Скорость запирания транзистора с отключенной силой

[Alex9797]

Поэтому время закрытия увеличивается - надо время, чтобы рассосать по электродам облако из носителей..

То есть, каков из этого вывод? При каких условиях биполярник запрется быстрее - если он под током, или обесточенный?

[Eddy71]

Чем меньше ток, тем меньше носителей инжектировано, тем быстрее транзистор закроется.

[Alex9797]

Чем меньше ток, тем меньше носителей инжектировано

О каком токе идет речь, о токе базы, или о токе коллектора?

[genao]

Вы немножко схитрили, рассматривая запирание только полевиков. Но ведь более актуален процесс рассасывания неосновных носителей, при запирании биполярного транзистора, каковым является IGBT, если смотреть на него сзади

В IGBT запирание полевика страшнее запирания собственно биполярного транзистора, особенно при больших dU/dt на коллектор-эмиттер при запирании. Без помощи на параллельного коллектор-эмиттер снаббера не обойтись. Ограничение dU/dt на коллектор-эмиттер снаббером при закрытии позволяет уменьшить "вредный" ток заряда затворной ёмкости через емкость затвор-сток управляющего полевика.

[Alex9797]

В IGBT запирание полевика страшнее запирания собственно биполярного транзистора

Это спорное утверждение, и проверить на практике его невозможно. Потому что нет отдельных выводов наружу базы биполярника, и нет возможности проследить изменения напряжения и тока в этой точке.
Кроме того, я уже писал о способе обойти эту особенность:

Или другой вариант - запирающий сигнал для транзистора будет выглядеть, как закорачивание накоротко затвора на землю. О Миллере можно забыть.

Ладно, я бы предложил рассмотреть процесс запирания по частям. Например, отодвинуть пока в сторону полевики и примкнувшие к ним IGBT, а рассмотреть для начала только поведение биполярников. Собственно, изначально ради них я и создал эту тему.

Итак, имеем полумост (или мост, все равно), состоящий из мощных биполярных транзисторов. И проделываем с ними все точно то же, что описано в первом посту.

[ALEKSEY188]

Сначала начел распинаться по IGBT и их хвост, а потом подумал зачем. Есть ведь datasheet там все расписано! Во вложении две выжимки по IGBT и биполярнику, касательно зависимости времени включения – выключения от тока, как, на мой взгляд, вполне исчерпывающе.

[Alex9797]

Во вложении две выжимки по IGBT и биполярнику, касательно зависимости времени включения – выключения от тока, как, на мой взгляд, вполне исчерпывающе.

Даташиты никогда не бывают исчерпывающими. Всегда найдется несколько ситуаций, о которых в даташите не сказано. Так и с этими выжимками. В них показана зависимость времени запирания от тока. Но не показано, как это время изменится при запирании транзистора, который был открыт, и пропускал через себя довольно большой ток, а перед самым запиранием цепь тока резко разорвали, после чего на базу подали запирающий импульс.

[tempn]

Ну и напугал. Я уже подумал третья серия наччинается.

Когда нагрузка отключена или потребляет минимальный ток здесь ясно - смотрим даташит и копаем на практике в туже сторону веря/не веря. А можно ли считать открытым транзистор когда ток К-E отсутствует (т.е. в силовой части вырубили питание по коллектору), а с управляющего (G) напряжение не сняли. Открыт транзистор или закрыт насколько мне известно определяется протеканием/отсутствием тока К-Е.

[Eddy71]

О каком токе идет речь, о токе базы, или о токе коллектора?

Эти токи протекают в одном объёме и оба насыщают объём переходов.

[tempn]

Изначально тема тема касалась IGBT. Там понятие ток базы можно сказать отсутствует.