Симуляции армии клонов от tipa до Алекс63

[Aleksandr52]

Aleksandr52,
вы учите человека плохому, а делать плохие схемы он может и сам (см. выше).
При напряжении на стоке 20 в, а на затворе транзистора 17 В транзистор находится в линейном режиме и рассеивает мощность 6 Вт. На транзисторе минимальное напряжение примерно 5 В! Для работы в ключевом режиме на затворе должно быть напряжение как минимум на 5 вольт больше питания. В данном случае 25 В, а лучше и больше. Использовать в таком вашем режиме транзистор глупо.

Не понял про какой линейный режим вы говорите на мосфете. Линейный режим у него есть. Но это не нормированный параметр. И он практически негде не прописывается. Этот мосфет работает на затвор-исток 20в. Ну можно 18 или 17. Если подавать меньше то он просто не полностью откроет канал исток-сток. И это заявленное в даташите сопротивление 0.0058 ом исток-сток в открытом состоянии резко возрастет. Увеличиться нагрев. При напряжении 20в на затворе канал в открытом состоянии - это просто проволока. Про какие разницы в 5в вы вещаете, сами выдумали. Даже если вы на него по каналу подаете не 20в а 10в то напряжение открытия должно быть 20в. Вы что с мосфетами никогда не работали.
По вашему значит если я работаю на нем с 40в по стоку то напряжение на затворе я должен подавать 35в. По вашей теории. Вы наверное пожгли их много но так и не научились с ними работать.

[ForcePoint]

Если подавать меньше то он просто не полностью откроет канал исток-сток.

Так в Вашей схеме на затвор и подаётся меньше, чем надо для полного открытия канала - транзистор работает не ключом с общим истоком, а истоковым повторителем.

[Aleksandr52]

Так в Вашей схеме на затвор и подаётся меньше, чем надо для полного открытия канала - транзистор работает не ключом с общим истоком, а истоковым повторителем.

Каким истоковым повторителем. При 17в он ключ. Проще говоря кусок проволоки. Вот тест на сопротивление канала при закрытом и открытых состояниях. Он резко переходит на минимальные сопротивления. И разницы в три вольта нет. Но обычно нужно всегда ставить макс напр. на затворе.
Забудьте вы про линейные режимы на мосфетах. Это на усилительных -линейных МОП мощных Советских есть этот режим плавного перехода сопротивления от напряжения на затворе. Кстати этот режим используется как потенциометр управляемый напряжением в ГУНах.

[bordodynov]

Aleksandr52,
оказывается, что вы не знаете как работает МОП транзистор. Да, при напряжении 17 В на затворе и 0 В на истоке он конечно же ключ, но здесь на истоке не 0 В! ВажнО напряжение Затвор-Исток! И да, в вашей схеме транзистор работает истоковым повторителем в усилительном режиме, не в ключевом.
Вот посмотрите пример и обратите внимание на мощность и напряжение на истоках:

[Алекс63]

Всё доводите до абсурда.

Дико извиняюсь, конечно, за малограмотность в этой области! Но меня учили именно всё доводить до разрушения трёх типов и потери устойчивости трёх видов. Таков должен быть конечный результат расчётов строительных конструкций, да и не только их. А здесь мне интересно добывать другие знания, поэтому, пожалуйста!!!,-не уходите!
---------------------------------------------

Что под этим подразумевается?

Нет никаких секретов.
2N6762JAN MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: 2N6762JAN
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 75 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 50 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 30 nC
Время нарастания (tr): 30 ns
Выходная емкость (Cd): 200 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.5 Ohm
Тип корпуса: TO3
Аналог (замена) для 2N6762JAN

[Yuri222]

Алекс63, значит, я понял правильно, что Вы имели в виду.
Мосфеты с 30В затвор-исток - видел даташиты, потому 50-ти вольтам и удивился.
Посмотрите, что я нашел:

И обратите внимание на производителя этого транзистора.

[Алекс63]

потому 50-ти вольтам и удивился.

А я удивился 120 Вольтам, хотя разноречивые параметры выдаются...CS1010EA8 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: CS1010EA8
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 230 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 120 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 120 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 75 nC
Время нарастания (tr): 82 ns
Выходная емкость (Cd): 740 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.012 Ohm
Параметры беру отсюда: https://alltransistors.com/ru/mosfet...ansistor=41544
Александр Петрович, думаю, как создатель полевых транзисторов, даст нам ответ, возможно-ли такое, чтоб саурз-дрэйн было 60 Вольт, а гэйт-саурз 120 (!!!)
3N165, 3N166 по 125 Вольт Ugs(!!!)

[ForcePoint]

Вангую, что 120 В - очепятка.

[Yuri222]

Параметры беру отсюда

а я чаще всего с alldatasheet.com

Тем не менее - даже на том сайте, что Вы дали ссылку - внизу есть норм. даташит,
где:

VGS Gate-to-Source Voltage ±20 V

возможно-ли такое, чтоб саурз-дрэйн было 60 Вольт, а гэйт-саурз 120 (!!!)

Я думаю - при бооольшом желании возможно всё - НО - зачем?! И - какой ценой (т.е. - за чсет потери каких других параметров сие непотребство будет достигнуто)

[bordodynov]

Алекс63,
я поискал даташит на этот транзистор. В нём допустимое напряжение на затворе не указан. Нашёл я и ваш справочный листок на образовательном ресурсе т.е. это не официальная информация. Нашёл я в интернете максимальное напряжение на затворе 500 В.
А вот другая информация:

за чсет потери каких других параметров сие непотребство будет достигнуто

Можно увеличить толщину подзатворного окисла в 2.5 раза, но при этом сопротивление канала возрастёт. И нужно будет подавать на затвор не 12 В, а все 30 - 40 В.