Токовое зеркало.

[parovoZZ]

Не шунтировали, а соединили, вход с выходом.

Какая-то ОС получилась? Или как это понимать? Смысл этой схематики какой?

Здесь надо вернуться к истокам. Мы же что хотим? Мы хотим получить источник тока. Как получить? Классическая теория что гласит: если напряжение на базе транзистора постоянно (относительно эмиттера), то ток через эмиттер также постоянен. Но т.к. ток эмиттера мало отличается от тока коллектора, то последний также постоянен вне зависимости от напряжения коллектора. Как зафиксировать напряжение на базе? Первое, что приходит в голову - резистивный делитель. Но тут надо вспомнить, что характеристики транзистора зависят от температуры. Казалось бы - ток через коллектор постоянен, значит и температура кристалла постоянна. Но как только мы начнем менять напряжение на коллекторе, то мощность, рассеиваемая транзистором, также будет меняться. Что неизбежно приведет к изменению температуры кристалла. Значит, надо как-то ввести температурную коррекцию. Классическая эмиттерная коррекция ситуацию спасет, но она плоха работает на низких частотах, да и требует громоздкого конденсатора. Поэтому нижний резистор делителя заменяют диодом. Что это дает? При увеличении температуры ток через диод возрастает, напряжение вследствие этого на нем падает, но одновременно падает напряжение и на базе транзистора/источника тока. Но так мы отслеживаем только окружающую температуру, а нам бы хотелось отслеживать температуру непосредственно кристалла транзистора. Необходимо их физически соединить. Но характеристики отдельно взятого диода и характеристики эмиттерного перехода отдельно взятого транзистора наверняка совпадают не идеально. К тому же объединить кристаллы дискретных элементов сложнее, чем интегральных. Поэтому эта схема работает очень хорошо именно тогда, когда оба p-n перехода расположены на одной подложке. И на самом деле промышленность выпускает как подобранные пары транзисторов, так и интегральные токовые зеркала.

[parovoZZ]

Uбэ=Uкэ.
Что то не соображу??? Uбэ лежит в диапазоне 0..0,7в при таких значениях на Uкэ транзистор будет всегда в насыщении???

Ну какой транзистор? Это классический диод со всеми его повадками.

Да я просто давно читал её, непомню какой именно процесс описывает картинка...

В любой мурзилке по транзисторной схемотехнике разбирается работа классического токового зеркала.

[ForcePoint]

Если разорвать коллектор весь ток пойдёт через базу она же сгорит синем пламенем???

[смущенно шаркает ножкой] Там резистор-же... в 249-м.

ток должен пройти через шунт а он по прежнему идёт через базу - коллектор???

И через базу-эмиттер (маленький, базовый) и через коллектор-базу-эмиттер (основной).

Цитата:

Uбэ=Uкэ.

Что то не соображу??? Uбэ лежит в диапазоне 0..0,7в при таких значениях на Uкэ транзистор будет всегда в насыщении???

Нет, лежит в несколько большем диапазоне. Но это пока не важно.
Нет, не в насыщении. В активном режиме.

Ну какой транзистор? Это классический диод со всеми его повадками.

"И вдруг - Бермуды. Вот те раз, нельзя же так!" (с)

[sxemak]

Здесь надо вернуться к истокам. Мы же что хотим? Мы хотим получить источник тока. Как получить? Классическая теория что гласит: если напряжение на базе транзистора постоянно (относительно эмиттера), то ток через эмиттер также постоянен. Но т.к. ток эмиттера мало отличается от тока коллектора, то последний также постоянен вне зависимости от напряжения коллектора. Как зафиксировать напряжение на базе? Первое, что приходит в голову - резистивный делитель. Но тут надо вспомнить, что характеристики транзистора зависят от температуры. Казалось бы - ток через коллектор постоянен, значит и температура кристалла постоянна. Но как только мы начнем менять напряжение на коллекторе, то мощность, рассеиваемая транзистором, также будет меняться. Что неизбежно приведет к изменению температуры кристалла. Значит, надо как-то ввести температурную коррекцию. Классическая эмиттерная коррекция ситуацию спасет, но она плоха работает на низких частотах, да и требует громоздкого конденсатора. Поэтому нижний резистор делителя заменяют диодом. Что это дает? При увеличении температуры ток через диод возрастает, напряжение вследствие этого на нем падает, но одновременно падает напряжение и на базе транзистора/источника тока. Но так мы отслеживаем только окружающую температуру, а нам бы хотелось отслеживать температуру непосредственно кристалла транзистора. Необходимо их физически соединить. Но характеристики отдельно взятого диода и характеристики эмиттерного перехода отдельно взятого транзистора наверняка совпадают не идеально. К тому же объединить кристаллы дискретных элементов сложнее, чем интегральных. Поэтому эта схема работает очень хорошо именно тогда, когда оба p-n перехода расположены на одной подложке. И на самом деле промышленность выпускает как подобранные пары транзисторов, так и интегральные токовые зеркала.

Да я это знал, даже добавлю чтобы ВАХ диода и транзистора вследствии нагрева смещалась одинаково диод и транзистор вешают на один радиатор для одинакового нагрева...
Вопрос в другом замкнув базу и коллектор что хотели этим добиться?
Если диод, то весь ток должен идти через шунт нооо нееет он в активном режиме оказывается???

[sxemak]

[смущенно шаркает ножкой] Там резистор-же... в 249-м.


И через базу-эмиттер (маленький, базовый) и через коллектор-базу-эмиттер (основной).


Нет, лежит в несколько большем диапазоне. Но это пока не важно.
Нет, не в насыщении. В активном режиме.

В каком большем диапазоне?
Падение напряжения на переходе Uб-э лежит в пределах 0,6-0,7в дальше ВАХ взмывает вверх и дальнейшее увеличение тока приведёт к пробою перехода...
Или имелось введу составной транзистор Uб-э=1,2в ???

[zoog]

Давайте пока условимся, что ток базы пренебрежимо мал и м.б. положен =0.

Uбэ лежит в диапазоне 0..0,7в при таких значениях на Uкэ транзистор будет всегда в насыщении???

Пока ток h21э не падает в 10 раз - будем считать насыщение отсутствующим. Да, к-б смещён прямо, но ток через него при напряжении 0..0,5В пренебрежимо мал.

[parovoZZ]

Вопрос в другом замкнув базу и коллектор что хотели этим добиться?

Магического превращения транзистора в диод, т.к. переход б-к здесь не нужен.

Если диод, то весь ток должен идти через шунт нооо нееет он в активном режиме оказывается???

Ну если у диода есть такой режим, то да.

Падение напряжения на переходе Uб-э лежит в пределах 0,6-0,7в

Ну уж. Чай диод самый обыкновенный, а не Шоттки. Другое дело, что сильно "задирать" напряжение на диоде не стоит, т.к. кроме как увеличения тока в режиме покоя это ни к чему не приведет.

[zoog]

Магического превращения транзистора в диод, т.к. переход б-к здесь не нужен

Ошибаетесь, в ТЗ это принципиально.

[parovoZZ]

в ТЗ

В каком ещё ТЗ?

[zoog]

Название темы.