Реклама на сайте English version  DatasheetsDatasheets

KAZUS.RU - Электронный портал. Принципиальные схемы, Datasheets, Форум по электронике

Новости электроники Новости Литература, электронные книги Литература Документация, даташиты Документация Поиск даташитов (datasheets)Поиск PDF
  От производителей
Новости поставщиков
В мире электроники

  Сборник статей
Электронные книги
FAQ по электронике

  Datasheets
Поиск SMD
Он-лайн справочник

Принципиальные схемы Схемы Каталоги программ, сайтов Каталоги Общение, форум Общение Ваш аккаунтАккаунт
  Каталог схем
Избранные схемы
FAQ по электронике
  Программы
Каталог сайтов
Производители электроники
  Форумы по электронике
Помощь проекту

Электроника - это просто Теоретические и практические вопросы для начинающих электронщиков.

 
Опции темы
Непрочитано 10.04.2021, 11:38  
индюк
Гуру портала
 
Аватар для индюк
 
Регистрация: 17.07.2010
Адрес: мурмурляндия
Сообщений: 10,564
Сказал спасибо: 181
Сказали Спасибо 3,159 раз(а) в 2,045 сообщении(ях)
индюк на пути к лучшему
По умолчанию Re: Подключение МОСФЕТа к микросхеме

Сообщение от 12943 Посмотреть сообщение
Параллельный резистор

Заряд на затворе зависит только от ёмкости З-И и напряжения на затворе.
Если не давать заряду накапливаться на затворе, напряжение затвора будет равно нулю.
ага ага.
висящий в воздухе затвор сам очень даже может насобирать заряд ибо сопротивление вокруг него далеко не бесконечно да и эффект миллера и прочие миграции заряда внутри кристалла никто не отменял
Реклама:
__________________
кагмаподэ магмаподэ
индюк вне форума  
Непрочитано 10.04.2021, 11:39  
индюк
Гуру портала
 
Аватар для индюк
 
Регистрация: 17.07.2010
Адрес: мурмурляндия
Сообщений: 10,564
Сказал спасибо: 181
Сказали Спасибо 3,159 раз(а) в 2,045 сообщении(ях)
индюк на пути к лучшему
По умолчанию Re: Подключение МОСФЕТа к микросхеме

Сообщение от shevcha Посмотреть сообщение
Не мне судить, но в автомотив плохой тон применять ключи на менее 100В.
да еще лет 10 назад было 50в.
в старых восмерках спокойно работали кт815
потом создали получше полевики, теперь 100)))
потом будет 150?))))
__________________
кагмаподэ магмаподэ

Последний раз редактировалось индюк; 10.04.2021 в 11:41.
индюк вне форума  
Непрочитано 10.04.2021, 15:10  
12943
Вид на жительство
 
Регистрация: 07.11.2016
Сообщений: 485
Сказал спасибо: 117
Сказали Спасибо 138 раз(а) в 90 сообщении(ях)
12943 на пути к лучшему
По умолчанию Re: Подключение МОСФЕТа к микросхеме

Сообщение от akegor Посмотреть сообщение
И шо?! А на "открытом"(пардон, висячем) затворе какое напряжение?
Нет бы, послушать, что говорят и подумать... Дык нет же ж, начинают умничать...
У нормальных людей висячих затворов не бывает.
А тупить (а не умничать), действительно, не надо.
12943 вне форума  
Непрочитано 10.04.2021, 15:17  
akegor
Гуру портала
 
Аватар для akegor
 
Регистрация: 06.05.2005
Адрес: Краснодар, возле укротворного моря.
Сообщений: 18,907
Сказал спасибо: 2,542
Сказали Спасибо 11,818 раз(а) в 5,924 сообщении(ях)
akegor на пути к лучшему
По умолчанию Re: Подключение МОСФЕТа к микросхеме

Сообщение от 12943 Посмотреть сообщение
У нормальных людей висячих затворов не бывает.
Еще один американец... А туда же
Сообщение от 12943 Посмотреть сообщение
А тупить (а не умничать), действительно, не надо.
Поставьте перед собой зеркало и повторите. Думать надо, а не поучать. Если с первого раза не получается, повторять процесс до просветления и осознания.
__________________
Не бейте больно, ежели чо, ну не удержался... А вааще,
"Мы за все хорошее, против всей х..., По лугам некошеным чтобы шли ступни,
Чтобы миром правила правда, а не ложь, Мы за все хорошее, нас не на...!
..." (Ленинград)
Я не несу ответственности за свои действия в Вашей голове.
akegor вне форума  
Непрочитано 10.04.2021, 15:20  
tak
Прописка
 
Регистрация: 28.06.2018
Адрес: Тушино
Сообщений: 133
Сказал спасибо: 22
Сказали Спасибо 19 раз(а) в 17 сообщении(ях)
tak на пути к лучшему
По умолчанию Re: Подключение МОСФЕТа к микросхеме

Сообщение от sachko Посмотреть сообщение
Здравствуйте.
Имеются три способа подключения МОСФЕТа к микросхеме.
Не могу нигде найти, по какому принципу подключается МОСФЕТ, что от чего и почему. В ПАУТИНЕ ничего не нашёл.
Сам задался этим вопросом, но только в ответ "иди учись", как-будто мы чем-то другим занимаемся, или типа ответов "иди ищи в "паутине", там полно", а в итоге только одна вода.

