Симуляции армии клонов от tipa до Алекс63

[bordodynov]

-то есть, заводскую на свою поменяли, с другим алгоритмом колебаний?

Нажмите, чтобы открыть спойлер

У меня 2 таких прибора. Мне, с моим артрозом, хоть запищись в труху, а результата,-ни ху-ху . Выручает только друг- топор (не в смысле- по колену, а по-плотничать). Батя-же, царство небесное, простатит вылечил, упёртый тоже был...

Нет, пищание в дали только раздражает. Надо было сделать её выносной и прикладывать к больному месту. Это было давно. Теперь имея звуковой файл и кучу проигрывающих устройств это проще. Можно использовать например смартфон. Лечиться смартфоном!
Первый аппарат автор сделал из телефона и друзья, которым он очень помог, смеялись, что он лечит телефоном.

[tipa]

Надо смотреть даташит

-там ±20 (как вы "+" и "-" объединили?, с клавы не получается набирать),-так реально-ли на практике таким образом повышать R полевиков и "ижэбэтэшек"?

[bordodynov]

-там ±20 (как вы "+" и "-" объединили?, с клавы не получается набирать),-так реально-ли на практике таким образом повышать R полевиков и "ижэбэтэшек"?

https://unicode-table.com/ru/sets/special-symbols/
У у полевых транзисторов есть "утечки". На самом деле утечки могут быть
через грязь на поверхности. Но есть подпороговый ток, который экспоненциально зависит от напряжения на затворе. При этом этот ток определяется дельтой между напряжением на затворе и порогом. Реальный ток при напряжении на затворе равном пороговому не равен нулю и может быть достаточно ощутим. И подпороговый режим нужно учитывать при УЗЧ на полевиках. Я же при проектировании кварцевого генератора специально загонял транзисторы в этот режим для уменьшения тока. Получился ток КГ 32 кГц примерно 30 нА. Пользователи форума diyaudio (пол миллиона членов) были очень рады когда в модели VDMOS LTspice появился подпорог.
https://www.diyaudio.com/forums/soft...ltspice-5.html
https://www.diyaudio.com/forums/index.php
Особенно большой подпороговый ток у транзисторов с низким порогом. Чем меньше порог тем больше подпороговый ток. Вот этот то ток и можно уменьшить подав отрицательное смещение на затвор. Подпорог есть в моделях Level=2 и 3, но не все задают необходимые параметры. И в этих моделях плохо сделана сшивка обычного и подпорогового тока, что замедляет счёт и даёт большую (относительно) погрешность при работе транзистора при напряжении примерно равном порогу, например в двухтактном КМОП повторителе на выходе звукового усилителя.

[tipa]

Подпорог есть в моделях Level=2 и 3, но не все задают необходимые параметры. И в этих моделях плохо сделана сшивка обычного и подпорогового тока, что замедляет счёт и даёт большую (относительно) погрешность при работе транзистора при напряжении примерно равном порогу, например в двухтактном КМОП повторителе на выходе

- в такие тонкости не вникал, где в доступном виде почитать можно?

[bordodynov]

- в такие тонкости не вникал, где в доступном виде почитать можно?

В интернете.
Я изучал внутренности программы Spice2. Исходники на Фортране привёз математик из Украины. Он перебрался в Минск. Это было давно. Мне нужны были формулы для разработки матаппарата (алгоритмов) по извлечению spice моделей из измерений. Измерения я пытался автоматизировать. В результате я получил spice параметры транзисторов КМОП и затем пользовался ими при расчёте узлов микросхем. Например разработал схему стабилизатора с выходным напряжением равным сумме порогов КМОП транзисторов. При напряжении питания такой величины отсутствуют сквозные токи. Это и то, что питание меньше исходных 1.5 В уменьшила ток потребления. Ток потребления стабилизатора получился 3 - 12 нА. Как вы думаете - без соответствующих параметров и spice это можно сделать? Как и ток потребления кварцевого генератора 30 нА.

[цифровик]

tipa,

Я сам в железе этими IGBT транзисторами не занимался. Нечего на них не делал.
Но в программе решил попробовать тестировать его. Не знаю правильно ли все получилось. В архиве все и принцип работы этих транзисторов и даташит. Дроссель в нагрузке реальный. Просто включите. Можете что то изменить. Не знаю в железе мне они точно не пригодятся. Но интересно их работа.

[tipa]

Как вы думаете - без соответствующих параметров и spice это можно сделать? Как и ток потребления кварцевого генератора 30 нА.

- мне лучше, как товарищу Онегину: "С учёным видом знатока, -хранить молчанье в важном споре". Здесь тусуются профи, - а мы, "немытая Россия", по-послушаем, да на ус по- наматываем...
Понял одно: подпороговая электроника, лет 30 назад, возбудилась, потом заглохла, ввиду чисто практических трудностей. Теперь же, с новой силой воспряла, так как огромные перспективы открываются в плане экономичности, компактности, быстродействия и т.д. Короче, опять надо новую тему открывать, пока от жизни не отстали...

Мне нужны были формулы для разработки матаппарата (алгоритмов) по извлечению spice моделей из измерений. Измерения я пытался автоматизировать. В результате я получил spice параметры транзисторов КМОП и затем пользовался ими при расчёте узлов микросхем. Например разработал схему стабилизатора с выходным напряжением равным сумме порогов КМОП транзисторов.

