База данных в at24с1024 - Страница 3

alex_mmmm · 22.07.2008, 11:29

будет примерно так:
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F
0000 : 01 00 10 ХХ ХХ ХХ ХХ ХХ ХХ ХХ ХХ ХХ ХХ ХХ ХХ ХХ
:
: ТУТ ОБЛАСТЬ ХРАНЕНИЯ АДРЕСОВ
:
000F : XX XX XX ХХ ХХ ХХ ХХ ХХ ХХ ХХ ХХ ХХ ХХ ХХ ХХ ХХ
0010 : YY .. .. .. - данные

- пишшем адреса в ячейку 0001 ( к примеру 2 байта - это 65535 ячеек с размером данных 1 байт !) :

к примеру, через N- циклов :
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F
0000 : 05 BB BB BB BB 01 A8 ХХ ХХ ХХ ХХ ХХ ХХ ХХ ХХ ХХ
0001 : XX XX XX ХХ ХХ ХХ ХХ ХХ ХХ ХХ ХХ ХХ ХХ ХХ ХХ ХХ
:
: ТУТ ИСПРАВНАЯ ОБЛАСТЬ ХРАНЕНИЯ АДРЕСОВ
:
000F : XX XX XX ХХ ХХ ХХ ХХ ХХ ХХ ХХ ХХ ХХ ХХ ХХ ХХ ХХ
0010 : BB BB BB BB BB BB BB BB BB BB BB BB BB BB BB BB
:
: ТУТ УЖЕ НЕИСПРАВНЫЕ ЯЧЕЙКИ ХРАНЕНИЯ ДАННЫХ
:
001A : BB BB BB BB BB BB BB BB YY XX XX XX XX XX XX XX
:
: ТУТ ИСПРАВНАЯ ОБЛАСТЬ ХРАНЕНИЯ ДАННЫХ
:

- пишшем адреса данных в ячейку 0005-ст. адрес, 0006-мл. адрес
BB- уже неисправные ячейки
YY- данные (находятся в ячейке 01A8, размер данных 1 байт !)

Slava1355 · 22.07.2008, 11:39

Добавлю свои "пять копеек" к дискуссии.
Продолжаем "изобретать велосипед".
Похожая задача решается в электронных приборных панелях автомобилей (спидометры , одометры).
Несколько нюансов EEPROM. Исходное состояние всех ячеек памяти после стирания: FF - все единицы. Пишется в ячейку "0", и только запись нулей влияет на ресурс памяти. Поэтому в электронных автомобильных спидометрах в EEPROM пишется обычно инверсное значение числа, так как в этом случае по статистике количество нулей получается меньше.
Кроме того, если вы пишете в ячейку последовательно числа: 11111111 - 01111111 - 00111111 - 00011111 - 00001111 - 00000111 - 00000011 - 00000001 - 00000000, то по ресурсу это эквивалентно только одной записи, так как каждый бит в ячейке переписывается только один раз. Поэтому, если вы для указателя блока данных выделите в начале памяти, например, 20 ячеек и указатель будете писать в вышеописанном формате, то получите для этой зоны памяти ресурс 20*8*100000=16 000 000 перезаписей.
Кроме того учтите, что при превышении гарантированного ресурса записей ячейка памяти не перестает работать, а просто в ней возрастают утечки и время гарантированного хранения данных падает ниже паспортного (обычно 10 лет). Если вас устраивает время хранения данных меньше этого значения, например 1 месяц, то для этого случая количество допустимых перезаписей памяти возрастает в несколько раз.
Кстати, по этой причине проверять, как это предлагали выше, "живая" ячейка или нет бессмысленно.

alex_mmmm · 22.07.2008, 11:46

насколько я понял, данные хаотические... так что технологии записи пробега не подходят...
перебирать ничего не надо- читаются всего 3 байта, кроме данных...

dimonbest · 22.07.2008, 12:07

Сообщение от Slava1355

Несколько нюансов EEPROM. Исходное состояние всех ячеек памяти после стирания: FF - все единицы. Пишется в ячейку "0", и только запись нулей влияет на ресурс памяти.

Хочу уточнить. Память AT24C1024. Запись постраничная.
На ресурс памяти влияет запись с 1 на 0, либо любая запись страницы памяти?

Slava1355 · 22.07.2008, 13:18

Сообщение от dimonbest

Сообщение от Slava1355

Несколько нюансов EEPROM. Исходное состояние всех ячеек памяти после стирания: FF - все единицы. Пишется в ячейку "0", и только запись нулей влияет на ресурс памяти.

Хочу уточнить. Память AT24C1024. Запись постраничная.
На ресурс памяти влияет запись с 1 на 0, либо любая запись страницы памяти?

Только запись с 1 на 0. Страница - это буферное ОЗУ внутри микросхемы памяти, которое временно хранит записываемую информацию пока происходит медленная перезапись данных в ППЗУ. Нужна для того, чтобы освободить микропроцессор от этой функции (стояния и ожидания пока очередной байт памяти будет переписан в ППЗУ).

Slava1355 · 22.07.2008, 13:24

Сообщение от alex_mmmm

насколько я понял, данные хаотические... так что технологии записи пробега не подходят...
перебирать ничего не надо- читаются всего 3 байта, кроме данных...

