МОП ключ в режиме КЗ

[ciban]

Посмотрите пожалуйста схемы питания ламп на LCD телевизорах. Там используют сдвоенные полевики с большими токами.

[faru]

Спасибо. На-гуглил тут .. Вероятно имели ввиду вот это чудо ?)

[img]www.monitorservis.ru/images/invertor/image0019.gif[/img]


отсюда:
http://www.monitorservis.ru/invertor.php

честно говоря не понял со схемы как это назвавется и что у него за параметры.. Схема включения в моем случае еще большая загадка.

[serg28serg]

Я уже думал про использование аналога схемы твердотельного реле .. но там много минусов. первый и большой - это в десятки и сотни раз выше проходное сопротивление (2-0.25 Ом). Второе это время коммутации для такой схему в разы больше.)

У говорил не о применении оптореле , а о изучении схемотехники…
У вас схема неправильная – мощные мосфеты соединенные в параллель , датут встречно-параллельное включение встроенных диодов, то есть один из диодов всегда будет открыт..
Поэтому надо юзать последовательное включение мосфетов, а точнее HITFETов.

Насчет в обратном включении диодов я если честно то забыл. думал может какой семиристор подобрать, но у них времена большие и сопротивление канала высокое .. Тупик короче)

Все зависит от требований, можно применить кучу всего (реле, симистор, биполярник, FET)
Выбирать исходя из нужного времени включения-выключения, скорости переключения , напряжения падения, рабочего тока и перегрузки….
А там хоть тиратрон применяйте…

Так же не забыть о ограничилках напруги во время закрытия ключа – выбросы будут большими, у меня даже TVS диоды в SMA корпусе горели от выброса, при размыкании КЗ на выходе транса

[serg28serg]

Я уже думал про использование аналога схемы твердотельного реле .. но там много минусов. первый и большой - это в десятки и сотни раз выше проходное сопротивление (2-0.25 Ом). Второе это время коммутации для такой схему в разы больше.

Читай тех док что я давал ссылку для HITFET (MOSFET) выше
вот характеристики, к примеру
BTS 949
Drain source voltage VDS 60 V
On-state resistance RDS(on) 18 mOm
Current limit ID(lim) 9.5 A
ton mks 40
toff mks - 70

Включать их соответственно последовательно (так применяют в твердотельных реле еще)

[faru]

Спасибо Сергей,
я уже посмотрел данный по HITFET-ам. Главное что времена преключения у них велики, а также проходной ток в десятки раз меньше чем требуется, и самое главное перех. сопротивление не 4-7 а 18 мОм. Есть же мосфеты и без диода, не так ли ? Сейчас просто пытаюсь придумать как бы два n-канальных соединить паралельно (вх. через логику) так, что каждый свой полупериод замыкал.

[serg28serg]

Спасибо Сергей,
я уже посмотрел данный по HITFET-ам. Главное что времена преключения у них велики, а также проходной ток в десятки раз меньше чем требуется, и самое главное перех. сопротивление не 4-7 а 18 мОм.

Так надо бы техтребования выложить
Типа
Максимальная напруга
рабочий ток
ток срабатывания защиты
Максимальная допустимая мощность на корпус

и динамику
время включения и выключения
рабочую частоту

А то кто ж рассматривает симистор , если по временам даже HITFET не устраивает

[faru]

Ок, как целевые параметры:

сопротивление канала ‹ 10 мОм,
tвкл и tвыкл ‹ 3 uS
сквозной ток на единицу › 80А
пр.и обр. напряжения ‹ 40В

Все ост не существенно.

[alberio]

ИМХО, с таким маленьким напряжением вы в тупике - надо доматывать вторичку!

[DMJ]

Для коммутации переменного тока полевые транзисторы включают не параллельно, а последовательно - истоки вместе, затворы вместе, а стоки - в коммутируемую цепь. Такая рекоментация есть на сайте International Rectifier и широко используется. Есть много схем, например, в "Радио".

Дело в том, что в каждом таком транзисторе есть диод, включенный катодом к стоку, а анодом - к истоку (если транзистор n-канальный, у p-канального наоборот). Обычно этот диод называют защитным, но на самом деле это элемент транзисторной структуры, получающийся "сам собой".
Так вот, при закрытом транзисторе все полупериоды обратной для него полярности пройдут через этот диод, а при открытом он ни на что не влияет, поскольку сопротивление открытого канала меньше. Поэтому и нельзя включать полевые транзисторы встречно-параллельно - даже если они закрыты, ток пойдет через диоды. А если включить встречно последовательно,именно соединенные так диоды ток и не пропустят. Одинаковые открывающие сигналы подают на оба затвора одновременно (т. е. достаточно одного источника этих импульсов).
По сравнению с одиночным транзистором сопротивление открытого ключа возрастет, конечно, вдвое - но что делать? Подберите транзисторы с очень маленьким сопротивлением. Сегодня такие есть.

[faru]

Т.е. утверждаете что "шунтовой диод" имеют все мощные МОП транзисторы как неизбежный технологический "довесок" от внутренней структуры полупроводникового "пирога" ? Даже те, у которых он не обозначен на схеме ?

При последовательном неизбежно придется пойти на ›2-х кратное увеличние Rси, А быстродействие такого составного ключа тоже уменьшится в разы ?