Симулятор LTspice XVII

[vladh]

Yuri222
Точно не буду утверждать, но видимо хозяин темы имеет в виду, что этот драйвер обязан работать только с бустерной схемой питания верхнего раздела драйвера. Я же использую отдельный источник для этой цели.

bordodynov
В данной модели управляющие импульсы имеют очень большую длительность. Это значит, что мне не всегда надо понижать либо повышать входное напряжение. Иногда его надо просто транслировать на выход.

Это и моделирование и я действительно на практике использовал такой источник.

Вот по вашей просьбе переделал схему, но ситуация не изменилась.

[bordodynov]

vladh,
используйте Solver - Alternate.
С вашим 650 В источником микросхема имеет полное право сдохнуть. Посмотрите даташит.
Cудя по всему в модели ограничение до 500 В.

[vladh]

bordodynov
Этим Вы хотите сказать, что это ограничение приводит к отображению т.н. пробоя. Т.е. если уменьшить питание с 650 В до 450 В, есть вероятность, что все наладится?

bordodynov , похоже Вы правы. Изменив напряжение основного источника (уменьшил его) все наладилось. Спасибо.

[bordodynov]

vladh,
я посмотрел модели. Действительно есть в них стабилитроны на 525 В и на 25 В.

[vladh]

bordodynov
А у меня к вам заодно вопрос где можно найти и почитать как отредактировать модель igbt транзистора. И еще один вопрос. Где то в модели диодов Шотки есть указание на его физику, или об этом говорит только параметр прямое падение напряжения.

[bordodynov]

vladh,
в моделировании IGBT транзисторов есть два подхода: в виде описания подсхемы и элементарная модель, очень похожая на модель в Pspice. Читайте в описании Pspice (ORCAD). Моделях диодов есть параметр EG. Для кремния ~1.11 В. Для Шоттки ~0.67.
Для германия меньше. Этот параметр не определяет пятку, но позволяет правильно моделировать её изменение от температуры. Пятку определяет is и n.

Вот пример двух подходов:

* SGR20N40L FAIRCHILD NIGBT SPICE Model Parameters
* ================================================
* High Input ImPedance
* High Peak Current Capability (150A)
* Eagy Gate Drive
* ================================================
* Connections: 1(Collector) 2(Gate) 3(Emitter)
* ------------------------------------------------
.MODEL SGR20N40L NIGBT
+ TAU=4.6000E-7
+ KP=18.350
+ AREA=9.0533E-6
+ AGD=2.2633E-6
+ WB=8.2000E-5
+ VT=0.7005
+ KF=0.7305
+ CGS=4.5463E-8
+ COXD=1.5056E-7
+ VTD=-5
* =================================================

* SGN20N40L.sub by analogspiceman, rev. 1 August 7th 2004
* - - - - - - - - C G E
.subckt SGN20N40L 1 2 3
M1 4 2 3 Qi
Q1 3 4 1 Qo
.model Qi vdmos(Rg=3 Rs=1.6 Vto=1.2 Kp=22 Is=0 ; static effects
+ Cgdmax=8n Cgdmin=10p Cgs=4n Cjo=1n) ; dynamic effects
.model Qo pnp(Is=5u Nf=2.7 Bf=150 Rb=0.5 Ikf=200 ; static effects
+ Trb1=18m Eg=.75 Xtb=-.25 ; temperature effects
+ Cjc=1n Cje=0.3n tf=5n) ; dynamic effects
.ends SGN20N40L

В папке есть пример создания элементарной модели в папке Example. Она есть в большом файле на первой странице этой темы. Я сам делал модель. И модель с диодом.

[vladh]

bordodynov, у вас в вашей папке есть модель драйвера IR2113. Но вчера мы столкнулись с тем, что у этого драйвера максимальное напряжение смещения 600 В и поэтому он отказывался работать в схеме с напряжениями 650 В! Есть такой драйвер IR2213. У него этот параметр 1200 В. Все остальное практически одно и тоже. Не могли бы вы подсказать как мне отредактировать модель IR2113, чтобы получить модель IR2213.

[bordodynov]

vladh,
из модели IR2110A.lib. Эта модель в синтаксисе LTspice и считается быстрее.
.model 525V D(Ron=.5 Vfwd=.5 Vrev=525 Roff=1e7)
и я думаю, что надо увеличить задержки в 2.4 раза, это параметр td.

из IR2110.sub

.MODEL diode525 d
+IS=1.0e-14 RS=0.01 N=1 EG=1.11
+XTI=3 BV=525 IBV=0.0001 CJO=0
+VJ=0.75 M=0.333 FC=0.5 TT=0
+KF=0 AF=1
IR2110A.lib .

[igorka]

Подскажите, пожалуйста, почему не генерит модель с транзистором МП25А? Хочу собрать источник резервного питания для стареньких часов по типу набора-конструктора "Старт" (питание логической части микросхемы К154ИК1901, чтобы не сбивалось время при отключении питания). Цель - подобрать детали для работы с максимально возможным КПД преобразователя, если тут вообще применительно КПД.

[bordodynov]

igorka,
потому что этот транзистор медленный.
Вот мой вариант схемы: