Токовое зеркало.

[parovoZZ]

Название темы.

И как название темы противоречит тому, что транзистор превращен в диод?

[zoog]

С простым диодом ТЗ потеряет точность.

[parovoZZ]

С простым диодом ТЗ потеряет точность.

Геран пробегал мимо и покусал? Я для кого пишу:

Но характеристики отдельно взятого диода и характеристики эмиттерного перехода отдельно взятого транзистора наверняка совпадают не идеально. К тому же объединить кристаллы дискретных элементов сложнее, чем интегральных. Поэтому эта схема работает очень хорошо именно тогда, когда оба p-n перехода расположены на одной подложке. И на самом деле промышленность выпускает как подобранные пары транзисторов, так и интегральные токовые зеркала.

[parovoZZ]

На самом деле параметры приведенного токового зеркала можно значительно улучшить, если ввести ещё один транзистор. Как пример, схемка ниже. Здесь база VT1 сидит на месте "мертвой хваткой".

[zoog]

Я для кого пишу:

Для кхемака, очевидно) По-Вашему, транзистор используется лишь как диод с идентичным переходом, но это не так, он работает именно как транзистор. Поэтому оторвать коллектор такого "диода" нельзя.
Плюс вопрошают совсем о другом.

[ForcePoint]

В каком большем диапазоне?
Падение напряжения на переходе Uб-э лежит в пределах 0,6-0,7в дальше ВАХ взмывает вверх и дальнейшее увеличение тока приведёт к пробою перехода...

Именно в этом, а не от нуля. Ну разве-что до 1 В иногда можно добраться, "в прыжке". И всё это - для одного перехода в кремнии, не для составных транзисторов.
Но это пока не важно. Важно - равенство напряжений база-эмиттер двух транзисторов. Отсюда, по той монструозной формуле, - будет равны (с достаточно малым технологическим разбросом) их коллекторные токи.

Вопрос в другом замкнув базу и коллектор что хотели этим добиться?

Того, что нам нужно уравнять коллекторные токи (см. предыдущее), а не ток базы одного транзистора с током коллектора другого (что дало-бы нам чудовищные разбеги при изменениях задающего тока зеркала и температуры). С неточностью, обусловленной током двух баз, который [бесцельно] отнимается от входного тока зеркала, - приходится мириться (или устранять другими методами).

Вот ещё картинка в развитие 249-го сообщения. VT1 - точь-в-точь как там, только напряжение "батарейки" меняется от 2 до 10 В.
Ток базы VT2 - задан равным току базы VT1. Почему уменьшилось напряжение на базовом переходе при отключении коллектора?

Нажмите, чтобы открыть спойлер

Потому, что не стало падения напряжения на сопротивлении эмиттера от многократно большего тока коллектора (коллектор-база-эмиттер).

Ток базы VT3 - задан равным току эмиттера VT1 (базовый + коллекторный). Почему увеличилось напряжение на базовом переходе при отключении коллектора?

Нажмите, чтобы открыть спойлер

Потому, что [транзистор с закороченными базой и коллектором не эквивалентен диоду!] многократно выросший ток увеличил падение напряжения на сопротивлении базы (которое больше сопротивления эмиттера).
Так-же обрати внимание, что кривые для VT1 и VT2 - весьма параллельны (падение сопротивления эмиттера с ростом тока). А для VT1 и VT3 - "разбегаются" (больше ток через примерно одно и то-же сопротивление).

Sapienti sat.

[parovoZZ]

Поэтому оторвать коллектор такого "диода" нельзя.

Можно. Но весь ток будет держать базовый переход вместо коллекторного.

По-Вашему, транзистор используется лишь как диод с идентичным переходом, но это не так, он работает именно как транзистор

Между отсечкой и насыщением (а дойдем ли до насыщения или база быстрее выгорит))?) именно как диод и работает.

[bordodynov]

Перечитайте и возвращайтесь, азбуку Вам повторять не буду.

Я посмотрел, всё верно же сказал... Зависимость тока коллектора от тока базы???
IK = h21Э*IБ

Uбэ=Uкэ.
Что то не соображу??? Uбэ лежит в диапазоне 0..0,7в при таких значениях на Uкэ транзистор будет всегда в насыщении???

Хотя бы из любопытства посмотрите модель Эберса-Молла. Посмотрите "Основы транзисторов и транзисторных схем" Степаненко. А вначале изучите диод. Если вы это изучите и поймёте, то сами сможете отвечать на вопросы.

[sxemak]

Я вспомнил такое дело что... При обльшом коэффициенте усиления h21э, транзистор начинает вести себя не стабильно, чем больше усиление тем больше нелинейные искажения и чтобы избавится от них мы вводим сильную ОС чтобы уменьшить коэффициент усиления а тем самым компенсировать темпиратуную нестабильность.

"Uбэ=Uкэ
Давайте пока условимся, что ток базы пренебрежимо мал и м.б. положен =0.

Пока ток h21э не падает в 10 раз - будем считать насыщение отсутствующим. Да, к-б смещён прямо, но ток через него при напряжении 0..0,5В пренебрежимо мал."

Вот это, это намёк на глубокую ОС???

[bordodynov]

Я вспомнил такое дело что... При обльшом коэффициенте усиления h21э, транзистор начинает вести себя не стабильно, чем больше усиление тем больше нелинейные искажения и чтобы избавится от них мы вводим сильную ОС чтобы уменьшить коэффициент усиления а тем самым компенсировать темпиратуную нестабильность.

"Uбэ=Uкэ
Давайте пока условимся, что ток базы пренебрежимо мал и м.б. положен =0.

Пока ток h21э не падает в 10 раз - будем считать насыщение отсутствующим. Да, к-б смещён прямо, но ток через него при напряжении 0..0,5В пренебрежимо мал."

Вот это, это намёк на глубокую ОС???

Ваше утверждение неверно. Только в исключительном случае, когда режим транзистора задаётся одним резистором (с питание на базу транзистора) такой факт есть. Но так делают начинающие любители. И этот способ - наследие прошлого, когда германиевые транзисторы имели малый коэффициент усиления. Моя первая, спаянная схема на транзисторе МП39 была именно такая и она работала. В нормальной схеме (правильно спроектированной схеме) стабильность (режим) практически не зависит от бэта транзистора. По поводу отсутствия режима насыщения. Допустимое прямое напряжение на коллекторном переходе 0.3 - 0.35 В. Тогда этот избыточный ток существенно меньше нормального базового тока и транзистор можно считать в активном режиме. Но это верно для нормальной температуры. При повышенной это будет не так. Также это верно при небольших токах. При больших токах появляется дополнительное падение напряжения на паразитном сопротивлении коллектора. При этом падение на внутреннем коллекторном p-n переходе будет больше, чем внешнее напряжение база-коллектор. При достаточном токе в этом случае даже при напряжении база-коллектор равном нулю транзистор будет в насыщении (на внутреннем коллекторном p-n переходе будет больше 0.35 В).