Динамическая нагрузка

[bordodynov]

Что то справочники какие-то не полные попадаются...

Вы бы ещё газету взяли. Возьмите справочник, где отдельному транзистору посвящена страница, две.
Таким справочником (какой выбрали вы) можно пользоваться для выбора транзистора. Затем надо брать более подробный справочник.

[12943]

Что то справочники какие-то не полные попадаются...

Попадаются те, которых ты догнать можешь.

https://kazus.ru/forums/attachment.p...1&d=1587239668

[sxemak]

Во нашёл...хорактеристики самого массового и знаменитого...
Ну и что это мне даёт? К чему всё ведёт?

[bordodynov]

Во нашёл...хорактеристики самого массового и знаменитого...
Ну и что это мне даёт? К чему всё ведёт?

А вы не видите в пятой строке при Iб=2 мА Uбэ‹1.35 В?
А вы говорили, что при Uбэ=0.85 В - катастрофа. Я ж говорю, что сморозили глупость.

[genao]

Во нашёл...хорактеристики самого массового и знаменитого...
Ну и что это мне даёт? К чему всё ведёт?

К тому, что данный транзистор не является мощным, и средних/больших плотностей токов в кристалле нет в случае если токи/напряжения в пределах максимально допустимых. Режим квазинасыщения в рабочих режимах отсутствует.

[sxemak]

А вы не видите в пятой строке при Iб=2 мА Uбэ‹1.35 В?
А вы говорили, что при Uбэ=0.85 В - катастрофа. Я ж говорю, что сморозили глупость.

Ну не то что катастрофа...
Я лишь хотел сказать, судя по пятой строке от 0,9 и выше уже пофиг как называется его состояние насыщение, квазинасыщение, меганасыщение да хоть супернасыщение... Уже пофиг, транзистор уже представляет из себя кусок проволоки... А не усилитель... Что вы хотите этим сказать то???

[sxemak]

К тому, что данный транзистор не является мощным, и средних/больших плотностей токов в кристалле нет в случае если токи/напряжения в пределах максимально допустимых. Режим квазинасыщения в рабочих режимах отсутствует.

Что то не догоню, между активным режимом и насыщением есть ещё какое-то промежуточное состояние? И это квазинасыщение?

[bordodynov]

Ну не то что катастрофа...
Я лишь хотел сказать, судя по пятой строке от 0,9 и выше уже пофиг как называется его состояние насыщение, квазинасыщение, меганасыщение да хоть супернасыщение... Уже пофиг, транзистор уже представляет из себя кусок проволоки... А не усилитель... Что вы хотите этим сказать то???

Я просто указал, что вы сморозили глупость. Схемотехника включает в себя не только усилители. И сейчас гораздо больше транзисторов работает в ключевом режиме, чем в усилительном. А по поводу проволоки вы загнули. Сопротивление открытых, биполярных транзисторов в насыщении вполне регулируется и зависит от режима и не является проволокой! Т.е. вы опять сделали абсурдный вывод! А режим сверх насыщения существует .

[bordodynov]

Я вспомнил схему ВЧ (ПЧ) усилителя с глубокой регулировкой усиления (60 дБ) АРУ.
Так вот там использовался в качестве регулировочного сопротивления в обратной связи биполярный транзистор. При минимальном сигнале (максимальном усилении) транзистор находился в насыщении. Затем по мере роста сигнала степень насыщения уменьшалось (увеличивалось сопротивление транзистора) и так до тех пор пока транзистор выходил из насыщения. Т.е. переходил в активный режим. И представьте, он не усиливал сигнал. При этом усиление всего усилителя становилось минимальным. А вы говорите - кусок проволоки.

[zoog]

К тому, что данный транзистор не является мощным, и средних/больших плотностей токов в кристалле нет в случае если токи/напряжения в пределах максимально допустимых. Режим квазинасыщения в рабочих режимах отсутствует.

Квазинасыщение бывает у высоковольтных транзисторов, с высокоомной областью в коллекторе.

Что то не догоню, между активным режимом и насыщением есть ещё какое-то промежуточное состояние? И это квазинасыщение?

Вам это не важно. Постарайтесь понять хотя бы схему с внутренними сопротивлениями из №390.

Так вот там использовался в качестве регулировочного сопротивления в обратной связи биполярный транзистор.

Странное решение - при выходе из насыщения выходное сопротивление транзистора достаточно резко становится равным Uy/Ic (десятки кОм вместо десятков Ом), гораздо логичнее использовать зависимость крутизны от тока.