 |
Поиск Datasheets |
|
| 2SC5196_06 |
Silicon NPN Triple Diffused Type Power Amplifier Applications |
Toshiba Semiconductor |
 |
|
2SC5196_06 Datasheet
|
|
|
|
Постоянная ссылка на эту страницу |
|
|
2SC5196_06 и другие |
|
| Компонент | Описание | Производитель | PDF |
| CCR34H-20 |
Rectifier Die, Glass Passivated Junction Protection for Superior Blocking Voltage and Stability |
Cynergy3 Co |
|
| AME8501CEEVBE23 |
UProcessor Supervisory |
Analog Microelectronics |
|
| 2SC5197 |
Silicon NPN Power Transistors |
Savantic, Inc. |
|
| 209-501-22-38 |
Direct replacement for T5.5 Slide Base |
Marl International Limited |
|
| 2SC5197 |
NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) |
Toshiba Semiconductor |
|
|  |
|
Datasheet's на KAZUS.RU |
|
|
• 10.000.000 компонентов
• 300.000 поисковых запросов
• 500.000 закачек PDF в месяц
• 700.000 пользователей
|
|
Реклама на сайте |
|
|
|
|
|
|
