Электроника - это просто Теоретические и практические вопросы для начинающих электронщиков. |
19.01.2020, 15:54
|
|
Почётный гражданин KAZUS.RU
Регистрация: 06.09.2007
Сообщений: 4,716
Сказал спасибо: 6,439
Сказали Спасибо 4,161 раз(а) в 2,204 сообщении(ях)
|
Re: Токовое зеркало.
Условие активного режима ОЭ - это когда сохраняется пропорциональность между током базы и током коллектора.
Когда приращение тока базы уже не приводит к увеличению тока коллектора - это уже режим насыщения.
Сообщение от sxemak
|
Активный режим, режим усилителя одно и тоже тоесть Iк и Uк-э соответствует линейному участку выходной хорактиристик.
|
Вот две нагрузочные линии, обе - активный режим.
Одна проходит через нелинейные участки.
У КТ342 насыщение кэ составляет 0,1 В, и если растянуть выходные характеристики в зоне от 0В до 0,2В, то восходящие ветви оторвутся от вертикальной линии и будут, умозрительно, следовать направлению толстой линии, линии насыщения.
Цитата:
|
На коллекторных характеристиках транзистора область насыщения характеризуется линией насыщения ОН (рис. 2.6,б). Каждой точке этой линии соответствует некоторое значение напряжения Uкэ=UкНАС и тока Iк = IкНАС. Ток IкНАС называется коллекторным током насыщения. Как видно из характеристик, эти величины связаны между собой линейной зависимостью
Rнас=Rт= UкНАС /IкНАС, де Rнас - сопротивление насыщенного транзистора. Значения Rнас, определяются крутизной линии насыщения. Обычно оно достаточно мало (например, у транзистора КТ504 Rнас≈50 Ом). Каждой точке линии насыщения соответствует некоторое граничное значение тока базы
Iб=Iб НАС, при котором транзистор входит в насыщение.
|
Когда нагрузочная линия будет близко подходить к этой линии, это наступление насыщения
При соединении базы с коллектором, линия нарастания тока коллектора будет идти правее линии насыщения и угол наклона будет определятся беттой транзистора.
__________________
Геннадий
Последний раз редактировалось genao; 19.01.2020 в 16:31.
|
|
|
|
19.01.2020, 16:22
|
|
Вид на жительство
Регистрация: 07.11.2016
Сообщений: 485
Сказал спасибо: 117
Сказали Спасибо 138 раз(а) в 90 сообщении(ях)
|
Re: Токовое зеркало.
Одно дело это:
Сообщение от genao
|
Условие активного режима ОЭ - это когда сохраняется пропорциональность между током базы и током коллектора.
|
и совсем другое это:
Сообщение от genao
|
Когда приращение тока базы уже не приводит к увеличению тока коллектора - это уже режим насыщения.
|
Если не ставить дополнительных условий, то может оказаться,
что насыщения вообще нет.
К примеру, транзистор подключен к источнику напряжения
без нагрузки ограничивающей ток. Тогда увеличение тока базы будет
приводить к увеличению тока коллектора вплоть до уничтожения транзистора.
|
|
|
|
19.01.2020, 16:32
|
|
Заблокирован
Регистрация: 15.09.2019
Сообщений: 809
Сказал спасибо: 3
Сказали Спасибо 5 раз(а) в 5 сообщении(ях)
|
Re: Токовое зеркало.
Сообщение от genao
|
Условие активного режима ОЭ - это когда сохраняется пропорциональность между током базы и током коллектора.
Когда приращение тока базы уже не приводит к увеличению тока коллектора - это уже режим насыщения.
|
Ну да. Iк/Iб=1мА/1,8мкА= 555 коэффициент усиления по току h21 есть...
Ндааа странно???
Если я поставлю рабочую точку по таким координатам на выходной хорактиристике, выходной сигнал захлебнётся от искажений???
|
|
|
|
19.01.2020, 16:41
|
|
Заблокирован
Регистрация: 15.09.2019
Сообщений: 809
Сказал спасибо: 3
Сказали Спасибо 5 раз(а) в 5 сообщении(ях)
|
Re: Токовое зеркало.
Сообщение от genao
|
Условие активного режима ОЭ - это когда сохраняется пропорциональность между током базы и током коллектора.
Когда приращение тока базы уже не приводит к увеличению тока коллектора - это уже режим насыщения.
Вот две нагрузочные линии, обе - активный режим.
Одна проходит через нелинейные участки.
Вложение 149478
У КТ342 насыщение кэ составляет 0,1 В, и если растянуть выходные характеристики в зоне от 0В до 0,2В, то восходящие ветви оторвутся от вертикальной линии и будут, умозрительно, следовать направлению толстой линии, линии насыщения.
