 |
Поиск Datasheets |
|
| IRGBC30MD2-S |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=16A) |
International Rectifier |
 |
|
IRGBC30MD2-S Datasheet
|
|
|
|
Постоянная ссылка на эту страницу |
|
|
IRGBC30MD2-S и другие |
|
| Компонент | Описание | Производитель | PDF |
| K4S280432A-TC/L80 |
128Mbit SDRAM 8M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
Samsung semiconductor |
|
| K4S161622E-TC70 |
1M x 16 SDRAM |
Samsung semiconductor |
|
| ME22XAG |
14 pin DIP, 5.0 Volt, ECL, PECL, Clock Oscillator |
MTRONPTI |
|
| LM131 |
Precision Voltage-to-Frequency Converters |
National Semiconductor |
|
| IRGBC40 |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=25A) |
International Rectifier |
|
|  |
|
Datasheet's на KAZUS.RU |
|
|
• 10.000.000 компонентов
• 300.000 поисковых запросов
• 500.000 закачек PDF в месяц
• 700.000 пользователей
|
|
Реклама на сайте |
|
|
|
|
|
|