Подходят.
В случае, когда ваши данные имеют равномерное статистическое распределение во всем диапазоне величин вы не получаете никакого выигрыша.
Но в большинстве практических случаев, когда значения данных наиболее вероятны в нижней половине шкалы значений выигрыш будет.
В случае, если ваши данные имеют максимум в вехней половине шкалы их инвертировать не стоит.
Ну а знания об особенностях применяемой элементной базы будут полезны всегда.

P.S. Кстати, в некоторых случаях полезно проводить "рандомизацию" - умножение данных на псевдослучайную последовательность. Эта операция часто применяется при цифровой записи и передаче и позволяет сделать вероятность распределения любой величины равномерной. Повторное умножение на ту же псевдослучаюную последовательность восстанавливает исходные данные.

kmw · 22.07.2008, 13:27

Энергонезависимое СОЗУ (NV SRAM) - единственный блок, который содержит СОЗУ с низким энергопотреблением, энергонезависимый контроллер памяти и литиевую батарею. Когда основное питание становится ниже минимально требуемого для поддержания работоспособности СОЗУ, контроллер памяти в модуле переключает электропитание с внешнего источника на внутреннюю литиевую батарею и защищает от записи СОЗУ. Переходы от основного питания к питанию от литиевых батарей, и наоборот, прозрачны для СОЗУ и делают его истинно энергонезависимой памятью. Такая конструкция объединяет статические преимущества адресуемого СОЗУ - высокую скорость доступа, низкие требования по синхронизации с преимуществами энергонезависимой технологии СППЗУ. Если не стоит вопрос стоимости, то СОЗУ-модули с батарейным питанием от DSC являются идеалом для любого приложения, где традиционное СОЗУ было бы подходящим. Энергонезависимое СОЗУ по выводам совместимо с СОЗУ без батарейного питания.

Корпорация Dallas Semiconductor является ведущей в мире по технологии производства энергонезависимых статических ОЗУ (NV SRAM). Каждый модуль этих изделий состоит из СОЗУ с низким энергопотреблением, маленькой литиевой батареи и фирменного энергонезависимого чипа управления. Все перечисленные компоненты вместе формируют энергонезависимую память, которая без внешнего питания может сохранять записанную информацию более 10 лет. Время доступа для чтения и записи составляет порядка 70 нс. Все эти особенности подразумевают, что выпускаемые DSC энергонезависимые CОЗУ могут считываться и записываться быстрее неограниченное количество раз и более безопасно, чем любой другой тип энергонезависимой памяти.
Например: DS1220AB/AD.

Slava1355 · 22.07.2008, 13:53

Сообщение от kmw

Энергонезависимое СОЗУ (NV SRAM) - единственный блок, который содержит СОЗУ с низким энергопотреблением, энергонезависимый контроллер памяти и литиевую батарею. Когда основное питание становится ниже минимально требуемого для поддержания работоспособности СОЗУ, контроллер памяти в модуле переключает электропитание с внешнего источника на внутреннюю литиевую батарею и защищает от записи СОЗУ. Переходы от основного питания к питанию от литиевых батарей, и наоборот, прозрачны для СОЗУ и делают его истинно энергонезависимой памятью. Такая конструкция объединяет статические преимущества адресуемого СОЗУ - высокую скорость доступа, низкие требования по синхронизации с преимуществами энергонезависимой технологии СППЗУ. Если не стоит вопрос стоимости, то СОЗУ-модули с батарейным питанием от DSC являются идеалом для любого приложения, где традиционное СОЗУ было бы подходящим. Энергонезависимое СОЗУ по выводам совместимо с СОЗУ без батарейного питания.

Корпорация Dallas Semiconductor является ведущей в мире по технологии производства энергонезависимых статических ОЗУ (NV SRAM). Каждый модуль этих изделий состоит из СОЗУ с низким энергопотреблением, маленькой литиевой батареи и фирменного энергонезависимого чипа управления. Все перечисленные компоненты вместе формируют энергонезависимую память, которая без внешнего питания может сохранять записанную информацию более 10 лет. Время доступа для чтения и записи составляет порядка 70 нс. Все эти особенности подразумевают, что выпускаемые DSC энергонезависимые CОЗУ могут считываться и записываться быстрее неограниченное количество раз и более безопасно, чем любой другой тип энергонезависимой памяти.
Например: DS1220AB/AD.

Тогда может просто поставить "древнюю" PCF8570. Почти ничего на плате переделывать не придется. А программно вообще можно ни о чем не заморочиваться.

Прикрепленный файл: 242597.pdf

kentawrik · 22.07.2008, 22:53

Проще MicroSD припаять 2 Гигабайтную - на 10 лет хватит... сейчас они по 300-400 р... переделать прогу только на SPI придется...

zigris · 23.07.2008, 08:28

FAT16 поможет вам в расширении системы, учить там немного, один вечер на Инете. Библиотек по FAT16 навалом. Почти во всех системах есть. Опять же при расширении и модернизации системы не надо заново переписывать всю программу. Только константы в программе подправить. Скажем понадобиться вам писать 6 или 7 байт. Опять переписывать проверки, есть ли память,
Битая она? не битая? Где вы будете хранить информацию о битых байтах. FAT16 это сделает за вас. В ней решено больше проблем, чем вы даже описали о своей задаче. И с которыми обязательно столкнетесь!!!