МОП ключ в режиме КЗ

[alberio]

Как я уже писал в MOSFET с изолированым затвором и индуцированым каналом входит диод, погуглите строение таких транзисторов... Диод получается из-за соединения подложки (на ней стрелочка) и истока.
Есть транзисторы, в которых вывод подложки отдельно, там диода нет...

[faru]

Ну неужели нет никаких других схемотехнических решений ?! зачем мне лбовые атаки проблемы ? Само решение со встречным включением по типу а-ля твердотельного реле - фигня полная для моего случая. Минусов много:

1) как мин. двукратно увеличивается прох. сопр. канала.
2) соотв. 2-х кратный рассеивание мощности на ключе.
3) МОП с сопр. ‹ 10 мОм стоят ~300 рэ, а 2-3 мОм ~800 рэ
в этом случае для моей задачи нужно ~80 штук таких
3) быстродействие соотв. как мин. в 3 раза ниже
4) P-кан МОПов с Rси ‹10 мОм и Iси ›80А нет существует!

[alberio]

Вы хотите просто, дешево, и чтоб удовлетворяло ваши ТУ... И в деда Мороза, наверное верите.

Скажите, а почему не ДОМОТАТЬ вторичку?!
Мощность вторички равна мощности первички, умноженой на КПД трансформатора.
А мощность как мы знаем вычисляется по нехитрой формуле P=U*I.
У вас большой ток и мало напряжение, что и порождает все проблемы.
После того, как домотаете вторичку напряжение вырастет, ток упадет - и ставте хоть мосфеты, хоть биполярники хоть тиристоры с симмисторами...
А мощность рассеиваимая в исследуемом сердечнике останется ТА ЖЕ.
Или я не полностью понял вашу задачу, тогда обьясните, почему моё предложение вам не подходит.

[serg28serg]

Ну неужели нет никаких других схемотехнических решений ?! зачем мне лбовые атаки проблемы ? Само решение со встречным включением по типу а-ля твердотельного реле - фигня полная для моего случая.

Для твоего случая , при скорости десятки микросекунд – FETы - самый предпочтительный выбор

Минусов много:
1) как мин. двукратно увеличивается прох. сопр. канала.

Да где ж двухкратно, гораздо больше
Возьмем для рассмотрения к примеру
IRFP4368
Имеет
RDS(on) typ. 1.46mОm
Максимальная напруга - 75 V
Встроенный диод имеет падение напргуги по Fig 7. – примерно 0,7 В при 80А, не сложным расчетом считаем эквивалентное сопротивление 0,7В / 80А = 8,7 мОм
То есть эквивалентное сопро открытого диода на 80А больше в шесть раз открытого канала фета, на 80А суммарное около 10 мОм

2) соотв. 2-х кратный рассеивание мощности на ключе.

Исходя из предыдущих расчетов – в 7 раз больше на 80 Амперах

3) МОП с сопр. ‹ 10 мОм стоят ~300 рэ, а 2-3 мОм ~800 рэ
в этом случае для моей задачи нужно ~80 штук таких

Посмотри цену в платане , для 80 шт. IRFP4368 будет стоить около 160 руб.
Ваще на такие токи и время переключения не стоит рассчитывать на копейки

3) быстродействие соотв. как мин. в 3 раза ниже

у IRFP4368 быстродействие 0,2 uS

4) P-кан МОПов с Rси ‹10 мОм и Iси ›80А нет существует!

Тут не только я указывал, что биполярную напругу надо коммутировать двумя FET одной структуры , и желательно N
Суммарные эквивалентные 10 мОм на 80 А я думаю устроят, радиатор желательно общий типа через термопрокладку, и стоимость суммарная 400 руб.
Естественно для такой емкости затвора потребуется драйвер раскачки, что делают специально для мосфетов, емкость затворов у таких фетов прямо таки бешенная…

Естественно TVS диоды для защиты от выбросов перенапруги , в момент закрытия на индуктивность.

[tauP10]

Минусов много:
1) как мин. двукратно увеличивается прох. сопр. канала.

Это не страшно

2) соотв. 2-х кратный рассеивание мощности на ключе.

ну и что, вам же серьезную установку делать, науку вперед двигать.

