Электроника - это просто Теоретические и практические вопросы для начинающих электронщиков. |
27.01.2020, 13:49
|
|
Почётный гражданин KAZUS.RU
Регистрация: 03.12.2007
Адрес: Ростов-на-Дону
Сообщений: 1,720
Сказал спасибо: 859
Сказали Спасибо 1,459 раз(а) в 721 сообщении(ях)
|
Re: Токовое зеркало.
Сообщение от ForcePoint
|
Понимать - это одно (можно и без моделей).
Рассчитывать - другое. Хотя и тут - для того, что-бы рассчитать с приемлемой в инженерной практике точностью (до 1..2 знаков) модели зачастую не требуются.
|
Сообщение от sxemak
|
Нашёл другую схему...
Так правильно?
|
Сообщение от ForcePoint
|
P.S. Нас троллят?
|
Ато...!!!
Колысь котэ делать нэчого..:
Сообщение от sxemak
|
Нашёл другую схему...
|
Ибо... ХоровицЦ&ХилЛ уже давно ВСЁ объяснили Понятным языком... - НО... Человеческим!!!...
а Котэ всё... ну сами Знаете!...
__________________
Исчите ... и Найдёте!
Ну а Если и - НЕ Найдёте - то хоть будете При Деле!!!
© Белый Круг
|
|
|
|
27.01.2020, 19:51
|
|
Заблокирован
Регистрация: 15.09.2019
Сообщений: 809
Сказал спасибо: 3
Сказали Спасибо 5 раз(а) в 5 сообщении(ях)
|
Re: Токовое зеркало.
Сообщение от bordodynov
|
Может моя картинка заставит вас думать или не думать (что легче).
Внимательно смотрите на направления токов. Я использовал два амперметра (маленькие стрелки).
|
Ахренеть откуда все эти токи взялись...
Вот эти маленькие стрелочки как раз и удивляют, ток генератора В3 вместо того чтобы идти через диод D1 его понесло через диод D2???
|
|
|
|
27.01.2020, 20:09
|
|
Почётный гражданин KAZUS.RU
Регистрация: 04.06.2007
Адрес: Минск, Беларусь
Сообщений: 7,858
Сказал спасибо: 752
Сказали Спасибо 3,927 раз(а) в 2,797 сообщении(ях)
|
Re: Токовое зеркало.
Сообщение от sxemak
|
Ахренеть откуда все эти токи взялись...
Вот эти маленькие стрелочки как раз и удивляют, ток генератора В3 вместо того чтобы идти через диод D1 его понесло через диод D2???
|
Эта схема является эквивалентом идеального транзистора. Так как я не могу задавать генераторы тока, зависимые от тока диода, то я поставил амперметры (маленькие стрелочки).Токки амперметров равны токам диодов, а стрелочки показывают направление токов. Вы захотели ток эмиттера 2 А и я сделал ток эмиттера 2 А, а заодно ток базы 2 А.
Если бы вы не занимались ерундой, пробуя угадать выражение для токов, а составили уравнения Кирхгофа, то получили бы такие значения. Я брал прямой коэффициент усиления транзистора 100, а инверсный - 1. Инверсный коэффициент может быть как меньше единицы так больше. Такие значения усиления в spice программах по умолчанию. Если вы сложите ток коллекторного p-n перехода и параллельного ему генератора тока с учётом направления тока, то получите ноль. Если вы тоже сделаете с эмиттерным переходом, то получите результирующий ток эмиттера 2 А. Всяческие экспоненциальные законы здесь не влияют. Они влияют только на напряжение на переходах. Вас интересуют токи и поэтому не стоит заморачиваться формулами. Пока вы не получите токи, показанные на моём рисунке, вы не продвинетесь в понимании модели Эберса-Молла. Случай оборванного коллектора является простейшим случаем для расчёта. Осилите, и двигайтесь дальше.
Я для того, чтобы вы не сомневались слева расположил транзистор и на выводах транзистора (база и коллектор) такие же напряжения как у эквивалента.
Последний раз редактировалось bordodynov; 27.01.2020 в 20:13.
|
|
|
|
27.01.2020, 20:54
|
|
Заблокирован
Регистрация: 15.09.2019
Сообщений: 809
Сказал спасибо: 3
Сказали Спасибо 5 раз(а) в 5 сообщении(ях)
|
Re: Токовое зеркало.
Сообщение от bordodynov
|
Эта схема является эквивалентом идеального транзистора. Так как я не могу задавать генераторы тока, зависимые от тока диода, то я поставил амперметры (маленькие стрелочки).Токки амперметров равны токам диодов, а стрелочки показывают направление токов. Вы захотели ток эмиттера 2 А и я сделал ток эмиттера 2 А, а заодно ток базы 2 А.