- почему Ваших учебников нет нигде!? Вы же у истоков, так сказать (почти, как в "Москва слезам не верит") стояли и участвовали...,- или преподавательской деятельностью заняться...

Не знаю в железе мне они точно не пригодятся.

-почти вся силовая электроника сейчас на них, -я сужу только по тем изделиям, с которыми сталкиваюсь в быту. Несколько раз приходилось менять в простых инверторах и полуавтоматах, в индукционных плитках,- везде они, голубчики, стоять...Из теории следует, что на больших мощностях мосфеты становятся неэффективны из-за сильного падения мощности на D-S переходах (хотя, казалось бы, сопротивление то- мизерное).

"Ламповый звук" в простом УНЧ-пишет автор статьи-Попцов (ж. "Радиоконструктор" 09-2021), что согласуется с обсуждаемой в параллельной ветке темой: под-надпороговыми напряжениями мосфетов. Можно потестить его схемку.
ЗЫ: статью скопировал, выкладываю в rar- формате, исключительно из уважения к своему земляку- Алексееву В.В.- бессменному редактору и основателю журнала.

[bordodynov]

-почти вся силовая электроника сейчас на них, -я сужу только по тем изделиям, с которыми сталкиваюсь в быту. Несколько раз приходилось менять в простых инверторах и полуавтоматах, в индукционных плитках,- везде они, голубчики, стоять...Из теории следует, что на больших мощностях мосфеты становятся неэффективны из-за сильного падения мощности на D-S переходах (хотя, казалось бы, сопротивление то- мизерное).

Я объясню почему так. Для того что бы МОП транзистор был высоковольтным необходимо использовать низкую концентрацию носителей. Т.е. это даёт повышенное сопротивление стока. В IGBT транзисторе к обычной структуре высоковольтного МОП транзистора делают диффузию бора. Получается P+ область. При открытии транзистора за счёт инжекции носителей из этой P+ области носители (дырки) попадают в n-область стока. Количество носителей в n-области стока резко увеличивается и происходит модуляция проводимости высокоомной области. Сопротивление резко падает. Правда появляется дополнительное падение на pn переходе, но всё равно падение напряжения на транзисторе получается существенно меньше чем на исходном МОП транзисторе. Получается при той же площади кристалла транзистора больший ток. И цена такого IGBT практически как и у исходного МОП транзистора, но допустимый ток больше. Правда получающийся в структуре pnp закрывается медленно. Вот если бы эмиттер транзистора был зашунтирован резистором, то выключение было бы быстрее. Но создание резистора нарушает простую структуру IGBT транзистора. Для уменьшения времени выключения делают специальное легирование структуры и профиль легирования. Чем более высоковольтный исходный МОП транзистор (и соответственно более высокоомный сток) тем больший выигрыш по сопротивлению для IGBT транзистора.

[tipa]

tipa, вы же на форуме Мультисима NI. Поместите в нём мою картинку и спросите у парней из NI, что они про это думают. Может внесут в программу изменения.

-я там им воткнул в аватарку военное фото дядюшки- командира торпедного катера Балтфлота - а то что-то неактивно как-то отвечают...
-если вы не против, и не против все,-понавставляю им картинок и вопросов с нашего форума, чтоб не расслаблялись. Спецы редко выступают, в основном, отставники-пенсеры...-бывшие сотрудники NI

[цифровик]

Я объясню почему так. Для того что бы МОП транзистор был высоковольтным необходимо использовать низкую концентрацию носителей. Т.е. это даёт повышенное сопротивление стока. В IGBT транзисторе к обычной структуре высоковольтного МОП транзистора делают диффузию бора. Получается P+ область. При открытии транзистора за счёт инжекции носителей из этой P+ области носители (дырки) попадают в n-область стока. Количество носителей в n-области стока резко увеличивается и происходит модуляция проводимости высокоомной области. Сопротивление резко падает. Правда появляется дополнительное падение на pn переходе, но всё равно падение напряжения на транзисторе получается существенно меньше чем на исходном МОП транзисторе. Получается при тоё же площади кристалла транзистора больший ток. И цена такого IGBT практически как и у исходного МОП транзистора, но допустимый ток больше. Правда получающийся в структуре pnp закрывается медленно. Вот если бы эмиттер транзистора был зашунтирован резистором, то выключение было бы быстрее. Но создание резистора нарушает простую структуру IGBT транзистора. Для уменьшения времени выключения делают специальное легирование структуры и профиль легирования. Чем более высоковольтный исходный МОП транзистор (и соответственно более высокоомный сток) тем больший выигрыш по сопротивлению для IGBT транзистора.

Моделирование этого типа транзистора подтверждает. Он включается как то ударом. Выключение медленное. Ставил другие шаги в моделировании - тоже самое. Примерно у меня несколько секунд длиться этот цикл. Уменьшение напряжения открытия по затвору до 15в приводит к резкому увеличению мощности на этом типе транзистора. Связано это не с полностью открытым биполярным переходом к-э. Большое падение напряжения на переходе. У этого типа напряж. эм.-затв.=20в Можно попробовать другие типы lGBT c защитным диодом внутри корпуса. Эти модели давно стоят в Мультисиме. Они устарели конечно по технологии.
Есть и сборки. А дроссель и резистор это эквивалент обмотки трех фазного асинхронника. Надо посмотреть его открытие и закрытие на активную нагрузку. Так же как это работает на сварочных инверторах.