3) МОП с сопр. ‹ 10 мОм стоят ~300 рэ, а 2-3 мОм ~800 рэ
в этом случае для моей задачи нужно ~80 штук таких

Неправда
в терраэлектронике
IRF1324S-7PPBF 24V 429 Ампёр 0,0008 Омов 141.90 рупь в розницу поштучно 115.78 рупь мелкий опт
104.47 рубля от 50шт


IRF2804S-7PPBF 40V 160А 0,0016 омов 82.63 целковых от 50 штук

BUK752R3-40C.127 40V 100A 0,0023 Ом 25.86 руб в розницу

3) быстродействие соотв. как мин. в 3 раза ниже

какое такое быстродействие на 40 кГц ?

4) P-кан МОПов с Rси ‹10 мОм и Iси ›80А нет существует!

фтопку Р-канал

[faru]

Угу, короче хором затоптали меня .. живого ))


Двигаю я её в т.ч. за свой счет, все бедные кругом,и не капает ничего обратно, хоть тщеславие потешу))

›фтопку Р-канал

можно пояснить рисунком ? для тех, кто не выше среднего

›емкость затворов у таких фетов прямо таки бешенная…

подскажите, как считается эта емкость, к примеру для IRFP4368

[serg28serg]

Двигаю я её в т.ч. за свой счет, все бедные кругом,и не капает ничего обратно, хоть тщеславие потешу))

Тщеславие можно потешить и на одной штуке , а не 40-ка девайсами , катушку Тесла чель собираешь , а от нас скрываешь.

можно пояснить рисунком ? для тех, кто не выше среднего

Схема на двух N не стоит даже рисунка , правда всегда найдутся добрые самаритяне , достаточно словесного описания:
ФЕТы по управлению соединяются параллельно, по выходу – последовательно.
То есть берется два фета и
G – соединяются вместе (сюда коннектить выход драйвера)
S – соединяются вместе (это общий схемы управления)
D – по раздельности два полюса (это и есть выход ключевого элемента)
Рисунков таких полно

подскажите, как считается эта емкость, к примеру для IRFP4368

Емкости не считается , она указывается в даташите, ваще много чего указывается в даташите – это главный документ по которому должны жить мосфеты – отель и черпать информацию, зря я чель ссылку давал выше
Смотрим даташит на IRFP4368 , видим
Ciss Input Capacitance ––– 19230 ––– pF
Это на один , соответственно у нас два затвора в параллель, так что получается нам надо перезаряжать достаточно быстро 40 нанофарад
Соответственно скорость перезаряда и нужный ток драйвера , уж подбираем под себя по расчету исходя из емкости и напряжения управления затвором (обычно около 12 В)

Соответственно время on и off что я указал выше 0,2 микросекунды, это для идеального случая, то есть время фронта перезаряда не учитываем - берется идеальным ноль наносекунд, но мы ж не сможем мгновенно перезарядить затвор , а фронты будут длится какое то время и мы к времени 0,2 мкс должны добавить еще время перезарядного фронта затвора, а это может быть гораздо больше чем 0,2 мкс, все зависит от драйвера , для крутых фронтов на емкости 40 нан должен быть хороший драйвер.

[estet]

Лучше/легче привязаться к заряду - он в даташите точно есть; Q=I*t - выбираем нужное быстродействие и считаем в одно действие ток драйвера

[faru]

Спасибо други)

Это не штуки, а все для одного девайса. Теслами думаю все мы перегорели давно реально делаю по учебе, если не напишу до зимы выгонят меня бездельника) Получится, может фото кину этой линейки-суперключа на ~10^3 ампер ) Еще я тут успею мосх всем съесть, тк формирователь импульсов нужен на МК, но как и что пока не знаю, но там однозначно проще задачка будет.

[tsynka]

Зачем "Р" канал, среди них мало интересного, применяю только по нужде. Ключ для переменного напряжения легко строится на двух "N" каналах встречно включенных - S вместе, D - выводы ключа, G - вместе, стандартное управление. Весь секис в том, что MOSFEET "открывается" в обоих направлениях т.е на открытый полОвик внутренний диод не оказывает влияния. Обратная характеристика не приводится в документации, т.к. она повторяет прямую. Когда управление =0, схема превращается в 2 встречно ключенных диода (внутренних).
Недостаток - удвоенное напряжение падения.
Преимущество - простота и, практически, единственный выход.