Давайте попробуем сами разобраться в этом, как подобрать ФЕТ, достаточный по мощности драйвер к ФЕТу и выбрать сопротивление затворной цепи.

Только надо сперва задаться целью, а точнее типом нагрузки и уровнем её питания. И нас пока интересует только связка "драйвер+ФЕТ". "драйвер+биполярник" пока рассматривать не будем.

Ещё надо учитывать паразитные индуктивности, но с этим потом.

Начнём с ФЕТа.

ФЕТ - чисто ёмкостная нагрузка для драйвера и обладает следующими ёмкостями:
Cgs - ёмкость затвора-исток;
Cgd - ёмкость затвор-сток;
Cds - ёмкость сток-исток.

В даташите на ФЕТ даётся несколько ёмкостей:
Ciss=Cgs+Cgd - входная ёмкость ФЕТа, при закороченном канале сток-исток;
Crss=Cgd - ёмкость обратной связи, устраивающее плато Миллера;
Coss=Cds+Cgd - выходная ёмкость ФЕТа.
Все три ёмкости максимальны, если измеряются без начального смещения, то есть когда начальное постоянное напряжение отсутствует.
То есть, если взять две максимальные ёмкости Cgs и Cgd и представить как Ciss, то будет это неправильно. Cgd будет максимальна только тогда, когда напряжение затвор-исток (Vgs) будет равно напряжению сток-исток (Vds), то есть когда Vgs=Vds будут примерно на уровне от 2 до 20В, в зависимости от тока канала Id. Так как разброс по параметрам присутствует, то можно считать так две крайних входных ёмкости:
Ciss1=Cgs min + Cgd max - когда ФЕТ открыт, при Vgs›0 и Vds=0;
Ciss0=Cgs max + Cgd min - когда ФЕТ закрыт, при Vgs=0 и Vds›0;
и не всегда Ciss0›Ciss1, ибо зависит от модели ФЕТа.

В даташите к ФЕТу присутствуют динамические характеристики, измеренные производителем при конкретных:
Rg - внутреннее сопротивление генератора(оно же последовательное сопротивление цепи между генератором и затвором ФЕТа при условии, что внутренне сопротивление генератора равно "0");
Vgs - уровень напряжения генератора (как правило во всех даташитах выбирается производителем равное 10В);
Vds - напряжение питания нагрузки (выбирается определённым производителем в зависимости от модели ФЕТа);
Id - ток в нагрузке (выбирается определённым производителем в зависимости от модели ФЕТа);
частота, как правило равная 1МГц,
и на их основе измеряются:
td(on) - время измеренное от момента, когда Vgs возрастёт до уровня 10%, и до момента, когда Vds снизится до уровня 90%;
tr - время отпирания канала ФЕТа от Vds=90% и до Vds=10%, то есть это время работы ФЕТа в линейном режиме при отпирании канала;
ton=td(on)+tr - время от Vds=10% и до Vds=10%, то есть фактически суммарное время от начала действия фронта отпирания на затворе ФЕТа и до полного открытия канал;
td(off) - время измеренное от момента, когда Vgs снизится до уровня 90% и до момента, когда Vds достигнет уровня 10%;
tf - время запирания канала ФЕТа от Vds=10%% до Vds=90%, то есть это время работы ФЕТа в линейном режиме при запирании канала;
toff=td(off)+tf - время от Vds=90% и до Vds=90%, то есть фактически суммарное время от начала действия фронта запирания на затворе ФЕТа и до полного закрытия канал;
tr+tf - полное время работы ФЕТа в линейном режиме за период;
td(on) и td(off) - фактически времена дополнительной задержки обратной связи между выходом и Isense-входом драйвера;
Qg - полный уровень заряда затворной цепи;
Qgs - уровень заряда на Cgs;
Qgd - уровень заряда на Cgd;
Qsync=Qg-Qgd.

Оценить ФЕТ по этим вводным и измеренным параметрам по вводным производителя не представляется возможным, ибо у другого ФЕТа того же производителя вводные параметры будут другими. Так что остаётся только одно - измеренные ёмкости ФЕТа.

