Электроника - это просто Теоретические и практические вопросы для начинающих электронщиков. |
12.04.2021, 16:08
|
|
Почётный гражданин KAZUS.RU
Регистрация: 08.02.2005
Адрес: Минск, Беларусь
Сообщений: 7,859
Сказал спасибо: 2,730
Сказали Спасибо 2,674 раз(а) в 1,978 сообщении(ях)
|
Re: Подключение МОСФЕТа к микросхеме
Сообщение от tak
|
параллельно ФЕТу добавить быстрый диод, у которого trr значительно меньше, чем у паразитного диода ФЕТа.
|
1. А как заставить ток течь именно в нужный диод...
2. А зачем добавочный диод в обратноходе...
Ну, можно сгородить такую макросборку - мощнющий MOSFET + транзисторный драйвер + обратный сверхбыстрый 600-вольтный Шотки без рассасывания заряда + диод, чтобы ток тек именно в этот Шотки, залить эпоксидным компаундом - чтобы универсально на всякие случаи жизни
|
|
|
|
12.04.2021, 18:51
|
|
Почётный гражданин KAZUS.RU
Регистрация: 08.02.2005
Адрес: Минск, Беларусь
Сообщений: 7,859
Сказал спасибо: 2,730
Сказали Спасибо 2,674 раз(а) в 1,978 сообщении(ях)
|
Re: Подключение МОСФЕТа к микросхеме
Почитал статей - а что же за "индуктивности" одевают на выводы мощных ключей, неужели действительно хотят просто увеличить индуктивность.
Оказалось - это те же ferrite beads, которые не просто обычный феррит, а феррит с бОльшими потерями на перемагничивание - т.е. на высокой частоте (от десятков мегагерц) имеет относительно большое омическое сопротивление (за счет потерь в феррите), что подавляет ВЧ колебания и уменьшает помехи.
|
|
|
|
12.04.2021, 19:29
|
|
Гуру портала
Регистрация: 06.05.2005
Адрес: Краснодар, возле укротворного моря.
Сообщений: 18,907
Сказал спасибо: 2,542
Сказали Спасибо 11,818 раз(а) в 5,924 сообщении(ях)
|
Re: Подключение МОСФЕТа к микросхеме
Сообщение от Yuri222
|
имеет относительно большое омическое сопротивление (за счет потерь в феррите)
|
Шо-то тут лыжи не едут...
__________________
Не бейте больно, ежели чо, ну не удержался... А вааще,
"Мы за все хорошее, против всей х..., По лугам некошеным чтобы шли ступни,
Чтобы миром правила правда, а не ложь, Мы за все хорошее, нас не на...!
..." (Ленинград)
Я не несу ответственности за свои действия в Вашей голове.
|
|
|
|
12.04.2021, 20:07
|
|
Почётный гражданин KAZUS.RU
Регистрация: 28.03.2008
Сообщений: 7,767
Сказал спасибо: 889
Сказали Спасибо 1,131 раз(а) в 907 сообщении(ях)
|
Re: Подключение МОСФЕТа к микросхеме
Сообщение от Yuri222
|
добавить паразитную индуктивность в цепь истока
явно противоречат и теории, и практике...
|
Встречал такую рекомендацию в аппноте...
Сообщение от Ан-162
|
А то можно и вывод затвора унутри пережечь так.
|
А можно? Вн. сопротивление затвора никто не отменял. Или же всё-таки есть негласный минимум внешнего резистора? тот, с которым тайминги нормируют?
Сообщение от Yuri222
|
Оказалось - это те же ferrite beads, которые не просто обычный феррит, а феррит с бОльшими потерями на перемагничивание - т.е. на высокой частоте (от десятков мегагерц) имеет относительно большое омическое сопротивление (за счет потерь в феррите), что подавляет ВЧ колебания и уменьшает помехи.
|
Тем не менее, ВЧ напряжение на нём будет падать.
