Подключение МОСФЕТа к микросхеме

[Yuri222]

Вот какие получились td(on) и tr у IRFZ46N, как это правильно по даташиту замеряется, от 10% до 90%.
7.35нс и 4.85нс
7.55нс и 4.95нс
7.70нс и 5.50нс
7.85нс и 5.90нс
Начинает вмешиваться плато Миллера.
8.70нс и 13.50нс
8.90нс и 19.30нс
9.60нс и 20.00нс
10.60нс и 24.80нс
10.90нс и 30.90нс
12нс и 39нс.

не понял - первая колонка (где, например, 7,35 нс) - это td(on), а вторая (где 4,85 нс) - это tr?

[tak]

(где, например, 7,35 нс) - это td(on), а вторая (где 4,85 нс) - это tr?

угу.................................

[Yuri222]

tak, но ведь tr - это rise time - это и есть результат плато Миллера. - см рис 10Б
Т.е. когда транзистор достиг уже порога открывания (напряжение на затворе = Vg(th)
) и начинает открываться - спадает напряжение на стоке.
По td(on) - я прикинул - при заданных в даташите условиях (импульс 10В, вх емкость Ciss = Cgs + Cgd = 1700 пФ, Rg=12 Ом, правда - хз какое сопротивление затвора, но у этого низковольтного много быть не предполагаю что есть) где-то и получается как по даташиту.
А tr чтобы даташитное получить - нужно еще и условия как по даташиту создать - 1 Ом чисто резистивная нагрузка при 28В питания.

И тогда становится непонятной фраза -

Начинает вмешиваться плато Миллера.
8.70нс и 13.50нс
8.90нс и 19.30нс
9.60нс и 20.00нс
10.60нс и 24.80нс
10.90нс и 30.90нс
12нс и 39нс.

так Миллер же был уже изначально указан...

[tak]

tr - это rise time - это и есть результат плато Миллера.

А ИМХО это время спада напряжения Vds с уровня 90% до 10% при открытии канал. Это время полное, то есть включает в себя всё, в том числе и задержку от плато Миллера. Там действие не только от Cgd, а ещё и от Cds.

[zoog]

В данном случае можно что угодно поставить в исток

Я этот случай вообще не понимаю - по картинке потери на коммутацию составляют десятки/сотни ватт (400В х 10А х 0,5 х Тперекл/Тстат), а пишут - 0,8.

попадались мне в руки комповые БП мощнотстью ватт на 600-800, с PFC , у ключа которого были трубки на затворе и истоке.

С драйвером верхнего плеча? Там обычно трансформаторы вроде.

Туда же, в топку, хвала китайским богам, не забыли его туда поставить - т.к. диод пробивало на кз или что-то близкое к кз.

Меня интересовал этот момент. При (недо)закрытии диода, когда он ещё открыт, прикладывается напряжение питания - по идее оно всё должно упасть на резисторе. 30А импульсного тока не ‹del›могут‹/del› убить диод, а вот резистор спалить обязаны. Ан нет..

А получить на IRFZ46N даташитовские tr=76нс получилось только при td(on)=53нс, при входном импульсе с заваленным фронтом непосредственно на выходе самого генератора в 310нс полной амплитуды.

Так и я о том - чтоб заметно повлиять на динамику, пришлось невменяемо затянуть управление. Не разумнее ли для формирования тайминга переключения использовать обратную связь от самого процесса (т.е. Crss)?

[zoog]

при заданных в даташите условиях (импульс 10В, вх емкость Ciss = Cgs + Cgd = 1700 пФ

Эта ёмкость существует только при V GS = 0 V; V DS = 25 V; f = 1 MHz, при коммутации нужно смотреть либо графики С от U, либо (адекватнее) Q от U.

А tr чтобы даташитное получить - нужно еще и условия как по даташиту создать - 1 Ом чисто резистивная нагрузка при 28В питания.