Если бы вы не занимались ерундой, пробуя угадать выражение для токов, а составили уравнения Кирхгофа, то получили бы такие значения. Я брал прямой коэффициент усиления транзистора 100, а инверсный - 1. Инверсный коэффициент может быть как меньше единицы так больше. Такие значения усиления в spice программах по умолчанию. Если вы сложите ток коллекторного p-n перехода и параллельного ему генератора тока с учётом направления тока, то получите ноль. Если вы тоже сделаете с эмиттерным переходом, то получите результирующий ток эмиттера 2 А. Всяческие экспоненциальные законы здесь не влияют. Они влияют только на напряжение на переходах. Вас интересуют токи и поэтому не стоит заморачиваться формулами. Пока вы не получите токи, показанные на моём рисунке, вы не продвинетесь в понимании модели Эберса-Молла. Случай оборванного коллектора является простейшим случаем для расчёта. Осилите, и двигайтесь дальше.
Я для того, чтобы вы не сомневались слева расположил транзистор и на выводах транзистора (база и коллектор) такие же напряжения как у эквивалента.
|
Подумаю...
Подождите...
Об каком инверсном речь если на схеме прямой режим, инверсный это когда БК в прямом включен?
Или это имеется введу -1 коэффициент передачи тока коллектора когда БЭ в прямом режиме?
Последний раз редактировалось sxemak; 28.01.2020 в 09:26.
|
|
|
|
28.01.2020, 10:21
|
|
Почётный гражданин KAZUS.RU
Регистрация: 04.06.2007
Адрес: Минск, Беларусь
Сообщений: 7,858
Сказал спасибо: 752
Сказали Спасибо 3,927 раз(а) в 2,797 сообщении(ях)
|
Re: Токовое зеркало.
Сообщение от sxemak
|
Подумаю...
Подождите...
Об каком инверсном речь если на схеме прямой режим, инверсный это когда БК в прямом включен?
Или это имеется введу -1 коэффициент передачи тока коллектора когда БЭ в прямом режиме?
|
Речь идёт не об инверсном режиме, а об параметре усиления в инверсном режиме! Не путайте. Это разные вещи: режим и параметры. И коэффициент усиления в инверсном режиме начинает проявляться когда коллекторный переход инжектирует носители в эмиттерный переход. А это характерно для режима насыщения. Напряжение насыщения определяется не только коэффициентом усиления в прямом режиме, но и коэффициентом усиления в инверсном режиме.
|
|
|
|
28.01.2020, 12:44
|
|
Заблокирован
Регистрация: 15.09.2019
Сообщений: 809
Сказал спасибо: 3
Сказали Спасибо 5 раз(а) в 5 сообщении(ях)
|
Re: Токовое зеркало.
Сообщение от bordodynov
|
Речь идёт не об инверсном режиме, а об параметре усиления в инверсном режиме! Не путайте. Это разные вещи: режим и параметры. И коэффициент усиления в инверсном режиме начинает проявляться когда коллекторный переход инжектирует носители в эмиттерный переход. А это характерно для режима насыщения. Напряжение насыщения определяется не только коэффициентом усиления в прямом режиме, но и коэффициентом усиления в инверсном режиме.
|
Инверсный режим это когда БЭ в обратном направлении а БК в прямом, а когда БЭ в прямом а БК в насыщении почему это называется инверсным?
"И коэффициент усиления в инверсном режиме начинает проявляться когда коллекторный переход инжектирует носители в эмиттерный переход. А это характерно для режима насыщения"
В инверсном режиме почему БК не может инжектировать носители находясь в активном состоянии ведь БЭ в обратном направлении включён зачем переходить в насыщение, что мешает? Ведь когда в прямом режиме БЭ не надо переходить в режим насыщения чтобы инжектировать носители он в активном состоянии неплохо их гонит???
|
|
|
|
28.01.2020, 13:12
|
|
Почётный гражданин KAZUS.RU
Регистрация: 04.06.2007
Адрес: Минск, Беларусь
Сообщений: 7,858
Сказал спасибо: 752
Сказали Спасибо 3,927 раз(а) в 2,797 сообщении(ях)
|
Re: Токовое зеркало.
Сообщение от sxemak
|
Инверсный режим это когда БЭ в обратном направлении а БК в прямом, а когда БЭ в прямом а БК в насыщении почему это называется инверсным?
