От нагрузки греется MOSFET, как усилить?

[Zemlyanov]

В драйвере двигателя постоянного тока ключом является полевой транзистор IRL3705, он управлял двигателем 24В. 4А, все работало нормально, нагрев транзистора был в норме. Сейчас возникла необходимость заменить двигателя на более мощные 36В.6А. При работе этих двигателей без нагрузки IRL3705 разогревается до температуры которая была при работе 24В двигателей с нагрузкой (на питание двигателя подаю 40в, так как драйвер с ШИМ и стабилизацией оборотов, поэтому вольтаж больше чем необходим двигателю). Испытывать с нагрузкой не стал, боюсь спалить.
Можно ли усилить ключ добавив дополнительный IRL3705, если да то как его правильно подключить?

-- Прилагается рисунок: --

[avr123-nm-ru]

Можно несколько ножек запараллелить для управления затвором, либо драйвер добавить, либо на радиатор транзистор поставить. Либо снизить частоту переключений.

[Zemlyanov]

Можно несколько ножек запараллелить для управления затвором, либо драйвер добавить

А зачем? Этот MOSFET с управлением затвором логическим уровнем. Работает без проблем. Другое дело MOSFET параллельно поставить, только я не знаю будит ли так работать(схема ниже)[/quote]

либо на радиатор транзистор поставить.

Уже стоит и не слабый.

Либо снизить частоту переключений.

Частоту ШИМ?Она и так не большая, я на оборот хотел повысить, а то двигатель шумит.

-- Прилагается рисунок: --

[sanitar249]

Сообщение от avr123-nm-ru

Можно несколько ножек запараллелить для управления затвором, либо драйвер добавить

А зачем? Этот MOSFET с управлением затвором логическим уровнем. Работает без проблем. Другое дело MOSFET параллельно поставить, только я не знаю будит ли так работать(схема ниже)

Полевики в паралель отлично работают, но надо учитывать, что емкость затвора(ов) увеличиваеться кратно используемым транзисторам и управление уже не будет таким быстрым.

Частоту ШИМ?Она и так не большая, я на оборот хотел повысить, а то двигатель шумит.

Динамические потери растут с частотой.
Удачи!

-- Прилагается рисунок: --

[Zemlyanov]

Полевики в паралель отлично работают, но надо учитывать, что емкость затвора(ов) увеличиваеться кратно используемым транзисторам и управление уже не будет таким быстрым.

А так получиться снизить емкость затворов и управлять транзисторами? Или можно другими путями решить эту проблему?

-- Прилагается рисунок: --

[nokazus]

На эмиттерных переходах биполярных транзисторов падает напряжение, поэтому на затворах полевых оно будет с размахом не 0..5В, что может привести к их неполному закрыванию/открыванию. Можно поставить два полевых комплементарных транзистора (посмотрите схему инвертора ИМС КМОП), но тогда сигнал нужно инвертировать и есть опасность возникновения сквозных токов, точнее они будут, но на малой частоте (ед кГц) незначительны. Для устранения сквозных токов можно в цепь стока верхнего транзистора включить резистор на несколько дес. Ом. Для высокой частоты (дес кГц) лучше применить интегральный драйвер нижнего плеча. Там на выходе тоже комплементарный каскад, но предприняты меры для устранения сквозных токов.
Удачи.
ЗЫ кстати, тогда можно и увеличить управляющее напряжение затвора и применить более мощный транзистор.

[zelanez]

По схеме сабжа емкость затвора МОСФИТа разряжается через ваход МК. А это вызывает затяжку фронтов и соответствующий нагрев транзистора. Возможно ситуацию улучшит правильно подобранный резистор с затвора на общий провод.
Разумно посмотреть осциллографом открывается ли полностью МОСФИТ при подаче лог 1 с выхода МК на затвор. Тогда уж смотреть - нужно ли доп усиление управляющего сигнала.

[avr123-nm-ru]

Сообщение от avr123-nm-ru

Можно несколько ножек запараллелить для управления затвором, либо драйвер добавить

А зачем? Этот MOSFET с управлением затвором логическим уровнем.

Вам нужно понять что это означает !

Работает без проблем.

А ОБЧЕМ этот топик тадЫ ?

[Zemlyanov]

Информация по МОSFET ваших рук дело? Хорошо оформлено, кратко и понятно.
А насчет запараллелить так я ничего и не понял, что это даст и с чем запараллелить с другим каналом ШИМ? Напряжение на затворе не увеличится, следовательно сопротивление МОSFETа не уменьшится. Возможно я и ошибаюсь.

А ОБЧЕМ этот топик тадЫ ?

Топик о том что при замене нагрузки на МОSFET на более мощную он начинает прилично нагреваться. Поэтому я хочу определится каким способом это можно устранить

[mega_john]

[quote="Zemlyanov"]Напряжение на затворе не увеличится/quote]
ток увелится, исходя из выше написанного, это то, что нужно!