Взлом прошивки в современных условиях

[eddy]

Неужели в наше время остались какие-то супер-пупер алгоритмы, которые невозможно самому реализовать? Что-то сильно сомневаюсь.
А раз любой алгоритм можно реализовать самостоятельно, взлом не нужен.

паршивка МК

Отличная опечатка! ☺

элементы криптостойких алгоритмов

OpenSSL в руки — и вперед!

[NewWriter]

Не проверял, не знаю. Но почитайте.

Ну дак отзывов об успешности чето не видно там. А про таких обещающих рекламщиков я выше уже писал. Беда в том, что реально никто из заказчиков не сообщает об успешности взлома. В свое время я перелопатил кучу инфы - реальных отзывов от заказчиков - нет. Те, кто предлагает услугу, те конечно же рассказывают и даже показывают якобы успешно считанный дамп. Но вот их услуги столь дороги, что как-то не возникает желания "просто проверить" на подопытном образце с известной прошивкой.

Отличная опечатка!

Особенности автоисправления со смартфона

[DmFil]

Упаси боже. Просто на ютубе глянул ролик о новых 1-2 нМ структурах и их скором широком внедрении и задумался, как лучом с длиной волны 600нМ попасть в затвор 1нМ и не "снести" лишнего.

Eddy, 1-2 нМ это технологическая(производственная) норма точности позиционирования масок при производстве. Размер самого элемента на много больше. Многие об этом забывают или не догадываются.

[laser532]

Фокусировать излучение в теоретическом пределе можно с точностью до длины волны, иначе говоря, с дифракционной точностью. Уже и жесткий УФ фокусируется с трудом, а про рентген можно особо не мечтать о дифракционной точности.
То же самое и с маской - как бы точно Вы ее не изготовили, будет подсвечивание с размахом длины волны экспонирующего лазера. Т.е. если Вы экспонируете лазером 10 нм, то сам элемент, чтобы иметь какую-то "вероятностную внятность" должен быть чуть больше дифракционной точности.
Есть долгая история про линзы, позволяющие фокусировать УФ лазер, я ее не буду тут излагать. Но смысл таков что это очень сложно. Стереть же один затвор можно тем же лазером, которым экспонировали. А рентген - это просто дешевая "пушка по воробьям", вместе с воронами и страуса убьет.
Теперь остается найти информацию о числе вентилей на единицу площади, извлечь корень и по обратной величине узнать характерный размер вентиля. Если размер окажется менее 10-30 нм, то нам что-то недоговаривают )).
Но я не слежу за микроэлектроникой уже лет 20, поэтому, все что написал выше не точно )) Это просто рассуждения от физических основ, враждебные маркетологам. ))

10нм - это официально нижний порог УФ. Лазеров с длиной волны менее 173 нм я не знаю и их, скорее всего, не существует. Сфокусировать не лазер с дифракционной точностью не возможно. Значит в производстве не фотолитография. Кроме рентгена, который, насколько мне известно, лучше 1 мкм не фокусируют, остаются энергичные пучки, например, электронов. Там можно говорить о "размерах" 1пм при 100кэВ (да, одна тысячная нанометра). Но это отдельная огромная тема.
Допускаю, что еще научились как-то играть фазами и фемтосекундами и получили какие-то "полуволновые" точности. Но это опять же 173 нм лазер в основе.

PS Соврамши. Быстро нагуглил 157 нм лазер. 20 нм для УФ - это огромная разница, ибо это +12% энергии фотона.

[eddy]

А, кстати, и правда, интересно: как же делают микросхемы с элементами в 50-70нм? Я кроме фотолитографии ничего не знаю. Получается, что засвечивать фоторезист после нанесения очередного слоя покрытия необходимо длиной волны минимум 10нм!!! Потом травить, наносить следующий слой + фоторезист. И т.д...
Я сильно сомневаюсь в существовании методик "выбивания" ненужного материала пучками электронов. И уж тем паче - в "прицельном" напылении элементов таких размеров.
Что-то где-то мухлюют явно!

[Yuri222]

как же делают микросхемы с элементами в 50-70нм?

вот из относительно старой статьи:

Применяя хитрости вроде фазовых масок, многократной экспозиции, оптической коррекции близости, off illumination , поляризации света —axis получали минимальные элементы до 22 нм .