Но есть одно замечание, что при начальной оценке схемы ИМХО следует взять в качестве начально последовательного сопротивления затворной цепи уровень Rg из даташита на конкретный ФЕТ, будет от чего "плясать".


Теперь о драйвере.
У драйвера свои:
Vcc - напряжение питания выходного каскада драйвера;
Vo - выходное напряжение драйвера обычно берётся Vo=Vcc, но не всегда - фактически Vgs=Vo, если ФЕТ подключён к драйверу напрямую;
Io - максимальный ток выхода драйвера, но не всегда токи через верхний и нижний ключи равны;
Io+ - максимальный ток драйвера через верхний ключ, Vo=10%-›90% - заряд Ciss0;
Io- - максимальный ток драйвера через нижний ключ, Vo=90%-›10% - разряд Ciss1;
tr - время нарастания фронта импульса от момента Vo=10% до Vo=90%, как правило при ёмкости нагрузки Cl=1нФ;
tf - время спада фронта импульса от момента Vo=90% до Vo=10%, как правило при ёмкости нагрузки Cl=1нФ.

Теперь вспомним формулу постоянной времени RC-цепи - t=RC, когда напряжение на ёмкости возрастает с 0% до ~63.2% или снижается с 100% до ~36.8%. Но измеренные параметры в даташите производителем имеют временные рамки для измеренного от 10% и до 90%, то есть в диапазоне 80% от полного уровня сигнала, что соответствует примерно t80%~1.5RC. То же самое и для индуктивности t80%~1.5L/R... а точнее для паразитной индуктивности цепей вокруг ФЕТа. Так как такие временные рамки использует производители ФЕТа и драйвера, тогда и мы будем пользоваться такими же.

Последний раз редактировалось tak; 11.04.2021 в 08:48.
tak вне форума  
Эти 2 пользователя(ей) сказали Спасибо tak за это сообщение:
drfiks (16.04.2021), sachko (11.04.2021)
Непрочитано 10.04.2021, 15:22  
tak
Прописка
 
Регистрация: 28.06.2018
Адрес: Тушино
Сообщений: 133
Сказал спасибо: 22
Сказали Спасибо 19 раз(а) в 17 сообщении(ях)
tak на пути к лучшему
По умолчанию Re: Подключение МОСФЕТа к микросхеме

Я тут малость поигрался с 3843B и вот что у меня вышло:

tr от 10% до 90% с размахом 12.6В, напряжение питания 15.8В, частота 154кГц, скважность 96%, Rgate=0
При Cl=146пФ на выходе фронт нарастания tr=14.5нс
348пФ - 19.9нс
751пФ - 27.3нс
976пФ - 34.4нс
1.33нФ - 39.1нс
1.73нФ - 46.2нс
2.08нФ - 51.3нс
4.45нФ - 76.5нс и если tr=90%-10%=80%, а t80%=1.5RC, то 12.6В*1.5*4.45нФ/76.5нс=1.099А. 3843B разогревается до +40С.
5.33нФ - 99.0нс 1.018А, +41С
6.11нФ - 111.5нс 1.036А, +44С
8.53нФ - 142.5нс 1.131А, +45С
То есть сопротивление открытого верхнего ключа в 3843B уменьшается с увеличением времени фронта заряда tr, при увеличении ёмкости нагрузки Cl, а далее, при Cl выше 4.5нФ, ток практически перестаёт расти. Видимо влияет паразитная индуктивность.

Чтобы проверить как будет с Cl=16.9нФ пришлось изменить времязадающую цепочку чтобы уменьшить скважность с 96 до 65% иначе паузы не хватает для перезаряда Cl. Частота упала до 124кГц.
16.9нФ - 295нс 1.085А, +59С

При попытке нагрузить 3843B только активной нагрузкой в 15Ом, 3843B через 20 секунд снизила на нагрузке напряжение до 3В и разогрелась до +90С.
С резистором на выходе в 30Ом получился фронт нарастания tr=216нс. И если t80%=1.5L/R, то видимо паразитная индуктивность порядка 4.32мкГн. 3843B разогрев до +54С.

Отсюда вывод:
3843В может точно работать с Ciss‹15нФ без дополнительного сопротивление затворной цепи Rg. Но Rg всё же нужен из-за наличия Cgd и осталось только определить его уровень при конкретных Vds и Id ФЕТа. Так же Rg нужен для увеличения tf ФЕТа чтобы снизить уровень выброса при закрытии канала. В полумостах/мостах нужны два отдельных Rg на разряд и на заряд, чтобы время отпирания любого из ФЕТов было в несколько раз больше, чем время запирания любого из этих же ФЕТов.
И нужно ещё определить нужность резистора между затвором и истоком Rgs при наличии двухтактного выходного каскада в драйвере, а точнее при достаточном уровне сопротивления выхода драйвера с логическим "0".

