Подключение МОСФЕТа к микросхеме

[tak]

и применить индуктивность - то эта индуктивность должна быть около 0,5-1 мкГн. При этом - желательно добавить стабилитрон между затвором и истоком, или же применять конкретный транзистор со вполне определенным сопротивлением затвора. Также паразитные емкости этого ключа не должны иметь сильного разброса. - Т.е. уже не получится взять абы какой транзистор из коробки или купить "аналог" с Али - можно получить проблем на ровном месте, особенно - если без стабилитрона и транзистор с малым сопротивлением затвора. Т.к. резонансная частота будет около одного-двух десятков мегагерц, где сопротивление ferrite bead может оказаться недостаточным.

До 120МГц ловил колебания при закрытии/открытии ФЕТа, которые можно убрать либо завалив фронты перед драйвером, либо вводом бусинки от 0.1 до 0.25мкГн в исток ФЕТа. Далее, после завершения тока самоиндукции, в дело вступает снаббер. Менял ФЕТы с разными Ciss и картинка эпюр на стоке и затворе ФЕТов не менялась. Я не совсем за отстранения Rg от работы, но его величина должна быть оправдана. Но вот какая величина должна быть у Rg без создания тестового стенда и определения нужного уровня Rg с помощью построечного резистора мне так и не понятна. Ведь собрать схему на 390В надо с первой попытки, чтобы ничего не вылетело из-за наличий каких-то уровней амплитуд от паразитных индуктивностей и от действия плато Миллера.

[tak]

т.е. "минус" драйвера уйдет ниже потенциала GND)

Ха, Вы в курсе, что выход 3843 уходит в -1В и при чисто ёмкостной нагрузке, подключённой непосредственно между её лапками Output и GND?

[tak]

UPD вот вспомнил - попадались мне в руки комповые БП мощнотстью ватт на 600-800, с PFC , у ключа которого были трубки на затворе и истоке. Видно - так боролись с помехами, ну и знали что делали (т.е. сколько чего должно быть для конкретного транзистора).

Практически все попадавшие в ремонт ко мне мониторы 14-15 дюймов, произведённые в конце 0-вых и начале 10-ых годов, с матрицами с люминесцентной подсветкой имели на истоках ключей "горячей стороны" БП вот такие ферритовые бусинки. Бусинки иногда устанавливались не только на лапку истока ФЕТа, а и на затвор. Сейчас в продаже бусинки тяжело найти - в век SMD существуют EMI-ферриты в SMD корпусе.
Вот например https://www.chipdip.ru/product0/8003951216
или вот
http://www.farnell.com/datasheets/1685913.pdf
Хотя иногда ещё можно встретить https://www.chipdip.ru/product0/8003304994.
Понятное дело, что бусинки можно надеть только на корпуса TO-220, TO-247 и иже с ними, но вот с например на какой-нибудь DirectFET ST бусинку не надеть.

[Yuri222]

Очень просто, кто раньше переключился того и тапки и не нужно ничего городить! Ultrafast-диод имеет меньшее время переключения нежели Body-диод ФЕТа

Допустим - первым открылся дополнительный диод. Но если у него бОльшее напряжение в прямом направлении, чем у body diode транзистора - что мешает ему открыться позже...
Например, у SiC 600в Шотки напряжение больше вольта, а у 600-вольтного MOSFET меньше вольта при сравнимых токах, особенно, если он подогреется от работающего транзистора.

[tak]

При этом - желательно добавить стабилитрон между затвором и истоком

Ну в принципе да, но только нигде в схемах с бусинками на истоках я не видел добавления стабилитрона от всплеска на паразитной индуктивности бусинки.
"-" на истоке от паразитной индуктивности бусинки относительно GND драйвера появится при отпирании ФЕТа, а "+" на истоке от паразитной индуктивности бусинки относительно GND драйвера появится при запирании ФЕТа, но я не ловил эти уровни более порога отпирания ФЕТа, то есть выше 2В. Время действия этого всплеска на при запирании канала на столько мало, что только помогает убрать с затвора ФЕТа заряд не отпирая оный. ФЕТ же запирается при ‹2В, вот тут и вступает действие самоиндукция бусинки на истоке ФЕТа, пытаясь поднять уровень истока над уровнем затвора относительно GND.

Кстати, я тут глянул некоторые схемы БП мониторов и в некоторых схемах используется бусинка на стоке перед нагрузкой и даже без дополнительного снаббера параллельно каналу ФЕТа. Видимо чтобы самоиндукция бусинки на истоке не мешала затворной цепи, её отправили в цепь стока.