Т.е. на компах рассчитывают фотошаблон с учетом дифракции/интерференции.

[Eddy71]

Т.е. если Вы экспонируете лазером 10 нм, то сам элемент, чтобы иметь какую-то "вероятностную внятность" должен быть чуть больше дифракционной точности.

На раздумья навело заявление Intel, что их шкала в нанометрах уже не устраивает, в дорожной карте у них уже забиты изделия с топологией субнанометровых размеров, поэтому они в наименованиях новых техпроцессов будут использовать уже ангстремы.

Вот и задумался, чем же они это будут экспонировать на пластину?

[eddy]

Вот и задумался, чем же они это будут экспонировать на пластину?

Никак, наделают нанороботов, а те будут по атомам собирать нужные конструкции =D

[laser532]

Ангстремами можно манипулировать с помощью туннельного сканирующего микроскопа (они имеют функции не только наблюдательные), а приводы пьезоэлектрические моторы с ООС по туннельному току. Но я же не Интел. ХЗ.

Я, кстати, еще в школе "точил" иглу с вершиной в сотню ангстрем. И проверить, что острие такое можно вполне "бытовыми" приборами. Но если следовать методике, то и проверять не надо. Вольфрамовый электрод от TIG на анод в раствор карбоната натрия и ток небольшой, предельную величину если не превысить, то обязательно получится!

Никак, наделают нанороботов, а те будут по атомам собирать нужные конструкции =D

Судя по статьям в физических журналах, Вы не так и далеко от истины. Например, исследуются методы получения наноэлементов, образующихся при воздействии на материалы высокоэнергичных фемтоимпульсов (перекристаллизация и т.п.). Это один из путей получения голографических моделей краевых явлений - я как всегда отсебятину пишу, но мне очень нравится оптику представлять как прохождение через голографическую пластину в том плане, что голограмма - это более продвинутая дифракционная решетка. А если мы можем синтезировать математически голограмму, мы можем управлять и волновыми явлениями. Сами работы в этом направлении помогут и с полупроводниками правильно обращаться, это же уже не печатная плата, хотя сокращать можно как ПП оба понятия ))

В общем, представлять себе фотошаблон, исходя из опыта линейной оптики уже давно нельзя, а теперь еще и волновые и вероятностные игры вступили в действие. Дальше только эволюционирующие саморазмножающиеся нанороботы, конечно.

[индюк]

На раздумья навело заявление Intel, что их шкала в нанометрах уже не устраивает, в дорожной карте у них уже забиты изделия с топологией субнанометровых размеров, поэтому они в наименованиях новых техпроцессов будут использовать уже ангстремы.

Вот и задумался, чем же они это будут экспонировать на пластину?

да гонят они.

никто не интересовался размером атома кремния хотя бы чтоль??
ну поинтересуйтесь уже!!!

не мое.

самое главное — 1 атом металла не является металлом с точки зрения электронных зон. Так же как 1 атом кремния не может быть п/п как минимум в том смысле, что нам необходимо легирование. 139 пм у мышьяка — вроде как близко к кремнию, а вот у бора уже 98 пм. Ну и с другой стороны нам нужна ГЦК решетка, я бы брал как минимум 14 атомов кремния на ячейку техпроцесса.

Значение имеют два параметра: шаг кристаллической решетки (0,54 нм) и необходимость поддерживать определенную концентрацию примесей в кремнии. Полупроводниковый переход создается подмешиванием в кремний примесей в определенной концентрации.

Например, необходимо поставить в кристаллическую решетку кремния фосфор в пропорции 1/1000. Без фосфора вообще кристалл не заработает. С двукратным переизбытком фосфора будет брак по электрическим параметрам. То есть на каждый гипотетический транзистор размером 10*10*10 периодов кристаллической решетки кремния (5 нм, содержит 1000 атомов кремния) надо исхитриться и поставить в такой кубик один атом фосфора. Не ноль и не два. Строго один.

Однако если гипотетический транзистор имеет размеры 20*20*20, то это дает размер кубика в 10 нм но при этом атомов фосфора надо посадить не 1 а 4. Если даже будет погрешность в +- 20% то такой транзистор все равно будет хоть как-то работать.