Последний раз редактировалось zoog; 12.04.2021 в 20:11.
|
|
|
Эти 3 пользователя(ей) сказали Спасибо zoog за это сообщение:
|
|
|
12.04.2021, 22:41
|
|
Прописка
Регистрация: 28.06.2018
Адрес: Тушино
Сообщений: 133
Сказал спасибо: 22
Сказали Спасибо 19 раз(а) в 17 сообщении(ях)
|
Re: Подключение МОСФЕТа к микросхеме
Сообщение от Ан-162
|
Эта микруха просто больший ток выдать не способна.
|
Выдаёт, но только на активную нагрузку. Паразитная индуктивность не позволяет в самый начальный момент заряда/разряда получить максимальный ток, ибо нужно время на преодоление самоиндукции. По этому даже на чисто активной нагрузке в 30Ом на выходе 3845 напряжение не сразу взлетает до уровня напряжения питания.
Сообщение от Ан-162
|
можно и вывод затвора унутри пережечь так.
|
Не, CEP50N06 и IRFZ46 нормально переживают ток в канале до 115А в течении 90мкс и частотой 1кГц с управлением затвора именно через КТ972/КТ973 и выходом к ФЕТу без Rg. Правда питание 16.2В.
Сообщение от Ан-162
|
И впридачу вдруг получить на стоке бешеный всплеск напряжения "на ровном месте"...
|
Не будет никаких всплесков, если добавить паразитную индуктивность в виде бусинки на лапку истока ФЕТа. И/или заранее завалить фронты с генератора до двухтактного эмиттерного повторителя.
Ещё ФЕТ зашунтировать шустрым диодом с временем переключения в десятки раз меньшим, trr=1-20нс, чем у паразитного диода ФЕТа. Этот диод будет работать в разности времён восстановления.
Снаббер никто не отменял.
На скрине синий график - напряжения сток-исток CEP50N06, жёлтый график - затвор-исток.
БП 16.2В 12А и поэтому импульс длительностью 90мкс с частотой 1кГц, чтобы БП успевал зарядить ёмкость фильтра питания током 12А. Ток в открытом канале 115А в течении 90мкс. Затвор подключён к КТ972/КТ973 напрямую. CEP50N06 за сутки прогона не накрылся.
Всплеск на затворе конечно присутствует, но он не такой уж и большой в отличии от того, если ввести Rg. Конечно напряжение питания нагрузки небольшое, но всё равно плато Миллера практически не видно.
Последний раз редактировалось tak; 12.04.2021 в 22:58.
|
|
|
Эти 2 пользователя(ей) сказали Спасибо tak за это сообщение:
|
|
|
12.04.2021, 23:33
|
|
Прописка
Регистрация: 28.06.2018
Адрес: Тушино
Сообщений: 133
Сказал спасибо: 22
Сказали Спасибо 19 раз(а) в 17 сообщении(ях)
|
Re: Подключение МОСФЕТа к микросхеме
Сообщение от Yuri222
|
А как заставить ток течь именно в нужный диод...
|
Очень просто, кто раньше переключился того и тапки и не нужно ничего городить! Ultrafast-диод имеет меньшее время переключения нежели Body-диод ФЕТа.
Кстати, также помогает шунтирование мощных диодов Шоттки с большой внутренней ёмкостью.
Последний раз редактировалось tak; 12.04.2021 в 23:55.
|
|
|
|
12.04.2021, 23:50
|
|
Прописка
Регистрация: 28.06.2018
Адрес: Тушино
Сообщений: 133
Сказал спасибо: 22
Сказали Спасибо 19 раз(а) в 17 сообщении(ях)
|
Re: Подключение МОСФЕТа к микросхеме
Сообщение от zoog
|
Встречал такую рекомендацию
|
Сообщение от Yuri222
|
это те же ferrite beads, которые не просто обычный феррит, а феррит с бОльшими потерями на перемагничивание - т.е. на высокой частоте (от десятков мегагерц) имеет относительно большое омическое сопротивление (за счет потерь в феррите),
|
Оно самое! Пользую регулярно, где есть проблемы с подавлением импульса в начале времени запирания канала. Только в любом случае остальные паразитные индуктивности цепей надо делать как можно меньше - размещать драйвер фактически непосредственно на лапках ФЕТа с фильтрующим конденсатором цепи питания драйвера.
Большое значение Rg увеличит импульс на затворе от действия плато Миллера. Если нужно завалить фронты чтобы снизить скорость закрытия ФЕТа, то это нужде делать с завалом фронтов до драйвера, а не между драйвером и ФЕТом в затворной цепи. Бусинки на истоке - выход от безысходности, но они спасают от применения более мощного снаббера.
