Токовое зеркало.

[bordodynov]

На h21э Эрли не влияет по определению.


Сначала сказал одно, но при условии, что омические области - внешние, сделал вывод, что во внутреннем транзистор напряжения на переходах совсем иные и всё сходится.
Я не вижу противоречия в наших показаниях.

А как воспринимать - "Разница никак не потечёт через приямое напряжение в 0,2В"
А вот для слишком умных :
Bst=Iс/Ib и это не h21э!

[bordodynov]

А вот малосигнальный параметр h21э:

[zoog]

А как воспринимать - "Разница никак не потечёт через приямое напряжение в 0,2В"

В предроложении, что сопротивления являются составной частью переходов, как бы распределённым параметром. Внешние сопротивления как на модели, конечно, проще и понятнее, но я с подозрением отношусь к упрощениям.

А вот для слишком умных

Вы, вижу, как-то лично воспринимаете эту дискуссию. Я что, как-то Вас задел? Тогда извините, не нарочно.
Бета или h21э (h21Э - на большом сигнале, вроде так обозначается корректно) задаётся при фиксированном Uкэ.

[bordodynov]

В предроложении, что сопротивления являются составной частью переходов, как бы распределённым параметром. Внешние сопротивления как на модели, конечно, проще и понятнее, но я с подозрением отношусь к упрощениям.


Вы, вижу, как-то лично воспринимаете эту дискуссию. Я что, как-то Вас задел? Тогда извините, не нарочно.
Бета или h21э (h21Э - на большом сигнале, вроде так обозначается корректно) задаётся при фиксированном Uкэ.

Я написал: "Есть слабая зависимость усиления от напряжения на коллекторе из-за эффекта Эрли."
А вы:
"На h21э Эрли не влияет по определению."
Я утверждал, что есть зависимость усиления от напряжения, а вы, как я понял, что не зависят, т.к. напряжение фиксировано!
И зачем вы это написали?

[zoog]

И зачем вы это написали?

Есть зависимость h21э от тока - падающая. Так?
Вы зачем-то сказали, что

что есть зависимость усиления от напряжения

, отвечая на моё утверждение, то есть подразумевая зависимость h21э от напряжения. Так? Но это некорректно.

[bordodynov]

В предроложении, что сопротивления являются составной частью переходов, как бы распределённым параметром. Внешние сопротивления как на модели, конечно, проще и понятнее, но я с подозрением отношусь к упрощениям.

И вам от осознания, что произведено упрощение легче. Гораздо конструктивнее использовать упрощения и делать в результате расчёты и выводы, чем сидеть и утверждать, что всё упрощено и подвергать сомнению. Транзисторы, как впрочем и другие элементы схемы имеют большой разброс. Поэтому добиваться сверх точной модели не имеет смысла. Резисторы тоже имеют распределённую структуру, как впрочем и любые элементы, имеющие размеры, т.е. все. При работе температура участков элемента может быть разной.

[zoog]

И вам от осознания, что произведено упрощение легче

Дело не в лёгкости, а в корректности.

Поэтому добиваться сверх точной модели не имеет смысла.

Имеет, если важно понимание процессов и границы допустимости упрощения.

Резисторы тоже имеют распределённую структуру, как впрочем и любые элементы, имеющие размеры, т.е. все.

Нет, в 99,(9)% случаев это не влияет от слова никак.

[akegor]

мы же посмотрим в учебники:

И что усмотрели? Чем следующая цитата отличается от того, что я привел? Годом издания и тем, что сказанное мной проще для понимания, а цитата весьма туманна для "новичка"?
Мы смотрим разные книги. Я - те, которые дают сначала суть, а потом поясняют - почему так. Вы, видимо, современные издания или институтские, рассчитанные на предварительные пояснения преподавателя.

[zoog]

Чем следующая цитата отличается от того, что я привел?

Всем. Вы о какой-то неуловимой "пропорциональности", учебники - чётко о смещении перехода. Это теория, считайте это правилом. А снижение h21э происходит всегда при увеличении тока и не может быть критерием режима.
Для объективности - приведите цитату или ссылку на учебник с Вашей версией.

[bordodynov]

Имеет, если важно понимание процессов и границы допустимости упрощения.

Пониманию процессов не нужна точная модель. Вы сведёте простейшую схему на одном транзисторе к проблеме, которую наверняка не решите. Хотя я знаю, что есть программы которые рассчитывают инвертор на одном транзисторе с учётом трёхмерного распределения примесей. Но в результате этих вычислений получают параметры упрощённой модели, для нормальных людей, а не буквоедов. Я же считаю, что нужно пользоваться не идеальными моделями и получать вполне приемлемые результаты, как делают миллионы людей. Как говориться: вам шашечки или ехать? Мне ехать, а вам шашечки! Кстати, подобные программы, о которых я упоминал стоят очень много.