А нагрузка-то на что влияет? Только на напряжение плато / ток, при котором начинает меняться U.

Миллер же был уже изначально указан

Скорее - устранён низким сопротивлением драйвера, ?

[tak]

Я этот случай вообще не понимаю - по картинке потери на коммутацию составляют десятки/сотни ватт (400В х 10А х 0,5 х Тперекл/Тстат), а пишут - 0,8.

А как часто за за секунду происходят эти потери?

[tak]

Не разумнее ли для формирования тайминга переключения использовать обратную связь от самого процесса (т.е. Crss)?

А как? Ведь пока не начнёт отрабатывать Crss, мы не узнаём, что нужно принимать меры. А ещё есть задержка, точнее скорость обратной связи. Нет, эффективны только превентивные меры, когда мы предполагаем, что после определённых наших действий будет определённый прогнозируемый ответ.
Вот например как в автомобильной техники, имеется ввиду обратный отсчёт формирования импульса тока заряда катушки зажигания, под нужный угол опережения зажигания со стабилизацией длинны импульса, от датчика ВМТ по частоте оборотов или от разницы времени двух предыдущих импульсов заряда катушки. Имеется ввиду старые 2108 с электронным зажиганием или процессорным через одну катушку и бегунок механического распределителя тока зажигания.

[Ан-162]

Завалить фронты сигнала не применяя сопротивление Rg большого уровня и не добавляя ёмкости к Cgs.

Уже говорил - вместо одного резистора или резистора и конденсатора Вы предлагаете применить два быстрых транзистора и еще что-то там мудрить с выходом драйвера, чтоб затянуть фронты/спады (наверное, поставив туда таки те-же резистор и конденсатор на базы транзисторов?)))
И это при одинаковом конечном результате.
Смысл сего деяния ускользает от меня.
А те, кто делает схемы на поток, где стоимость и важность каждой детальки тщательно взвешивается, боюсь, Вас просто не поймут.
Наверное неспроста я никогда не видел в силовой технике такой схемы.
Составной повторитель на выходе недостаточно мощного драйвера - да, и не раз,
а вот цепь замедления перед ним - никогда.

А как?

Так емкость сток-затвор и является этой обратной связью, из-за нее и возникает плато миллера, зачем городить что-то еще? (про интегратор на ОУ почитайте, процессы аналогичные)
Даем больше ток в затвор, уменьшая резистор (и умощняя драйвер, если надо) - получаем более быстрое переключение, меньше длительность плато и больше скорость изменения напряжения на стоке.
Дополнительные плюшки: мощность выделяется на резисторе, а не на драйвере, и мы точно знаем, на каком уровне ограничен ток затвора, если случится пробой - выгорит резистор и защитный супрессор/стабилитрон в затворе, что легко меняется (драйвер в большинстве случаев остается цел) а у Вас транзистор(ы) составного повторителя полетят 100%.

[Yuri222]

Эта ёмкость существует только при V GS = 0 V; V DS = 25 V; f = 1 MHz

Ну так в том даташите и есть график Ciss - около 2500 пФ при нуле на входе. Я же взял 1700 - нечто среднее, при бОльшем напряжении.

А нагрузка-то на что влияет?

Ну смотрите. Пороговое напряжение - это то напряжение на затворе, при котором ток 100-250 мкА. Дальше, при увеличении напряжения на затворе - растет крутизна транзистора. Соответственно - при большом (исправил - было - малым) сопротивлении нагрузки можно быстро переключиться и при малой крутизне. А чтобы быстро переключиться (и вообще - смочь переключиться) при малой нагрузке - нужно уже более высокое напряжение на затворе. Если посмотреть в даташит - то там пороговое может быть 3В, а плато на графиках - на уровне 5В. А проходная емкость стремится призакрыть транзистор в течение времени нарастания.
Выходная - сотня-две пикофарад - тоже влияет, но кмк весьма незначительно.