Токовое зеркало.

[sxemak]

Почему?

Вот это, это намёк на глубокую ОС???
Ваше утверждение неверно. Только в исключительном случае, когда режим транзистора задаётся одним резистором (с питание на базу транзистора) такой факт есть. Но так делают начинающие любители. И этот способ - наследие прошлого, когда германиевые транзисторы имели малый коэффициент усиления. Моя первая, спаянная схема на транзисторе МП39 была именно такая и она работала. В нормальной схеме (правильно спроектированной схеме) стабильность (режим) практически не зависит от бэта транзистора. По поводу отсутствия режима насыщения. Допустимое прямое напряжение на коллекторном переходе 0.3 - 0.35 В. Тогда этот избыточный ток существенно меньше нормального базового тока и транзистор можно считать в активном режиме. Но это верно для нормальной температуры. При повышенной это будет не так. Также это верно при небольших токах. При больших токах появляется дополнительное падение напряжения на паразитном сопротивлении коллектора. При этом падение на внутреннем коллекторном p-n переходе будет больше, чем внешнее напряжение база-коллектор. При достаточном токе в этом случае даже при напряжении база-коллектор равном нулю транзистор будет в насыщении (на внутреннем коллекторном p-n переходе будет больше 0.35 В).

[GTK31]

Только в исключительном случае, когда режим транзистора задаётся одним резистором (с питание на базу транзистора) такой факт есть.

Вы о какой схеме начинаете тут рассказывать?
Какое отношение ваш рассказ имеет к ОС?
Вы читаете что вам пишут?

[sxemak]

Вы о какой схеме начинаете тут рассказывать?
Какое отношение ваш рассказ имеет к ОС?
Вы читаете что вам пишут?

До этого было это...


По умолчанию Re: Токовое зеркало.
Сообщение от sxemak Посмотреть сообщение
Я вспомнил такое дело что... При обльшом коэффициенте усиления h21э, транзистор начинает вести себя не стабильно, чем больше усиление тем больше нелинейные искажения и чтобы избавится от них мы вводим сильную ОС чтобы уменьшить коэффициент усиления а тем самым компенсировать темпиратуную нестабильность.

"Uбэ=Uкэ
Давайте пока условимся, что ток базы пренебрежимо мал и м.б. положен =0.

Пока ток h21э не падает в 10 раз - будем считать насыщение отсутствующим. Да, к-б смещён прямо, но ток через него при напряжении 0..0,5В пренебрежимо мал."

Вот это, это намёк на глубокую ОС???

[GTK31]

"Uбэ=Uкэ
Давайте пока условимся, что ток базы пренебрежимо мал и м.б. положен =0.
Пока ток h21э не падает в 10 раз - будем считать насыщение отсутствующим. Да, к-б смещён прямо, но ток через него при напряжении 0..0,5В пренебрежимо мал."

Откуда эта цитата, уважаемый?

[sxemak]

Откуда эта цитата, уважаемый?

Фиг с ней с цитатой.

Только в исключительном случае, когда режим транзистора задаётся одним резистором (с питание на базу транзистора) такой факт есть.

Вот эта фраза была прощёлкана...

[zoog]

Iб=Rк/Uпит-0,6
Далее
Iк=Iб*h21э

Мы тут 4 страницы говорим о формуле Iк =k*е^(Uбэ/0.025), а Вы даже не поняли, о чём речь.

[sxemak]

Мы тут 4 страницы говорим о формуле Iк =k*е^(Uбэ/0.025), а Вы даже не поняли, о чём речь.

Однозначно не понял.
Для меня сначало надо понять как это физически происходит.
А формула это вторично.

[bordodynov]

Вот посмотрите на токовое зеркало, построенное на МОП транзисторах. Это проще чем для биполярных транзисторов.

[ForcePoint]

Для меня сначало надо понять как это физически происходит.

По смешному.

А по правде - при подаче прямого смещения на переход база-эмиттер (Uбэ) большая часть носителей заряда инжектированных в базу эмиттером (Iэ) - захватывается электрическим полем коллектора (Uкэ) и переносится им через закрытый [или почти закрытый] переход (Iк). Их жалкие остатки (в большинстве случаев - менее 2 % от Iэ) формируют ток базы (Iб).

[zoog]

Поле не объяснит, почему 99,9% тока идёт в коллектор, когда его напряжение ниже, чем на базе..