Полевые транзисторы - Страница 3

putmannn · 10.10.2011, 21:28

Я учусь, но пока всё это удержать в голове не могу.
Спасибо, что доходчиво объяснили, попробую поставить 5-10 ом.
Поэксперементирую.

putmannn · 10.10.2011, 22:44

Увеличение сопротивления на затворе с 1-го ома до 10-ти не принесло результатов.
Сделал дроссель вот из ТАКОГО RM6 феррита, КПД на 2% поднялось.
Только непонятно, почему при индуктивности 330 мкГн и при 105 мкГн практически одинаковые осциллограммы и одинаковый КПД ? Толщина медного провода 0.9 мм.
Интересно, приведите для примера какая осциллограмма должна быть, чтобы были минимальные потери. У меня большие колебания когда напряжение устанавливается в верхнем и нижнем положениях ? Из-за этого потери ?

avp94 · 10.10.2011, 23:07

Сообщение от putmannn

Увеличение сопротивления на затворе с 1-го ома до 10-ти не принесло результатов.

Колебательный процесс стал меньше?
Потери должны (если они об этом знают

) снизится, когда Вы прилепете к транзистору радиатор. Температура кристалла уменьшится, соответственно уменьшится и сопротивление канала, соответственно и потери.

putmannn · 10.10.2011, 23:15

avp94, синусоида колебательного процесса стала "правильной" формы, было не совсем "правильно", кривоватая была. Но как было на 500 наносекунд до полного выравнивания, так и осталось. Попробую сопротивления поболее, пока не увижу, что фронты станут затягиваться...
Я читал об этом статью, по моему производители IR рекомендовали 4.7 ома.
А если уменьшить частоту ? Раз 330 мкГн вместился на плату и исходя из расчётов индуктивности на калькуляторе из инета то можно понизить частоту раза в 2-3 (сейчас 62 КГц)???? тогда процентная составляющая колебаний будет меньше, соответственно КПД побольше... как думаете ?

avp94 · 10.10.2011, 23:34

Ну так и поставьте эти омы. Частоту можно понижать до тех пор, пока можно. Этим Вы снизите "динамические" потери, то есть потери при открывании и закрывании транзистора. Потери в "открытом" состоянии не изменятся.Если в схеме нет "сквозняка", то есть когда оба транзистора открыты (а его не должно быть, поскольку предыдущие транзисторы были холодные при тех же условиях - если вы не лукавили), то только эти два пути - снижение частоты (что может и не дать эффекта, если они малы), снижение сопротивления канала открытого транзистора (путем понижения температуры кристалла). Вы упорно молчите о каком-либо радиаторе.
Если у Вас источник питания с защитой по току, то можно попробовать скинуть частоту коммутации в два раза и сравнить.

putmannn · 11.10.2011, 07:55

Нашел на работе второй щуп, посмотрю одновременно как 2 транзистора открываются, вдруг и правда сквозняк. Радиатора нет, попробую на термоклей посадить.

avp94 · 11.10.2011, 10:21

Сквозняк смотрят одним щупом

, см. пост https://kazus.ru/forums/showpost.php...59&postcount=8.

putmannn · 11.10.2011, 10:24

И где и как мерить и что должно быть на осц. если всё нормально и если не нормально что будет ?
Мне проще 2-мя наверное )))

А если параллельно нижнему транзистору я шоттку поставлю ? Мне как то это советовали... как думаете, хуже не будет ?

vlad3156 · 11.10.2011, 10:50

...если мотаете на феррите то необходимо делать зазор(иначе сердечник "загоните" в насыщение)...выбрать топологию преобразователя и рассчитать дроссель можно здесь...http://www.daycounter.com/Calculator...lculator.phtml

putmannn · 11.10.2011, 11:11

А там зазор и так есть, или надо другой зазор какой то ?
Спасибо за ссылку.

В расчёте дросселя мне не понятны поля:
Diode Voltage Drop
Transistor Voltage Drop