Частотная зависимость индуктивности расеивания трансформатора

[Ан-162]

Ток возрастает как ответная реакция на снижение потока в сердечнике.
(уменьшение противо-эдс)
Да и не такой мощности измерительные токи, чтоб до насыщения доводить, как правило.
Причина, видимо, в другом.
Возможно, это траблы метода измерения.

Andrew1, сообщите дополнительные параметры полученные при измерении.

После изменения основного режима дополнительная экранная область отображает текущую частоту. Если необходимо изменить дополнительный параметр, следует его выбрать кнопкой выбора дополнительного параметра.

http://www.aktakom.ru/kio/index.php?ELEMENT_ID=38648

[genao]

Вы совершенно правы

Да и не такой мощности измерительные токи, чтоб до насыщения доводить, как правило.
Причина, видимо, в другом.
Возможно, это траблы метода измерения.

Посмотрел http://www.aktakom.ru/kio/index.php?ELEMENT_ID=38648 Тестовое напряжение 0,6 В (с.к.з.) действительно маленькое для насыщения.

[Andrew1]

Посмотрел осциллографом напряжение на зажимах LCR-метра, посчитал размах индукции, - меньше 0,01Тл, про нелинейности можно не говорить. А вот цифры. Магнитопровод Е25/13/7. Зазор в среднем керне. Параметр Al=128 нГн. Первичка 74 витка в две жилы по 0,2мм(две секции 40+34, между ними вторичка). Вторичная 17 витков две жилы 0,28мм. Индуктивность первички 592 мкГн, вторички 33,2мкГн, от частоты практически не зависят. При замкнутой первичной замер индуктивности вторичной - 27мкГн(100Гц), 1,8мкГн(1кГц), 0,34мкГн(10кГц). Замыкаю вторичную, меряю индуктивность первичной: 558мкГн(100Гц), 132мкГн(1кГц), 7,8мкГн(10кГц). Транс по уму сделан, идет в серии.

[genao]

Цитата:
После изменения основного режима дополнительная экранная область отображает текущую частоту. Если необходимо изменить дополнительный параметр, следует его выбрать кнопкой выбора дополнительного параметра.

Там же дополнительный параметр при измерении индуктивности - добротность.
Возможно это что то скажет про

про сопротивление обмоток не забыли?может короткое не
такое уж и короткое.

[Andrew1]

Да, кстати, по поводу метода измерения. Прибор позволяет измерять по последовательной и параллельной эквивалентным схемам. Я измеряю по последовательной. Вторичный измеряемый параметр - тангенс потерь, добротность, импеданс, ESR. В данном случае интереса не представляют.

[Andrew1]

Сопротивление первичной 0,76 Ом, вторичной - 0,11 Ом. Закоротка из МГТФ 0,35, сантиметра 2,5.

[genao]

Индуктивность первички 592 мкГн, вторички 33,2мкГн, от частоты практически не зависят. При замкнутой первичной замер индуктивности вторичной - 27мкГн(100Гц), 1,8мкГн(1кГц), 0,34мкГн(10кГц). Замыкаю вторичную, меряю индуктивность первичной: 558мкГн(100Гц), 132мкГн(1кГц), 7,8мкГн(10кГц).

Кстати обратил внимание что на 100Гц индуктивность рассеяния и индуктивность обмотки практически одинаковы, что говорит о слабой связи на этой частоте. А вот при повышении частоты взаимосвязь растет похоже в квадратичной зависимости от частоты, так как будто между обмотками есть воздушный промежуток. Видимо сказывается толщина изоляции между намоткой и сердечником.

[Andrew1]

Именно так. Связь между обмотками зависит от способа укладки, толщины изоляции. Однако не понятна частотная зависимость. Есть эквивалентная схема замещения транса (трехполюсник), на которой нарисованы индуктивность намагничивания и индуктивности рассеивания, первичной и вторичной. В этой модели ничто не намекает на зависимость от частоты. Возможно, проблема с методом измерения. Кто-нибудь, попробуйте сделать аналогичные измерения с любым трансом от обратноходового (флайбэка, как нынче говорят).

[Andrew1]

Вопрос этот интересен еще вот в каком плане: существуют топологии импульсных источников, в которых связь между обмотками намеренно делается слабой, это к примеру LLC преобразователи с трансформатором у которого паразитная индуктивность рассеивания должна иметь вполне конкретную величину. И здесь уже вопрос достоверности результатов измерения крайне важен.

[genao]

Ради интереса замерьте емкость между обмотками.