 |
Поиск Datasheets |
|
| CS19227PBI-2 |
10GE & OC192/48/12/3 DW/FEC/PM and AsyncMap Device with Strong FEC |
Applied Micro Circuits Corporation |
 |
|
CS19227PBI-2 Datasheet
|
|
|
|
Постоянная ссылка на эту страницу |
|
|
CS19227PBI-2 и другие |
|
| Компонент | Описание | Производитель | PDF |
| EXC55DRAF |
.100 [2.54mm] CONTACT CENTERS, 431 INSULATOR HEIGHT |
List of Unclassifed Manufacturers |
|
| FSYE923A0R1 |
Radiation Hardened, SEGR Resistant P-Channel Power MOSFETs |
Intersil Corporation |
|
| CS19233 |
10 G Ethernet/Fibre Channel/SONET/SDH Dual CDR |
Applied Micro Circuits Corporation |
|
| FT-12T-6.6ME |
30Vp-p Square Wave MAX. |
Shenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd |
|
| FSYE923A0R3 |
Radiation Hardened, SEGR Resistant P-Channel Power MOSFETs |
Intersil Corporation |
|
|  |
|
Datasheet's на KAZUS.RU |
|
|
• 10.000.000 компонентов
• 300.000 поисковых запросов
• 500.000 закачек PDF в месяц
• 700.000 пользователей
|
|
Реклама на сайте |
|
|
|
|
|
|
