Симулятор LTspice XVII

[vladh]

bordodynov, но вот что непонятно. Я в Вашей схеме установил конденсатор на 1000 мкФ, хотя реально сейчас пробовал 470 мкФ. И реально рассеиваемая мощность на транзисторе сильно снизилась, а в Вашей модели упала только до 400 Вт. Почему?

[bordodynov]

bordodynov, но вот что непонятно. Я в Вашей схеме установил конденсатор на 1000 мкФ, хотя реально сейчас пробовал 470 мкФ. И реально рассеиваемая мощность на транзисторе сильно снизилась, а в Вашей модели упала только до 400 Вт. Почему?

Я же писал, что индуктивности проводов от балды. Можно их подсчитать зная толщину провода и длину. Проводов два, для плюса и для минуса. меня в библиотеке есть паразитная индуктивность, параметрами которой является длина провода и диаметр. Программа сама подсчитает индуктивность. И надо ставить реальный ESR конденсаторов на высокой частоте. На высокой частоте (30 кГц) это сопротивление меньше раз в 10, чем на 100 Гц. И допустимый ток примерно раз в 10 больше. По поводу электролита. Он у вас не греется? Смотрите допустимый импульсный ток.

[vladh]

По поводу электролита. Он у вас не греется?

Нет.
Вы говорите, что моя беда была вызвана паразитными индуктивностями по цепи питания. Но вот я в своей схеме вставил в схему дроссель между верхним диодом и стоком транзистора. Определил ему индуктивность в размере 0,4 мкФ, и запустил моделирование. На стоке я увидел выбросы под 200 В, как и в реале. Но мощность выделяемая на транзисторе увеличилась немного. Почему?

[bordodynov]

Нет.
Вы говорите, что моя беда была вызвана паразитными индуктивностями по цепи питания. Но вот я в своей схеме вставил в схему дроссель между верхним диодом и стоком транзистора. Определил ему индуктивность в размере 0,4 мкФ, и запустил моделирование. На стоке я увидел выбросы под 200 В, как и в реале. Но мощность выделяемая на транзисторе увеличилась немного. Почему?

Я не знаю, что вы моделируете. Я в схему вставил кучу паразитных индуктивностей: стока, истока, затвора по 10 нГн, и по цепям питания две индуктивности по 100 нГн. Также паразитная индуктивность диода 20 нГн. Уже индуктивности элементов дадут выброс. Их вредный эффект устраняют, поставив трансил по питанию.
А вы выставили тот же ток в нагрузке?
Лучше если вы загрузите свою схему, а то может получиться, что мы с вами говорим об разных схемах.
И тогда ещё объясните почему добавление ёмкости уменьшило мощность транзистора. И пожалуйста какие проводники вы используете в питании: длина диаметр.

[vladh]

От ИП идут провода диаметром 1,5 мм и длиной 1 м. Проходят через контактную колодку и далее провод диаметром 2 мм и длиной 15 см до диода. После диода опять провод 10 см и диаметром 2 мм.

[bordodynov]

Хорошо, я завтра посчитаю. Но вы всё таки загрузите вашу схему.
Вот программа посчитала три ваших индуктивности в Генри:
l:u1:1 nc_01 0 1.42777473417479e-006=1.43uH
l:u2:1 nc_02 0 1.48760243406089e-007=0.149uH
l:u3:1 nc_03 0 9.11160601085629e-008=0.091uH

Я поражён. К сожалению индуктивность от толщины провода зависит логарифмически. Это указывает, что обязательно должны быть конденсаторы по питанию.

[vladh]

Но вы всё таки загрузите вашу схему.

Я же представил схему в предыдущем посте.

[bordodynov]

Извините, не заметил. У вас резистор 5,6 , а не как надо 5.6 . У меня модель диода шоттки половины. Я добавил множитель m=2.
Как провода питания идут от источника, они идут раздельно или рядом параллельно? Лучше было бы чтобы они были свиты. Тогда получится меньшая индуктивность. Я же рассчитал индуктивность отдельного проводника.

[vladh]

Как провода питания идут от источника, они идут раздельно или рядом параллельно?

Спасибо за замеченные опечатки.
Провода лежат "как бык по..ал"

[bordodynov]

Вам требуется рационализировать монтаж: скрутить провода питания, уменьшить индуктивность проводов разводки. Для этого можно использовать параллельные провода. Вместо одного электролита на 1000 мкФ используйте 10 по 100 мкф.