Когда нагрузочная линия будет близко подходить к этой линии, это наступление насыщения
Вложение 149481
При соединении базы с коллектором, линия нарастания тока коллектора будет идти правее линии насыщения и угол наклона будет определятся беттой транзистора.
|
Ааа тоесть ели я расстяну( увеличу) масштаб от 0 до 0,2 точка всё-таки будет лежать на линейном участке?
|
|
|
|
19.01.2020, 16:41
|
|
Почётный гражданин KAZUS.RU
Регистрация: 06.09.2007
Сообщений: 4,716
Сказал спасибо: 6,439
Сказали Спасибо 4,161 раз(а) в 2,204 сообщении(ях)
|
Re: Токовое зеркало.
Сообщение от sxemak
|
Ндааа странно???
Если я поставлю рабочую точку по таким координатам на выходной хорактиристике, выходной сигнал захлебнётся от искажений???
|
Странного тут нет. Выбираете "скольжение" точки сигнала по линейным выходным характеристикам, получаете искажение меньше, чем при скольжении по нелинейным выходным характеристикам.
В обоих случаях если "скольжение" точки сигнала не заходит в область насыщения или отсечки, транзистор находится в активном режиме.
__________________
Геннадий
|
|
|
|
19.01.2020, 16:47
|
|
Почётный гражданин KAZUS.RU
Регистрация: 06.09.2007
Сообщений: 4,716
Сказал спасибо: 6,439
Сказали Спасибо 4,161 раз(а) в 2,204 сообщении(ях)
|
Re: Токовое зеркало.
Сообщение от sxemak
|
Ааа тоесть ели я расстяну( увеличу) масштаб от 0 до 0,2 точка всё-таки будет лежать на линейном участке?
|
Да, при соединенных К-Б, точка автоматом будет находится на пологом участке вблизи чуть выше характеристики Iб=0, Ведь Uкэ=Uбэ= 0,5-0,9В заведомо далеки от линии насыщения Rнас, проходящей через точку Uкэ=0,1В
Можете сами промоделировать такое и снять характеристику
__________________
Геннадий
Последний раз редактировалось genao; 19.01.2020 в 16:52.
|
|
|
|
19.01.2020, 17:08
|
|
Заблокирован
Регистрация: 15.09.2019
Сообщений: 809
Сказал спасибо: 3
Сказали Спасибо 5 раз(а) в 5 сообщении(ях)
|
Re: Токовое зеркало.
Сообщение от 12943
|
Одно дело это:
и совсем другое это:
Если не ставить дополнительных условий, то может оказаться,
что насыщения вообще нет.
К примеру, транзистор подключен к источнику напряжения
без нагрузки ограничивающей ток. Тогда увеличение тока базы будет
приводить к увеличению тока коллектора вплоть до уничтожения транзистора.
|
Дааа интересный факт...
|
|
|
|
21.01.2020, 19:36
|
|
Заблокирован
Регистрация: 15.09.2019
Сообщений: 809
Сказал спасибо: 3
Сказали Спасибо 5 раз(а) в 5 сообщении(ях)
|
Re: Токовое зеркало.
Почему на изображении источник тока перехода БЭ написано iк инжектируется же электроны из эмиттера в базу?
|
|
|
|
22.01.2020, 11:19
|
|
Почётный гражданин KAZUS.RU
Регистрация: 20.03.2007
Адрес: "Братское кольцо враждебности", т.е. ближайшее заМКАДье.
Сообщений: 6,917
Сказал спасибо: 2,980
Сказали Спасибо 3,161 раз(а) в 2,146 сообщении(ях)
|
Re: Токовое зеркало.
Сообщение от sxemak
|
Почему на изображении источник тока перехода БЭ написано iк инжектируется же электроны из эмиттера в базу?
|
Это инверсный режим (коллектор и эмиттер поменяны местами). Так тоже можно, но используется чрезвычайно редко из-за падения коэффициента передачи тока.
__________________
Экзорцист 40-го уровня.
|
|
|
|
22.01.2020, 12:41
|
|
Заблокирован
Регистрация: 15.09.2019
Сообщений: 809
Сказал спасибо: 3
Сказали Спасибо 5 раз(а) в 5 сообщении(ях)
|
Re: Токовое зеркало.
Сообщение от ForcePoint
|
Это инверсный режим (коллектор и эмиттер поменяны местами). Так тоже можно, но используется чрезвычайно редко из-за падения коэффициента передачи тока.
|
Оба, а зачем мене такая, так и должно быть?
Что то везде такие схемы???
И почему модель везде с ОБ?
|
|
|
|
Ваши права в разделе
|
Вы не можете создавать новые темы
Вы не можете отвечать в темах
Вы не можете прикреплять вложения
Вы не можете редактировать свои сообщения
HTML код Выкл.
|
|
|
Часовой пояс GMT +4, время: 03:20.
|
|