Реклама на сайте English version  DatasheetsDatasheets

KAZUS.RU - Электронный портал. Принципиальные схемы, Datasheets, Форум по электронике

Новости электроники Новости Литература, электронные книги Литература Документация, даташиты Документация Поиск даташитов (datasheets)Поиск PDF
  От производителей
Новости поставщиков
В мире электроники

  Сборник статей
Электронные книги
FAQ по электронике

  Datasheets
Поиск SMD
Он-лайн справочник

Принципиальные схемы Схемы Каталоги программ, сайтов Каталоги Общение, форум Общение Ваш аккаунтАккаунт
  Каталог схем
Избранные схемы
FAQ по электронике
  Программы
Каталог сайтов
Производители электроники
  Форумы по электронике
Удаленная работа
Помощь проекту

Мощный MOSFET с широким интервалом рабочих напряжений


Компания INTERNETIONAL RECTIFIER выпустила Direct FET MOSFET IRF6643PbF с напряжением 150В для работы в DC/DC изолированных преобразователях, используемых в системах с универсальным для систем телекоммуникации интервалом питающих напряжений от 36 до 75В, а также для устройств с фиксированным напряжением 48В.

За счет применения современного монтажа DirectFET, в сочетании с технологией следующего поколения мощных кремниевых HEXFET MOSFET, новые приборы обеспечивают токи до 35А при лучшем КПД и меньшем нагреве, даже в корпусах, аналогичным по размерам SO-8. Дальнейшие усовершенствования привели к дополнительному улучшению таких критических параметров транзисторов, как последовательное сопротивление, заряд затвора и промежутка затвор-сток, что и определило увеличение плотности тока одиночного MOSFET.

В силу сокращения площади структуры на 50% одиночный DirectFET MOSFET теперь может заменить два-три старых прибора в корпусах SO-8. Крайне низкое (29мОм при 10В) значение прямого сопротивления, а также малая индуктивность транзисторов делают их крайне привлекательными для использования в сильноточных синхронных выпрямителях. Низкие значения зарядов затвора (39нКл) и промежутка затвор-сток

11нКл у IRF6643TRPbF позволяют ему хорошо работать по первичной стороне преобразователей с  изолированной или промежуточной DC шиной. IRF6643TRPbF монтируется в средний по размеру (MZ) корпус DirectFET.


Источник: terraelectronica.ru | Дата публикации: 13/03/2007

Предыдущая новость: Переход на ASIC снижает цену изделий использующих FPGA LATTICE SEMICONDUCTOR Следующая новость: Интегральный высоковольтный драйвер светодиодов, ориентированный на применение в автомобильной технике
Реклама на сайте


Последние новости    Новости электронной индустрии в формате RSS

[06/02/2019] Конференция в МГТУ им. Баумана «Технологии разработки и отладки сложных технических систем» 2019

[09/05/2018] Грандиозная майская распродажа на Gearbest!

[16/05/2017] С 15 по 17 мая в магазине Gearbest проходит грандиозный флэшсейл

[10/05/2017] Так что же такое Спиннер?

[05/12/2016] Новый Год и Рождество с GearBest!

[29/09/2016] Всемирный День Интернета на GearBest

Читать все новости >>


© 2003—2024 «KAZUS.RU - Электронный портал»