"И коэффициент усиления в инверсном режиме начинает проявляться когда коллекторный переход инжектирует носители в эмиттерный переход. А это характерно для режима насыщения"
В инверсном режиме почему БК не может инжектировать носители находясь в активном состоянии ведь БЭ в обратном направлении включён зачем переходить в насыщение, что мешает? Ведь когда в прямом режиме БЭ не надо переходить в режим насыщения чтобы инжектировать носители он в активном состоянии неплохо их гонит???
|
Как то вы своебразно понимаете мои слова. Зачем вы сразу пытаетесь рассматривать разные режимы одновременно? Рассматривайте только один режим за раз. Вы предложили рассматривать случай оборванного коллектора и эмиттерным током 2 А. Я дал вам этот случай. Если вы хотите получить насыщение в инверсном режиме, то заземлите коллектор.
Вы что не понимаете, что у транзистора есть параметры и их легко измерять в прямом и инверсном режимах. А эти параметры влияют на поведение транзистора. Есть параметры транзистора и есть режимы! Вы не понимаете русского языка?
|
|
|
|
28.01.2020, 14:20
|
|
Почётный гражданин KAZUS.RU
Регистрация: 04.06.2007
Адрес: Минск, Беларусь
Сообщений: 7,858
Сказал спасибо: 752
Сказали Спасибо 3,927 раз(а) в 2,797 сообщении(ях)
|
Re: Токовое зеркало.
А теперь я расчитаю схему эквивалента транзистора, что бы показать беспомощность ТС.
Предположим, что ток эмиттерного перехода X.
Первый шаг.
Инжектируемый в коллектор ток генератора в коллекторном переходе X*alphaF
Этот же ток идёт в коллекторный переход (коллектор оборван) X*alphaF
Второй шаг.
Коллекторный переход инжектирует в эмиттерный X*alphaF*alphfR, это ток нижнего генератора.
Третий шаг.
Эмиттерный ток состоит из тока p-n перхода эмиттера и параллельного ему генератора
Итого ток эмиттера равен X-X*alphaF*alphfR и эта величина равна току базы iб=2А
Четвёртый шаг X=iб/(1-alphaF*alphfR) Подставляем численные значения:
iэ=X=2/(1-Bf/(Bf+1)*Br/(Br+1)) Bf=100 BR=1 ==› iэ=2/(1-100/101*1/(1+1))=*3.9607843A
Сравните с тем, что насчитал LTspice.
Видите как всё просто! А вы занимаетесь мудозвоном. Не быть вам теоретиком и хорошим электроником, если вы не можете рассчитать простейшие цепи.
|
|
|
Сказали "Спасибо" bordodynov
|
|
|
28.01.2020, 14:21
|
|
Почётный гражданин KAZUS.RU
Регистрация: 20.03.2007
Адрес: "Братское кольцо враждебности", т.е. ближайшее заМКАДье.
Сообщений: 6,953
Сказал спасибо: 2,994
Сказали Спасибо 3,174 раз(а) в 2,154 сообщении(ях)
|
Re: Токовое зеркало.
Сообщение от bordodynov
|
И коэффициент усиления в инверсном режиме начинает проявляться когда коллекторный переход инжектирует носители в эмиттерный переход.
|
FTGJ, инжектировать коллектор может только в базу.
__________________
Экзорцист 40-го уровня.
|
|
|
|
28.01.2020, 14:51
|
|
Почётный гражданин KAZUS.RU
Регистрация: 04.06.2007
Адрес: Минск, Беларусь
Сообщений: 7,858
Сказал спасибо: 752
Сказали Спасибо 3,927 раз(а) в 2,797 сообщении(ях)
|
Re: Токовое зеркало.
Сообщение от ForcePoint
|
FTGJ, инжектировать коллектор может только в базу.
|
Вообще говоря инжектирование происходит в область ОПЗ база-эмиттерного перехода, основная часть которого находится в базовой области и очень маленькая часть перехода в эмиттере. Маленькая часть, но она есть. Если этой частью пренебречь, то да вы правы. Всё из-за сильной разницы в концентрациях носителей. В коллекторный переход находится и в базе и в коллекторе, поэтому правильно писать не в базе, не в эмиттере и не в коллекторе, а в переходе. Для гетеро-структурных транзисторах тоже всё не просто. Просто было в транзисторах типа МП39 или в горизонтальных pnp транзисторах, где практически все инжектированные носители находились в частях базы . А в структурах с эпитаксиальным коллектором всё не так.
Последний раз редактировалось bordodynov; 28.01.2020 в 14:53.
|
|
|
Сказали "Спасибо" bordodynov
|
|
|
Ваши права в разделе
|
Вы не можете создавать новые темы
Вы не можете отвечать в темах
Вы не можете прикреплять вложения
Вы не можете редактировать свои сообщения
HTML код Выкл.
|
|
|
Часовой пояс GMT +4, время: 18:29.
|
|