекции. Они зависят от концентрации избыточных носителей.
А писали вы " Хотя нужно бы посмотреть омические потери.." , но это не тоже самое.
Вы не можете разобраться в трёх соснах, а продолжаете демагогию, не имея чётких понятий о предмете и руководствуетесь отрывками сведений. Я думаю вы уводите тему в сторону. Все эти вопросы дано изучены и достаточно почитать учебники. А так вы делаете неправильное предположение и тут же делаете оговорку. А потом - ну я же говорил.
Я предлагаю не углубляться в какие то нюансы. Это только запугает начинающих.

[zoog]

Есть слабая зависимость усиления от напряжения на коллекторе из-за эффекта Эрли.

На h21э Эрли не влияет по определению.

А так вы делаете неправильное предположение и тут же делаете оговорку. А потом - ну я же говорил.

Сначала сказал одно, но при условии, что омические области - внешние, сделал вывод, что во внутреннем транзистор напряжения на переходах совсем иные и всё сходится.
Я не вижу противоречия в наших показаниях.