Последний раз редактировалось tak; 13.04.2021 в 00:05.
|
|
|
|
13.04.2021, 08:05
|
|
Заблокирован
Регистрация: 27.07.2011
Адрес: Харьков
Сообщений: 8,236
Сказал спасибо: 4,687
Сказали Спасибо 11,566 раз(а) в 3,474 сообщении(ях)
|
Re: Подключение МОСФЕТа к микросхеме
Сообщение от tak
|
По этому даже на чисто активной нагрузке в 30Ом на выходе 3845 напряжение не сразу взлетает до уровня напряжения питания.
|
Это не из-за индуктивности, просто особенность ее выходного каскада.
Я ее тоже "имел во всех позах".
Сообщение от tak
|
Правда питание 16.2В
|
Отож.
Т.е. сопоставимое с напряжением управления.
Сообщение от tak
|
или заранее завалить фронты с генератора до двухтактного эмиттерного повторителя
|
Ну и какой смысл? "Русские умеют найти выход из любой ситуации, но еще лучше они умеют найти туда вход"![Очень смешно](images/smilies/icon_veryhappy.gif)
Может тогда таки проще использовать затворный резистор?
Он сам прекрасно справится с этой задачей.
Сообщение от tak
|
плато Миллера практически не видно
|
Так его и не будет почти при таком напряжении на стоке и 50 пф проходной.
Вот когда перепад напряжения на нем будет в 20-30 раз больше напряжения управления, тогда Миллер проявит себя. На более ВВ транзисторе ессно...
Сообщение от tak
|
Большое значение Rg увеличит импульс на затворе от действия плато Миллера
|
А вот для этого включают дополнительный конденсатор в затвор-исток.
Видели наверное в некоторых схемах? ![Подмигивание](images/smilies/icon_wink.gif)
А в Вашей и так хватает: 1400пф против 50пф.
Последний раз редактировалось Ан-162; 13.04.2021 в 09:44.
|
|
|
|
13.04.2021, 10:37
|
|
Почётный гражданин KAZUS.RU
Регистрация: 08.02.2005
Адрес: Минск, Беларусь
Сообщений: 7,859
Сказал спасибо: 2,730
Сказали Спасибо 2,674 раз(а) в 1,978 сообщении(ях)
|
Re: Подключение МОСФЕТа к микросхеме
Вчера вечером перед сном прикинул в голове некоторые цифры. Сильно прошу не пинать - прикидки могут отличаться от реалий в несколько раз.
Возьмем для начала тему ТС - относительно маломощный (ватт 50-100 ОХ), рассмотрим процесс включения ключа.
Если применим в затворе резистор 30-50 Ом, то такая величина резистора в значительной мере сглаживает сопротивление затвора ключа, вых. сопротивление драйвера (можно применить что на 1А, что на 4А вых. тока), по большому счету не сильное значение имеют паразитные емкости ключа (входная и проходная). Т.е. применив в схеме ключ из коромки, какой под руку попадется - мы уверены в работоспособности.
Для того же БП если
Цитата:
|
Забубенить прям на лапках ФЕТа каскад из КТ972/КТ973 или 2SD882/2SB772 без Rg
|
и применить индуктивность - то эта индуктивность должна быть около 0,5-1 мкГн. При этом - желательно добавить стабилитрон между затвором и истоком, или же применять конкретный транзистор со вполне определенным сопротивлением затвора. Также паразитные емкости этого ключа не должны иметь сильного разброса. - Т.е. уже не получится взять абы какой транзистор из коробки или купить "аналог" с Али - можно получить проблем на ровном месте, особенно - если без стабилитрона и транзистор с малым сопротивлением затвора. Т.к. резонансная частота будет около одного-двух десятков мегагерц, где сопротивление ferrite bead может оказаться недостаточным.
Если же изготавливать более мощный БП, то может понадобиться индуктивность около 100 нГн, при этом большое влияние будут иметь такие паразитные параметры, как вых сопр. драйвера, вх. сопр. ключа, его паразитные индуктивности. и емкости. И - разводка платы. В принципе, эту сотню наногенри, пожалуй, можно выполнить в виде топологии разводки платы. А это уже требует применения строго определенного драйвера, ключа, и при замене на пальцах просто так не пересчитаешь.
