LTspice - освоение с «0»

[bordodynov]

Proset,
для того, что бы расчёт имел смысл, необходимо знать геометрию: расстояние между излучателем и фотодиодом, расстояние до бумаги. Также надо учитывать угол излучения. Уровень сигнала также зависит от величины амплитуды тока через излучатель. Только имея эти параметры и проделав геометрические расчёты можно найти правильный коэффициент в формуле управляемого источника. Я взял какой то коэффициент при котором на выходе есть сигнал. Над этим коэффициентом я поставил знак вопроса. Поэтому жду от вас дополнительной информации.

[mike-y-k]

bordodynov, возможно излучатель еще в корпусе со щелью на выходе потока излучения для ограничения размеров пятна на бумаге…

[bordodynov]

mike-y-k,
это не важно. Здесь надо получить плотность мощности на поверхности фотодиода. Это начнёт влиять при очень узкой щели.

Proset,
плохая идея использовать для шунтирования база-эмиттер транзистора одним килоомом R7=1k. Я подобрал фототранзистор на нужную волну (870 нм) с линзой. Линза увеличивает мощность, попадающую на активную площадь кристалла в 8 раз.
По сравнению с предыдущем расчётом пришлось увеличить коэффициент передачи в 10 раз! 1 кОм очень плохая идея!
И ещё, зачем вы поставили резисторы R1 и R2. Или вы пытаетесь создать датчик, переносящий ядерный взрыв. Добавление дополнительных последовательных резисторов одно из решений этой проблемы.

[mike-y-k]

bordodynov, ну тут только уважаемый Proset сможет дать ответ по своей конструкции…

А относительно схемы - мне одному кажется, что ему стоит воспроизвести схему датчика для тестов? Иначе полученный в его тестовой схеме результат так и не сможет воспроизвестись в датчике…
Ну и как плюс - на сам фотодатчик будет меньше тепловой нагрузки от пайки при проверке и подгонке…

[bordodynov]

mike-y-k,
согласен, тем более в ней (насколько я разглядел, плохое разрешение) используется подстроечник на 1 МОм.

[bordodynov]

Это сообщение для тех, у кого наивное представление о параметре BF.

[Алексей_П]

У меня о VP в диоде совсем никакого представления.

[bordodynov]

Алексей_П,
вот процесс выключения в тестовой схеме (её то я и моделировал). Наибольшего совпадения я получил при VP=90m.

[bordodynov]

Вот ещё одна схема датчика края, с повышенной в 10 раз чувствительностью. Для получения хорошего быстродействия использован транс импедансный усилитель. Фотодиод работает без смещения в фотовольтаическом режиме. Я подобный усилитель применял в индикаторе горения маленькой лампочки. Была проблема - при включении всё работало хорошо, а после выключения лампочки схема давала сигнал включения ещё 4 секунды! Я перебросил анод фотодиода на прямой вход операционника. В результате переделки схемы большая утечка разогретого фотодиода не влияла. Такая схема позволяет регистрировать фототок меньше утечки фотодиода.

[bordodynov]

Добавил в схему индикатора КЗВ на неонке конденсатор. Можно наблюдать на осциллографе, а можно по свечению. Тестирование 50-герцового трансформатора на 300 Вт.