Симуляции армии клонов от tipa до Алекс63

[bordodynov]

Алекс63,
"порадую":
символ симистора в Мультисиме не соответствует функционированию симистора. Такой символ соответствует другому прибору, который работает в других квадрантах. Теоретически такой симистор сделать можно, но это не технологично. Даже на китайской схеме символ правильный.

[Алекс63]

символ симистора в Мультисиме не соответствует функционированию симистора

-радуюсь!,
-2 проверил, работают во всех четырёх квадрантах.(2 последних скрина)

но это не технологично

-не знаю насчёт технологий, но вся линейка BT-134......BT139, с которыми имел дело на практике, ПРЕКРАСНО РАБОТАЮТ ВО ВСЕХ КВАДРАНТАХ, но с разной чувствительностью. Это выражается в постепенном пропускании полупериодов, затем всего периода переменного напряжения по мере нарастания управляющего напряжения на управляющем выводе, будь это напряжение или положительное, или отрицательное. Я читал Ваши посты про модели с разноквадрантной чувствительностью, но в MS не знаю, как это сделать...,-"нетехнологично" получается, значит

Novel amplifier-попалась схемка из буржуйского журнала у одного блогера. Смещение нетрадиционное, значит интересное. Пока симулировал, обнаружил в моделях комплементов пробивное напряжение. Диод с "BV" стоит между базой и коллектором. Так-ли "пробивнутость" реализована в LTs? Если-так, то все MS-овские модели можно снабдить этим свойством...

.SUBCKT BC846BPN_NPN/NXP__BJT_COMP__1 1 2 3
*
Q1 1 2 3 BC846BPN_NPN/NXP 0.9289
Q2 11 2 3 BC846BPN_NPN/NXP 0.07107
RQ1 11 1 324.8
D 2 1 DIODE

.MODEL BC846BPN_NPN/NXP NPN
+ IS = 7.908E-015
+ NF = 0.9767
+ ISE = 5.297E-016
+ NE = 1.344
+ BF = 288
+ IKF = 0.07763
+ VAF = 50.6
+ NR = 0.9772
+ ISC = 2.622E-017
+ NC = 1.227
+ BR = 8.011
+ IKR = 0.02229
+ VAR = 39
+ RB = 76
+ IRB = 0.00015
+ RBM = 1.2
+ RE = 0.6235
+ RC = 0.3131
+ XTB = 0
+ EG = 1.11
+ XTI = 3
+ CJE = 1.24E-011
+ VJE = 0.6708
+ MJE = 0.348
+ TF = 5.5E-010
+ XTF = 30
+ VTF = 2
+ ITF = 0.4
+ PTF = 0
+ CJC = 3.264E-012
+ VJC = 0.5079
+ MJC = 0.42
+ XCJC = 1
+ TR = 1.3E-007
+ CJS = 0
+ VJS = 0.75
+ MJS = 0.333
+ FC = 0.78
.MODEL DIODE D
+ IS = 7.905E-016
+ N = 0.989
+ BV = 1000
+ IBV = 0.001
+ RS = 2566
+ CJO = 0
+ VJ = 1
+ M = 0.5
+ FC = 0
+ TT = 0
+ EG = 1.11
+ XTI = 3
.ENDS

[bordodynov]

Алекс63,
в LTspice есть встроенные в модель пробивные + моделируется квази-насыщение. В некоторых Spice программах нет этого и поэтому NXP сделала модель в виде подсхемы. Но моделирование при усложняется, что замедляет вычисление. Когда-то давно (лет 20 назад) я так делал (добавлял стабилитроны) модели советских транзисторов.

[Алекс63]

в LTspice есть встроенные в модель пробивные

-протестим модели с пробоем из основной базы
Левый образец "плохо" себя ведёт. Большинство реальных транзюков показывают бОльшее пробивное напряжение с замкнутой на эмиттер базой. Вот тут-то и потребуется умение зеркалку создать, что мы и будем делать, взяв свойства "правака" за основу, дабы приблизить туманную истину...

[bordodynov]

Алекс63,
и что? Где модель?
Я то сделал сам модель для лавинных транзисторов.
Кстати, она считается быстрее встроенной модели LTspice. К сожалению она не учитывает некоторых свойств транзистора. Например изменение частоты, и усиления от тока. И по-моему кто-то переносил её в Мультисим.

[Алекс63]

и что? Где модель?

-уважаемый, Александр Петрович, я, к сожалению, ещё не дорос до статуса "электровеника", провозился с переделкой модели, уже подзабыл, как делал. Пришлось копаться в своих же сообщениях. И получилось, наконец-то...
Вот, узнать бы, кто создаёт разницу в напряжениях...,-хотя можно посравнивать модельки и сделать правильные выводы.
Вот, кто создаёт: .MODEL 2SC1815 NPN
+ IS = 7.908E-015
+ NF = 1.9767
+ ISE = 5.297E-01
Немножко добавили в модели и разница стала ощутима (для SC1815 создали пробивную модель)

[bordodynov]

Алекс63,
Исходной величиной является пробивное напряжение коллекторного перехода. При увеличении напряжения происходит лавинное умножение количество носителей. Закон степенной. Из эмиттера выходят носители и до коллектора доходит часть носителей, но из-за лавинного размножения количество носителей в коллекторе может стать достаточно большим и ток коллектора станет равным току эмиттера. это и есть случай пробоя коллектор-эмиттер. Как бы усиление Бета=∞. Коэффициент размножения 1/Альфа. Немножко больше единицы. При напряжении пробоя коэффициент размножения гораздо больше. По-этому и такая разница в величинах пробоя. Всё это я сделал в своей модели. Кстати, в Мультисиме есть другая модель (не Гуммеля-Пуна) с пробоем VBIC. Правда там несколько другие модели. В LTspice тоже есть такая модель и есть пара СВЧ транзисторов с такой моделью. Но искать я их не буду - если вам надо, то ищите сами. Смотрите Help Мультисима.
https://designers-guide.org/vbic/

[Алекс63]

Генератор с инверсно включённым транзистором
Подсмотрел у Димы эту схемку, решил просимулировать. Всё затухало при разных значениях колебательного контура (динамика, тобиш). Вспомнил хитрые приёмчики тов. Бордодынова с отрицательными сопротивлениями, где энергия черпается из "ниоткуда". Подогнал по минимуму, чтобы вразнос не шло. Заработало...
ЗЫ:источник 2 вольта.
(схему восстанавливал отсюда: https://avatars.dzeninfra.ru/get-zen...e0e/scale_1200 )

[Алекс63]

Идеальный усилитель
В результате этой симуляции, появилась идея создания идеального усилителя без всяких искажений. Но инвертирующий.

[bordodynov]

Алекс63,
идеальный усилитель (инвертирующий и не только) проще всего делается из зависимого функционального источника напряжения. Например:
B1 out 0 v=v(in)*Gain