Последний раз редактировалось tak; 10.04.2021 в 16:57.
tak вне форума  
Сказали "Спасибо" tak
drfiks (16.04.2021)
Непрочитано 10.04.2021, 23:04  
shevcha
Прописка
 
Регистрация: 24.11.2008
Сообщений: 148
Сказал спасибо: 5,254
Сказали Спасибо 79 раз(а) в 56 сообщении(ях)
shevcha на пути к лучшему
По умолчанию Re: Подключение МОСФЕТа к микросхеме

Сообщение от tak Посмотреть сообщение
Отсюда вывод:
Браво! Вы удивительно не ленивый человек. И таки Да на 90% правы. Но таки почитать вдУмчиво предыдущие посты Вам будет оченно ползительно, и Вы станете Гуру 38хх.
shevcha вне форума  
Непрочитано 11.04.2021, 00:33  
индюк
Гуру портала
 
Аватар для индюк
 
Регистрация: 17.07.2010
Адрес: мурмурляндия
Сообщений: 10,564
Сказал спасибо: 181
Сказали Спасибо 3,159 раз(а) в 2,045 сообщении(ях)
индюк на пути к лучшему
По умолчанию Re: Подключение МОСФЕТа к микросхеме

не проще ли взять измерительный резистор 0,01 ома и измерять осциллографом ток заряда емкости?
когда он доходит до указанного в даташите - насиловать микосхему больше смысла нету
__________________
кагмаподэ магмаподэ
индюк вне форума  
Непрочитано 11.04.2021, 01:35  
tak
Прописка
 
Регистрация: 28.06.2018
Адрес: Тушино
Сообщений: 133
Сказал спасибо: 22
Сказали Спасибо 19 раз(а) в 17 сообщении(ях)
tak на пути к лучшему
По умолчанию Re: Подключение МОСФЕТа к микросхеме

Сообщение от индюк Посмотреть сообщение
насиловать микосхему больше смысла нету
А где Вы видите насилование микросхемы? Ток что при 4.5нФ, что при 17нФ не выше разрешённого в 1А, при погрешности измерений ±10%.

Сообщение от shevcha Посмотреть сообщение
Но таки почитать вдУмчиво
Читал, не понял ничего, точнее знаний не прибавило.

Сообщение от shevcha Посмотреть сообщение
но в автомотив плохой тон применять ключи на менее 100В
"Не вижу препятствий" (С)...
Что мешает завалить фронты увеличив сопротивление затворной цепи, добавить паразитную индуктивность в цепь истока, поставить снаббер, поставить диод параллельно нагрузке? Вон в контроллерах электросамокатов с бортовым в 42В устанавливаются ФЕТ на Vds от 60В, но чаще на 85 и 100В. У некоторых ФЕТов есть два встроенных стабилитрона: сток-затвор и затвор-исток, только модели не помню. Вспомнил: NID9N05. Наверно и ещё найдутся.

Последний раз редактировалось tak; 11.04.2021 в 02:07.
tak вне форума  
Непрочитано 11.04.2021, 02:41  
sachko
Прописка
 
Регистрация: 04.03.2016
Сообщений: 195
Сказал спасибо: 61
Сказали Спасибо 1 раз в 1 сообщении
sachko на пути к лучшему
По умолчанию Re: Подключение МОСФЕТа к микросхеме

Всем спасибо, особенно stebun и tak.
Буду просвещаться.
sachko вне форума  
 

Закладки
Опции темы

Ваши права в разделе
Вы не можете создавать новые темы
Вы не можете отвечать в темах
Вы не можете прикреплять вложения
Вы не можете редактировать свои сообщения

BB коды Вкл.
Смайлы Вкл.
[IMG] код Вкл.
HTML код Выкл.

Быстрый переход

Похожие темы
Тема Автор Раздел Ответов Последнее сообщение
Падение напряжения на диоде мосфета Levontay Электроника - это просто 15 20.09.2020 04:13
Как рассчитать ток через затвор для Мосфета Janush Электроника - это просто 7 26.11.2012 21:39
Подключение приемника 433 МГц к драйверу двигателя DUHAANDREY Автоматика и аппаратура связи 10 15.02.2012 09:21
Счетчик на микросхеме К155РЕ3 Lord_Letalis TTL и CMOS логика 68 23.01.2010 01:33
HELP HELP КОЛОНОЧКА К МОБИЛНИКУ НА МИКРОСХЕМЕ EUA5202 dmtoroh Аудиотехника 1 16.11.2009 12:22


Часовой пояс GMT +4, время: 14:22.


Powered by vBulletin® Version 3.8.4
Copyright ©2000 - 2024, Jelsoft Enterprises Ltd. Перевод: zCarot