[tak]

Допустим - первым открылся дополнительный диод. Но если у него бОльшее напряжение в прямом направлении, чем у body diode транзистора

Ну смотрите, как я понимаю:
Допустим у шустрого диода Vf=2В и trr=25нс, у диода ФЕТа Vf=1В и trr=300нс.
300нс-25нс=275нс - в течении 275нс будет открыт шустрый диод с падением напряжения 2В, после откроется диод ФЕТа и зашунтирует или почти зашунтирует шустрый диод своим 1В. То есть шустрый диод будет работать единолично только в диапазоне 275нс за период при не важно какой частоте управления ФЕТа, хоть 30кГц, хоть 3МГц. Дале будет либо шустрый диод заперт, либо будет задействован от силы на 10% в зависимости от уровня падения напряжения на уже открытом переходе более тормозного, но мощного диода ФЕТа.
И даже у диодов Шоттки есть свое время переключения из-за действия большой ёмкости кристалла https://power-e.ru/wp-content/uploads/11_66_02.jpg. Параллельно диоду Шоттки не просто так ставят снаббер.
Моя практика показывает, что параллельно диоду Шоттки наличие шустрого диода, снижается уровень разогрева диода Шоттки.
Конечно, если фронты сигнала будут короче trr шустрого диода, то уже самому шустрому диоду понадобится личный снаббер.

[Yuri222]

Ну смотрите, как я понимаю:
Допустим у шустрого диода Vf=2В и trr=25нс, у диода ФЕТа Vf=1В и trr=300нс.

Нет, Вы про обратное восстановление, которое к открыванию диода не имеет никакого отношения.
Я - про открывание диода, антипараллельного ключу - например, в резонансных схемах с большими токами. Время открывания что быстрого, что встроенного - сравнимы, не отличаются на порядок. Открылся быстрый, потом - встроенный, потом - да, открылся ключ. НО! Заряд то во встроенном остался - после переключения и открывания оппозитного ключа он и будет рассасываться (т.е. только тогда и надо учитывать trr

[tak]

Время открывания что быстрого, что встроенного - сравнимы, не отличаются на порядок.

Ну как же не отличается на порядок? Ну хорошо, в два-три раза. И этого достаточно, если это снизит нагрев ФЕТа или диода Шоттки, которые выполняют основную работу. Почему бы и нет?

Заряд то во встроенном остался - после переключения и открывания оппозитного ключа он и будет рассасываться

Так о чём и разговор. Одно дело когда рассосётся самостоятельно, другое дело когда в этом поможет уже переключившийся оппозитник. Разность trr - это максимально возможное время работы шустрого диода в помощи рассасывания заряда на переключение "тяжёлого" диода, чем снаббер и занимается. Только ведь у снаббера есть и отрицательная сторона.
Да и скорость отпирания у шустрого диода выше, ибо меньше собственная ёмкость перехода. А даже у мощных диодов Шоттки собственная ёмкость порядка нескольких сотен пикофарад.

[Yuri222]

"-" на истоке от паразитной индуктивности бусинки относительно GND драйвера появится при отпирании ФЕТа

Ну смотрите.
FET (нижний) открыт - через него и паразитные индуктивности течет ток. Условно говоря - "+" сверху, на истоке, а "-" - снизу, на паразитной индуктивности, подключенной к земле.
При запирании ключа ток в индуктивности должен уменьшится -› из-за самоиндукции он стремится остаться такой же величины -›возникает эдс самоиндукции. Т.е. на выводах индуктивности уже к истоку будет приложен "-", а к земле "+".
И вот ту становится важным - что считать "землей".
См например http://www.irf.com/technical-info/designtp/dt92-1.pdf - Fig1.
У IR много было такого типа разъяснений, но что-то не могу сейчас быстро найти наиболее интересное и понятное, много чего сохранено на другом диске, но он - в другом компе.

[Yuri222]

Одно дело когда рассосётся самостоятельно, другое дело когда в этом поможет уже переключившийся оппозитник

Не помню сейчас точно, у какой-то серьезной фирмы, выпускающей мощные силовые сборки, возникли проблемы с выходом из строя этих сборок при работе БП с вых. мощностью емнип процентов 10 от номинала.
Расследование показало, что при небольшом токе на открытом транзисторе было слишком маленькое напряжение, которое не рассасывало накопленный заряд в чуть ранее открывавшемся боди диоде. При слишком быстром открывании оппозитного транзистора этот диод во время рассасывания заряда пробивался.
При большой нагрузке (больших токах в ключах) к ранее открытому боли диоду прикладывалось гораздо бОльшее напряжение на сток-истоке открытого транзистора, и этим напряжением заряд из диода успевал рассасываться до того, как открывался оппозитный транзистор.
У меня самого в одной серии резонансных комповых БП именно при низкой нагрузке из-за особенностей работы резонансного контроллера регулярно пробивались ультрафасты (с Trr 30 нс) из-за того, что не успевали закрываться (напряжение около 390-400В, 500 кГц, ток через открытый диод навскидку с полампера). Потом нашел подходящий по размеру 600В Шотки (еле нашел, они в основном на токи под десяток ампер и в здоровых корпусах), и проблема исчезла.