|
Поиск Datasheets |
|
K4S560832B |
256Mbit SDRAM 8M x 8bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
Samsung semiconductor |
|
|
K4S560832B Datasheet
|
|
|
|
Постоянная ссылка на эту страницу |
|
|
K4S560832B и другие |
|
Компонент | Описание | Производитель | PDF |
IRHI7360SE |
TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=400V, Rds(on)=0.20ohm, Id=24.3A) |
International Rectifier |
|
NACENR47M505X5.5TR13F |
Surface Mount Aluminum Electrolytic Capacitors |
NIC-Components Corp. |
|
HT152M |
Ceramic Capacitors |
Cornell Dubilier Electronics |
|
IRHG53110 |
RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (MO-036) |
International Rectifier |
|
LM1445L |
GATE CONTROLLED TWO CHANNEL INPUT WIDEBAND AMPLIFIER |
Motorola, Inc |
|
| |
|
Datasheet's на KAZUS.RU |
|
• 10.000.000 компонентов
• 300.000 поисковых запросов
• 500.000 закачек PDF в месяц
• 700.000 пользователей
|
|
Реклама на сайте |
|
|
|
|
|