Поэтому ИМХО применение таких подходов оправданно при массовом производстве блоков питания тысячами штук/при единичном производстве дорогих кастомных изделий/опытным разработчиком - для себя, когда есть время и желание выиграть несколько процентов кпд.
Ну и - если разрабатывать изделие заказчику, в котором не уверен - сбросить ему схему на ознакомление, без пояснений. А если он, увидев ее кажущуюся простоту, захочет пробросить разработчика - заказав своим конструкторам плату без явно указанной индуктивности в цепи затвора, без резистора, без стабилитрона, и если еще те применят транзистор с "лучшими" характеристиками - пусть наслаждается красочным фейерверком.
Сообщение от zoog
|
Встречал такую рекомендацию в аппноте.
|
В данном случае можно что угодно поставить в исток - при 470 Ом в затворе эта индуктивность не даст выброса напряжения в минус на истоке, т.е. ее применение безопасно.
В мощных скоростных ключах паразитная индуктивность в истоке (индуктивность как самого ключа, так и проводов) запросто может вызвать отриц. выброс на истоке и подключенной к ней ноге драйвера )т.е. "минус" драйвера уйдет ниже потенциала GND) - а это может вызвать как открывание закрывающегося нижнего транзистора, так и защелкивание паразитной тиристорной структуры на выходе драйвера. В AN от IR рассматриваестя этот эффект и методы борьбы с ним, а также они выпускают драйвера, способные выдержать всплеск в минус емнип что-то около 5-10В.
UPD вот вспомнил - попадались мне в руки комповые БП мощнотстью ватт на 600-800, с PFC , у ключа которого были трубки на затворе и истоке. Видно - так боролись с помехами, ну и знали что делали (т.е. сколько чего должно быть для конкретного транзистора).
Последний раз редактировалось Yuri222; 13.04.2021 в 10:42.
|
|
|
Сказали "Спасибо" Yuri222
|
|
|
13.04.2021, 10:53
|
|
Прописка
Регистрация: 28.06.2018
Адрес: Тушино
Сообщений: 133
Сказал спасибо: 22
Сказали Спасибо 19 раз(а) в 17 сообщении(ях)
|
Re: Подключение МОСФЕТа к микросхеме
Сообщение от Ан-162
|
Может тогда таки проще использовать затворный резистор?
|
На мой вкус чем меньше затворное сопротивление, тем меньше амплитуда от плато Миллера на затворе.
Сообщение от Ан-162
|
А вот для этого включают дополнительный конденсатор в затвор-исток.
|
Да, в курсе, но зачем, если можно завалить фронты с генератора ещё до силовой части, а Rg использовать поменьше? Нужно же не просто уменьшить амплитуду действия плато Миллера, но и уменьшить её время действия. Увеличение Rg увеличивает и амплитуду на затворе ФЕТа и время действия плато Миллера.
Возможно это шило на мыло, но мне кажется, что искусственное увеличение Rg и Cgs чтобы уменьшить влияние Cgd не совсем правильно. ИМХО цепи затвор-RgCgs-верхний ключ-снаббер-сток и затвор-RgCgs-нижний ключ-ёмкость фильтра питания драйвера-снаббер-сток должны иметь низкое время восстановления.
Сообщение от Ан-162
|
Вот когда перепад напряжения на нем будет в 20-30 раз больше напряжения управления, тогда Миллер проявит себя.
|
Согласен, но плато Миллера проявляется и при небольшом напряжении питания нагрузки, если Rg достаточно большое.
Имея возможность оценить уровень плато Миллера при малом напряжении питания с двумя-тремя разными Rg, то можно интерпретировать уровень возрастания при напряжении питания куда большего уровня при том же токе нагрузки. Конечно, желательно проверять при напряжении питания ну там 390В, но можно посмотреть что будет например при 16 и 23В с Rg на 5, 10 и 20Ом и привести к 390В, хоть и приблизительно.
|
|
|
Эти 2 пользователя(ей) сказали Спасибо tak за это сообщение:
|
|
|
Ваши права в разделе
|
Вы не можете создавать новые темы
Вы не можете отвечать в темах
Вы не можете прикреплять вложения
Вы не можете редактировать свои сообщения
HTML код Выкл.
|
|
|
Часовой пояс GMT +4, время: 14:43.
|
|