 |
Поиск Datasheets |
|
|
LM3S2110-IRN25-A1T Datasheet
|
|
|
|
Постоянная ссылка на эту страницу |
|
|
LM3S2110-IRN25-A1T и другие |
|
| Компонент | Описание | Производитель | PDF |
| MH10051N0DL |
MULTILAYER CHIP INDUCTOR |
ABC Taiwan Electronics Corp |
 |
| KBP210G |
2.0Amp Glass Passivited Bridge Rectifiers |
SeCoS Halbleitertechnologie GmbH |
|
| HY57V561620BLT-HI |
4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM |
Hynix Semiconductor |
|
| M58CR032C85ZB6T |
32 Mbit 2Mb x 16, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
STMicroelectronics |
|
| PJ3MMXX |
Surface Mount Crystals 5.5 x 11.7 x 2.2 mmPARAMETERS |
MTRONPTI |
|
|  |
|
Datasheet's на KAZUS.RU |
|
|
• 10.000.000 компонентов
• 300.000 поисковых запросов
• 500.000 закачек PDF в месяц
• 700.000 пользователей
|
|
Реклама на сайте |
|
|
|
|
|
|
